Synthesis graphene on Cu substrate by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) is investigated and its quality's affection factors are discussed in this work. Compared with the graphene synthesized at high temperature in chemical vapor deposition (CVD), the low-temperature graphene film by PE-CVD has relatively low quality with many defects. However, the advantage of low-temperature is also obvious that low melting point materials will be available to synthesize graphene as substrate. In this study, the temperature will be kept constant in $400^{\circ}C$ and the graphene was grown in plasma environment with changing the plasma power, the flow rate of precursors, and the distance between plasma generator coil and substrates. Then, we investigate the effect of temperature and the influence of process variables to graphene film's quality and characterize the film properties with Raman spectroscopy and sheet resistance and optical emission spectroscopy.
The fabrication of high quality graphene using chemical vapor deposition (CVD) method for application in semiconductor, display and transparent electrodes is investigated. Temperature and pressure have major impact on the growth of graphene. Graphene doping was obtained by deposition of $MoO_3$ thin films using thermal evaporator. Bilayer graphene and the metal layer graphene were obtained. According to the behavior of graphene growth P-type doping was confirmed. Graphene obtained through experiments was analyzed using optical microscopy, Raman spectroscopy, UV-visible light spectrophotometer, 4-point probe sheet resistance meter and atomic force microscopy.
Exceptional progress has been made with chemical vapor deposition (CVD) of graphene in the past few years. Not only has good monolayer growth of graphene been achieved, but large-area synthesis of graphene sheets has been successful too. However, the polycrystalline nature of CVD graphene is hampering further progress as graphene property degrades due to presence of grain boundaries. This review will cover factors that affect nucleation of graphene and how other scientists sought to obtain large graphene domains. In addition, the limitation of the current research trend will be touched upon as well.
In the $Al(OH)_3-SiO_2-AlF_3$ system, leaf-shaped fluorotopaz was first formed at $800^{\circ}C$ and mullite whisker was formed at $1,100^{\circ}C$. The mass transportation of Al and Si as gas phase, the fast reaction and growth, and the absence of liquid phase existence in mullite whisker showed that the formation and growth of mullite was from the solid-vapor reaction.
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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pp.1196-1197
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2006
FePt binary-alloy nanopowder has been successfully synthesized by chemical vapor condensation process with two metal organic precursors, i.e., iron pentacarbonyl and platinum acetylacetonate. Average particle size of the powder was less than 50 nm with very narrow size distribution, revealing high dispersion capability. Characteristics of the powder could be controlled by changing process parameters such as reaction temperature, chamber pressure, as well as gas flow rate. Magnetic properties of the synthesized FePt nanopowder were investigated and analyzed in terms of the powder characteristics.
Nano-scaled metal oxides have been attractive materials for sensors, photocatalysis, and dye-sensitization for solar cells. We report the controlled synthesis and characterization of single crystalline $TiO_2$ nanowires via a catalyst-assisted vapor-liquid-solid (VLS) and vapor-solid (VS) growth mechanism during TiO powder evaporation. Scanning electron microscope (SEM) and transmission electron microscope (TEM) studies show that as grown $TiO_2$ materials are one-dimensional (1D) nano-structures with a single crystalline rutile phase. Also, energy-dispersive X-ray (EDX) spectroscopy indicates the presence of both Ti and O with a Ti/O atomic ratio of 1 to 2. Various morphologies of single crystalline $TiO_2$ nano-structures are realized by controlling the growth temperature and flow rate of carrier gas. Large amount of reactant evaporated at high temperature and high flow rate is crucial to the morphology change of $TiO_2$ nanowire.
Silicon nitride powders, were synthesized by the vapor phase reaction using SiH4-NH3 gaseous mixture. The reaction temperature, ratio of NH3 to SiH4 gas and the overall gas quantity were varied. The synthesized powders were characterized using X-ray, TEM, FT-IR and EA. The synthesized silicon nitride powders were in amorphous state, and the average particle size was about 100nm. TEM analysis revealed that the particle size decreased with increasing reaction temperature and gas flow quantity. As-received amorphous powders were annealed in nitrogen atmosphere at 140$0^{\circ}C$ for 2h, then the powders were completely crystallized at 0.2 ratio of NH3 to SiH4.
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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pp.625-626
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2006
In the present study, the focus is on the synthesis of nanosized WC powder by the chemical vapor condensation proces. The synthesized W-C system powder by the CVC process shows W2C, W, WO3 phases and can not shows WC phase. After recarburization heat treatment under mixture gas atmosphere of argon and hydrogen gases, the synthesized W-C system powder fully transformed to the pure WC. The synthesized WC powder after recarburization heat treatment has an average particle size of 20 nm. The nano-sized WC powder can be prepared by the combination of the CVC process and heat treatment methods.
We fabricate poly(3,4-ethylenedioxythiopene patterns using liquid-bridge-mediated nanotransfer (LB-nTM) printing via vapor phase polymerization (VPP). LB-nTM printing method can simultaneously enable the synthesis, alignment and patterning of the nanowires from molecular ink solutions. Two- or three-dimensional complex structures of VPP-PEDOT were directly fabricated over a large area using many types of molecular inks. VPP method is a versatile technique that can be used to obtain highly conducting coatings of conjugated polymer on both conducting and non-conducting substrates. The PEDOT patterns has analyzed crystallinity from X-ray diffraction pattern and select-area diffraction patterns. In addition, the PEDOT pattern has high conductivity compared other conducting polymers.
This paper reviews the potentials of a rotary chemical vapor deposition (RCVD) process for nanomaterial synthesis and coating on powder-based materials. The rotary reactor offers a significant improvement over traditional CVD methods having horizontal and fixed reaction chambers. The RCVD system yields enhanced productivity and surface coating uniformity of nanoparticles applied in various purposes, such as efficient heat dissipation, surface hardness enhancement, and enhanced energy storage performances. The effectiveness of the RCVD system would open up new possibilities in various applications because uniform coating on powder-based materials with massive productivity is inevitable to develop multi-functional materials with high reliability.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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