• 한국산학기술학회논문지
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• 제19권8호
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• pp.14-18
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• 2018

일반적으로 반도체소자의 이동도를 높이기 위하여 반도체소자에서 옴접촉이 중요하게 다루어진다. 반도체 구조의 PN접합은 공핍층을 포함하고 있으며, 공핍층은 전기적인 비선형을 유도하고 쇼키접압을 만들어내는 반도체 고유의 물리적인 특징이다. 본 연구에서는 절연막이 전도성에 미치는 효과를 조사하기 위해서 $SiO_2$ 박막과 $V_2O_5/SiO_2$ 박막의 전기적인 특성을 비교하여 조사하였다. 미소전계영역에서 $SiO_2$ 절연막의 전기적인 특성으로부터 비선형 쇼키접합을 이루고 있는 것을 확인하였으며, 그 위에 증착된 $V_2O_5$ 박막은 오믹특성을 갖는 것을 확인하였다. 절연막의 PN 접합에 의한 쇼키접합 특성이 누설전류를 차단하여 $V_2O_5$ 박막의 전도성을 우수하게 만들었다. 양의 전압에서 $SiO_2$ 박막의 커패시턴스 값은 매우 낮았으나 $V_2O_5$ 박막의 커패시턴스 값은 전압이 증가할수록 증가하였다. 일반적인 전계영역에서 $SiO_2$ 박막의 절연 효과에 의해 $V_2O_5$ 박막의 전도성이 증가하는 것을 확인하였다. 절연박막은 공핍층의 효과를 이용하는 쇼키접합을 갖게 되며, 반도체에서의 쇼키접합은 전도성을 높이는 효과가 있는 것을 확인하였다.

• 한국대기환경학회지
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• 제8권1호
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• pp.58-67
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• 1992

For removing $NO_x$ and $SO_x$ from the flue gases emitted from stationary sources, $V_2O_5-MoO_3/TiO_2$ catalysts were prepared by the conventional impregnation method (aqueous solution) and a sort of surface fixation method(nonaqueous solution) as reported excellent reproducibility catalysts. And these catalysts observed their catalytic activities as well as their surface properties. V-Mo-O oxide, prepared from nonaqueous solution of $VOCl_3$ and $Mo(CO)_6$ and aqeous solution method, was supported as amorphous state by XRD and SEM measurements. The infrared spectra of fresh and used catalysts showed that in used catalysts, V=O bands decreased and new bands of vanadium oxysulfate bands were very sensitive. So the catalysts prepared from nonaqueous solution may bring about the high activity. Results from catalytic activity measurements at 350$^\circ$C, in the presence of $SO_2, NO$ conversion was more increased than in absence of $SO_2$. As the $MoO_3$ was added to $V_2O_5/TiO_2 system, SO_2$ conversion increased. It found that from the results, $V_2O-5-MoO_3/TiO_2$ catalysts prepared from an nonaqueous solution may bring about the high activity for both the reaction of NO and $SO_2$ removal.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.627-633
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• 2015

본 논문에서는 고속 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 회로를 위한 저전압 입력 보호기능을 가지는 모바일용 LDO(Low Drop-Out) 레귤레이터를 설계하였다. 설계된 LDO 레귤레이터는 밴드갭 기준전압회로, 오차 증폭회로, 파워 트랜지스터 등으로 이루어진다. LDO 레귤레이터는 3.3 V 전원전압으로부터 2.5 V 출력을 갖도록 설계되었으며, 저전압 입력보호 기능을 하는 UVLO 회로는 전원부와 파워 트랜지스터 사이에 삽입된다. 또한 UVLO는 3.3 V 구동전압에서, 하강시 1.2 V 에서 LDO 레귤레이터 동작을 멈추게 하고, 구동전압 상승 시 2.5 V 에서 LDO 레귤레이터가 정상 동작한다. $0.35{\mu}m$ 5 V 저전압 CMOS 공정을 사용하여 모의실험 한 결과, 설계한 LDO 레귤레이터는 0.713 mV/V의 라인레귤레이션을 가지고, 부하전류가 0 mA에서 40 mA로 변할 때 $8.35{\mu}V/mA$의 로드레귤레이션을 보였다.

• 한국결정학회지
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• 제12권2호
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• pp.70-75
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• 2001

NiCuZn 페라이트에 V₂O/sub 5/가 0∼0.5 wt% 첨가된 페이스트를 사용하여 스크린 인쇄법으로 페라이트 후막을 제조한 후, 870∼900℃에서 소결하여 V₂O/sub 5/ 첨가량에 따른 소결밀도, 미세구조 등의 물리적 특성 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. 소결온도 870℃의 경우 V₂O/sub 5/를 0.5 wt% 첨가한 시편의 소결밀도가 0.58 g/cm³로 가장 hsvrp 나타낫고, 소결온도가 올라갈수록 소결밀도 차이가 줄어들어 900℃의 경우 모든 시편이 5.15g/cm³이상으로 높은 밀도를 나타내었다. V₂O/sub 5/가 0.5 wt% 첨가된 경우에 액상소결이 발달하였으며, V₂O/sub 5/가 0.1, 0.3 wt% 첨가된 시편은 입자성장이 억제되어 입자크기가 V₂O/sub 5/를 첨가하지 않은 시편보다 작았다. 전체의 소결온도 범위에서 V₂O/sub 5/가 첨가되지 않은 시편의 입자크기가 크고 균일하기 때문에 투자율이 가장 높게 나타났으며, 소결온도 880℃ 이상에서 V₂O/sub 5/ 0.3 wt% 첨가 시편의 Q값이 가장 높은 것으로 나타났다. 결론적으로 칩 인덕터용 NiCuZn 페라이트 소재 제조 시, 투자율값을 중시할 경우에는 V₂O/sub 5/를 첨가하지 않아야 하며, 품질계수를 중시할 경우에는 V₂O/sub 5/의 첨가량이 0.3wt%를 넘지 않아야 함을 알 수 있었다.

• TTA 저널
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• 통권87호
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• pp.162-168
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• 2003

TTA(한국정보통신기술 협회)는 2003년 4월 7일 품질 인증제품으로 연희정보통신㈜의''상·하수도 범용/UFCom v 1.0'', ㈜뉴테크웨이브의 ''VirusChaser v 5.0''등 2개의 제품에 대하여 Good Software 마크를 발급하였다. 그리고 2003년 4월 30일에 ㈜웨어밸리의''Orange for ORACLE v 2.2'', ㈜테크다임의''Techdigm Office v 2.0'', ㈜엔지스 테크널러지의''G-Solution Waterworks/Sewerage v 1.0'', 삼성에스디에스㈜의''uniCITY Standard v 1.0'', ''uniCITY Enterprise v 1.0''등 5개의 제품에 대하여 Good Software 마크를 발급하였다. 본 고에서는 상기의 인증 획득한 제품에 대하여 소개하고자 한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권1호
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• pp.21-26
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• 2005

The field effect transistors (FETs) were fabricated ell $Y_2O_3/Si(100)$ substrates by the conventional memory processes and sol-gel process using $(Bi,La)Ti_3O_{12}(BLT)$ ferroelectric gate materials. The remnant polarization ($2Pr = Pr^+-Pr^-$) int Pt/BLT/Pt/Si capacitors increased from $22 {\mu}C/cm^2$ to $30{\mu}C/ cm^2$ at 5V as the annealing temperature increased from $700^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$. There was no drastic degradation in the polarization values after applying the retention read pulse for $10^{5.5}$ seconds. The capacitance-voltage data of $Pt/BLT/Y_2O_3/Si$ capacitors at 5V input voltage showed that the memory window voltage decreased from 1.4V to 0.6V as the annealing temperature increased from $700^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$. The leakage current of the $Pt/BLT/Y_2O_3/Si$ capacitors annealed at $750^{\circ}C$ was about $510^{-8}A/cm^2$ at 5V. From the drain currents versus gate voltages ($V_G$) for $Pt/BLT/Y_2O_3/Si(100)$ FET devices, the memory window voltages increased from 0.3V to 0.8V with increasing tile $V_G$ from 3V to 5V.

• 문화기술의 융합
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• 제5권2호
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• pp.367-373
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• 2019

급격한 전기자동차의 증가에 따라 전기자동차의 배터리를 주행 목적이 아닌 다른 용도로 사용하려는 Vehicle-to-Grid (V2G) 기술 또한 산업계와 학계부터 큰 관심을 끌고 있다. V2G 기술의 도움으로 전기자동차의 배터리는 스마트 그리드 환경에서 에너지 저장장치, 전력공급원등의 여러 중요한 역할로의 사용이 가능해 진다. 본고 에서는 거주용 주택환경을 위한 기술인 Vehicle-to-Home(V2H), 상업용 건물을 위한 기술인 Vehicle-to-Building(V2B) 그리고 전체 전력망을 위한 기술인 Vehicle-to-Grid(V2G) 기술에 대해 자세히 알아보고 각 기술의 특성과 영향에 대해 검토한다. 또한 이 기술들의 경제적 영향에 대해서도 분석한다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제35권1호
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• pp.163-172
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• 2018

본 연구에서는 질소산화물 제거용 환원제로 사용하는 요소 수용액을 암모니아로 전환하는데 있어 SCR 상용촉매의 활용가능성을 확인하기위해 촉매조성에 따른 반응온도, 공간속도의 영향에 대한 연구를 수행하였다. 연구결과 SCR 촉매로 널리 사용되는 $V_2O_5/TiO_2$ 촉매는 $TiO_2$ 및 $WO_3-V_2O_5/TiO_2$ 촉매에 비해 암모니아 생성이 우수함을 보였다. 활성금속을 담지하지 않은 $TiO_2$ 촉매는 $V_2O_5$ 혹은 $WO_3-V_2O_5$를 담지 한 촉매에 비해 공간속도에 따른 암모니아 전환에 영향을 받지 않는 것으로 나타났으며, 활성금속을 담지 한 촉매는 공간속도가 증가함에 따라 암모니아 생성 농도가 감소됨을 확인하였다.

• 폴리머
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• 제25권6호
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• pp.782-788
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• 2001

$[Ru(v-bpy)_3]^{2+}$와 vinylbenzoic acid(vba)의 공중합 피막전극에 dopamine을 반응시켜 수식된 전극을 제작하고 이 고분자의 중합속도와 산화-환원 및 전자전달 특성을 연구하였다. 두 단량체의 몰비가 5:2일 때 공중합속도 상수는 $1.84{ imes}10^{-2}s^{-1}$이고 중합된 피막상에서 두 성분비는 5:1.68이였다. GC/p-$[Ru(V-bpy)_3]^{2+}$/vba-dopamine형의 수식된 전극에서 hydroquinone=quinone+$2H^+2e^-$의 전극반응에 의한 형식전위는 인산염완충용액(pH=7.10)에서 0.17 V이며, 전기촉매반응에서 속도상수($K_{ch}{Gamma}$)는 $2.58{ imes}10^5cms^{-1}$로서 수식되기 전보다 2.41배 큰 값이다. EQCM법에 의한 산화-환원과정에서 질량변화는 수식되기 전보다 $3.28{ imes}10^3$$gmol^{-1}$ 더 크다.

• 한국세라믹학회지
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• 제16권1호
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• pp.26-30
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• 1979

The microstructures and memory core characteristics of substituted lithium ferrites with addition of $Bi_2O_3$, $V_2O_5$, $Nb_2O_3$, and $P_2O_5$ were investigated. The effects of composite flux on the sintering of the substituted lithium ferrites were also studied. The results show that the addition of $Bi_2O_3$, $V_2O_5$, and $Nb_2O_5$ enhances sintering whereas $Sb_2O_3$ and $P_2O_5$ inhibits it, and that the addition of $Nb_2O_5$ results in uniform grain size while the addition of $Bi_2O_3$ or $V_2O_5$ results in non-uniformity in grain size. When $P_2O_5$ was added with $V_2O_5$ or $Bi_2O_3$, however, it results in uniform grain size and improved memory core properties.