o-자일렌 산화반응의 반응메카니즘과 촉매활성에 대한 산화바나듐의 산화상태 및 담체의 영향을 연구하였다. o-자일렌의 산화반응은 연계반응 메카니즘 및 병렬반응 메카니즘에 의해 동시에 진행되는 것으로 나타났다. 높은 산화수를 지닌 산화바나듐은 무수프탈산으로의 선택적 산화반응에 유리한 것으로 나타났고, 반면에 낮은 산화수의 경우는 무수프탈산의 CO 및 $CO_2$로의 완전 산화반응을 유발함을 알 수 있었다. 그리고 결정성 $V_2O_5$가 낮은 비결정성의 경우보다 부분 산화반응에 대한 높은 선택도를 나타내었다.
For $VO_{2}$ sensors applicable to temperature measurement by using the nature of semiconductor to metal transition, the crystallinity, microstructure, and temperature vs. resistance characteristics were investigated systematically as a function of the annealing condition. The starting materials, vanadium pentoxide ($V_{2}O_{5}$) powders, were mixed with vehicle to form paste. This paste was screen-printed on $Al_{2}O_{3}$ substrates and then $VO_{2}$ thick films were heat-treated at $450^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$, respectively, for 1 hr in $N_{2}$ gas atmosphere for the reduction. As results of the temperature vs. resistance property measurements, the electrical resistance of the $V_{2}O_{5}$ sensor in phase transition range was decreased by $10^{3.9}$ order. The presented critical temperature sensor could be used in fire-protection and control systems.
Vanadium dioxide ($VO_2$) of monoclinic phase exhibits Metal Insulator Phase Transition (MIPT) phenomenon involving a sharp change in electrical and optical properties at $68^{\circ}C$. Solution-based process is applied to form uniform $VO_2$ coating layer on ceramic tiles. This can selectively block the near-infrared light to possibly reduce the energy loss and prevent dew condensation caused by the temperature difference. Heat treatment conditions including temperature and dwell time were examined to obtain a monoclinic $VO_2$ single phase. Both rutile and monoclinic $VO_2$ phases were observed from in the tiles post-annealed below $700^{\circ}C$. Desired monoclinic $VO_2$ single phase was grown in the tiles heat treated at $750^{\circ}C$. Nano facets of irregular size were observed in the monoclinic $VO_2$ phase involving the phase-transition. Grain growth of monoclinic $VO_2$ phase was observed as a function of dwell time at $750^{\circ}C$.
Ternary tellurite glassy systems ($Li_2O-V_2O_5-TeO_2$) have been synthesised using Vanadium oxide as a network former and Lithium oxide as network modifier. The addition of a metal oxide makes them electric or mixed electric-ionic conductors, which are of potential interest as cathode materials for solid-state batteries. This glass-ceramics crystallized from the $Li_2O-V_2O_5-TeO_2$ system are particularly interesting, because they exhibit high conductivity (up to $5.63{\times}10^{-5}$ S/cm) at room temperature the glass samples were prepared by quenching the melt on the copper plate and the glass-ceramics were heat-treated at crystallizing temperature determined from differential thermal analysis (DTA). The electric DC conductivity result have been analyzed in terms of a small polaron-hopping model.
Dopant-free silicon heterojunction solar cells using Transition Metal Oxide(TMO) such as Molybdenum Oxide($MoO_X$) and Vanadium Oxide($V_2O_X$) have been focused on to increase the work function of TMO in order to maximize the work function difference between TMO and n-Si for a high-efficiency solar cell. One another way to increase the work function difference is to control the silicon wafer resistivity. In this paper, dopant-free silicon heterojunction solar cells were fabricated using the wafer with the various resistivity and analyzed to understand the effect of n-Si work function. As a result, it is shown that the high passivation and junction quality when $V_2O_X$ deposited on the wafer with low work function compared to the high work function wafer, inducing the increase of higher collection probability, especially at long wavelength region. the solar cell efficiency of 15.28% was measured in low work function wafer, which is 34% higher value than the high work function solar cells.
Ternary tellurite glassy systems ($Li_2O-V_2O_5-P_2O_5$) have been synthesised using Vanadium oxide as a network former and Lithium oxide as network modifier. The addition of a metal? oxide makes them electric or mixed electric-ionic conductors, which are of potential interest as cathode' materials for solid-state batteries. This glass-ceramics crystallized from the $Li_2O-V_2O_5-P_2O_5$ system are particularly interesting, because they exhibit high conductivity (up to $5.95\times10^{-4}$ S/cm) at room temperature. the glass samples were prepared by quenching the melt on the copper plate and the glass-ceramics were heat-treated at crystallizing temperature determined from differential thermal analysis (DTA). The electric D.C conductivity result have been analyzed in terms of a small polaron-hopping model.
This study investigated how the surface of Al-12wt.%Si alloy modified by the plasma electrolytic oxidation process (PEO). The PEO process was performed in an electrolyte with sodium hexametaphsphate as a conducting salt, and the effect of ammonium metavanadate on variations in the morphology of electrochemically generated oxide layers on the alloy surface was investigated. It is difficult to form a uniform passive oxide layer on Al alloys with a high Si content due to the differences in the oxidation behavior of the silicon-rich phase and the aluminum-rich phase. The oxide layer covered the entire surface of the Al-12WT.%Si alloy uniformly when ammonium metavanadate was added to the electrolyte. The oxide layer was confirmed as a mixture of $V_2O_3$ and $V_2O_5$ by XPS analysis. In addition, the oxide layer obtained by the PEO process with ammonium metavanadate exhibited a black color. Application of this surface modification method is expected to solve the problem of the lack of uniformity in the coloring of oxide layeres caused by different oxidation behaviors during a surface treatment.
All transparent metal oxide photoelectric device based on $V_2O_5$ was fabricated with structure of $V_2O_5/ZnO/ITO$ by magnetron sputtering system. $V_2O_5$ was deposited by reactive sputtering system with 4 inch vanadium target (purity 99.99%). In order to achieve p-n junction, p-type $V_2O_5$ was deposited onto the n-type ZnO layer. The ITO (indium tin oxide) was applied as the electron transporting layer for effective collection of the photo-induced electrons. Electrical and optical properties were analyzed. The Mott-Schottky analysis was applied to investigate the energy band diagram through the metal oxide layers. The $V_2O_5/ZnO/ITO$ photoelectric device has a rectifying ratio of 99.25 and photoresponse ratios of 1.6, 4.88 and 2.68 under different wavelength light illumination of 455 nm, 560 nm and 740 nm. Superior optical properties were realized with the high transmittance of average 70 % for visible light range. Transparent $V_2O_5$ layer absorbs the short wavelength light efficiently while passing the visible light. This research may provide a route for all-transparent photoelectric devices based on the adoption of the emerging p-type $V_2O_5$ metal oxide layer.
Commercially pure titanium (CP Ti) and Ti-6Al-4V alloys have been widely used for biomedical applications. However, the use of the Ti-6Al-4V alloy in biomaterial is then a subject of controversy because aluminum ions and vanadium oxide have potential detrimental influence on the human body due to vanadium and aluminum. Hence, recent works showed that the synthesis of new Ti-based alloys for implant application involves more biocompatible metallic alloying element, such as, Nb, Hf, Zr and Mo. In particular, Nb and Hf are one of the most effective Ti ${\beta}-stabilizer$ and reducing the elastic modulus. Plasma electrolyte oxidation (PEO) is known as excellent method in the biocompatibility of biomaterial due to quickly coating time and controlled coating condition. The anodized oxide layer and diameter modulation of Ti alloys can be obtained function of improvement of cell adhesion. Manganese(Mn) plays very important roles in essential for normal growth and metabolism of skeletal tissue in vertebrates and can be detected as minor constituents in teeth and bone. Radio frequency(RF) magnetron sputtering in the various PVD methods has high deposition rates, high-purity films, extremely high adhesion of films, and excellent uniform layers for depositing a wide range of materials, including metals, alloys and ceramics like a hydroxyapatite. The aim of this study is to research the Mn coatings on the micro-pore formed Ti-29Nb-xHf alloys by RF-magnetron sputtering for dental applications. Ti-29Nb-xHf (x= 0, 3, 7 and 15wt%, mass fraction) alloys were prepared Ti-29Nb-xHf alloys of containing Hf up from 0 wt% to 15 wt% were melted by using a vacuum furnace. Ti-29Nb-xHf alloys were homogenized for 2 hr at $1050^{\circ}C$. Each alloy was anodized in solution containing typically 0.15 M calcium acetate monohydrate + 0.02 M calcium glycerophosphate at room temperature. A direct current power source was used for the process of anodization. Anodized alloys was prepared using 270V~300V anodization voltage at room. Mn coatings was produced by RF-magnetron sputtering system. RF power of 100W was applied to the target for 1h at room temperature. The microstructure, phase and composition of Mn coated oxide surface of Ti-29Nb-xHf alloys were examined by FE-SEM, EDS, and XRD.
V2O5-WO3-TiO2 촉매를 담지하여 그래핀(graphene) 기반 세라믹필터를 제조하였으며, 이를 활용하여 질소산화물(NOx)의 제거실험을 수행하였다. 산화그래핀(graphene oxide, GO)은 흑연(graphite)을 이용하여 Hummer's method에 의해 제조하였고 환원제로 히드라진(N2H4)을 통해 환원 산화그래핀(reduced graphene oxide, rGO)을 제조하였다. 제조된 그래핀을 세라믹필터 표면에 유-무기 하이브리드 원리를 이용하여 코팅하였으며, 여기에 광촉매물질을 담지하였다. 광촉매물질은 바나듐(V), 텅스텐(W), 티타늄(Ti)를 사용하여 sol-gel법에 의해 코팅 후 350 ℃ 소성 공정을 통하여 광촉매담지 세라믹필터를 제조하였다. UV광을 제조된 필터에 조사하여 NOx의 제거 실험을 수행하였으며, NOx의 제거 효율은 기존의 세라믹필터보다 GO 및 rGO가 코팅된 경우가 우수하였다. 이는 코팅된 그래핀에 의한 흡착성의 향상 때문으로 판단되며, 그래핀의 농도가 증가함에 따라 보다 높은 NOx의 제거효율을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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