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한개의 산소다리를 가진 몰리브덴 (V) 착물의 산소고리화반응 (I). 아세톤 수용매에서 용매물과 $[Mo_2O_3(bipy)_2(NCS)_4]$ 의 반응 (Oxygen Ring Formation Reaction of Monoxo-Bridged Binuclear Molybdenum (V) Complexes (I). Reaction of $[Mo_2O_3(bipy)_2(NCS)_4]$ with Solvent Water in Aqueous Acetone Mixture)

  • 오상오;권진기;김창수
    • 대한화학회지
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    • 제30권4호
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    • pp.345-351
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    • 1986
  • 아세톤수용액에서 한개의 산소가 다리로된 이핵물리브덴(V)착물인 $[Mo_2O_3(bipy)_2(NCS)_4]$는 이옥소다리이핵몰리브덴(V)착물인 $MoO_4(bipy)_2(NCS)_2$를 생성한다. $[Mo_2O_3(bipy)_2(NCS)_4]$에서 $MoO_4(bipy)_2(NCS)_2$로 바꾸어 지는 속도는 분광광도법으로 측정하였다. 용매 물과 이옥소다리이핵몰리브덴(Ⅴ)착물의 생성속도는 속도법칙, 속도= k$[Mo_2O_3(bipy)_2(NCS)_4]\;[H_2O]$에 따른다. 이옥소다리착물의 생성반응메카니즘에 대해서 논의된다. 관찰된 음의 활성화부피는 착물이 용매분자를 전이상태에서 강하게 당길 것으로 보인다.

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플라즈마 침탄 및 CrN 코팅된 Ti-6Al-4V 합금의 구조 및 Creep특성 (Creep Properties of Plasma Carburized and CrN Coated Ti-6Al-4V Alloy)

  • 위명용;박용권
    • 한국재료학회지
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    • 제14권8호
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    • pp.558-564
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    • 2004
  • In order to improve the low hardness and low wear resistance of Ti-6Al-4V alloy, plasma carburization treatment and CrN film coating were carried out. Effects of the plasma carburization and CrN coating were analyzed and compared with the non-treated alloy by mechanical and creep tests. After plasma carburization and CrN coating treatments, the carburized layer was about 150 ${\mu}m$ in depth and CrN coated layer was about 7.5 ${\mu}m$ in thickness. Hardness value of about $H_{v}$ 402 of the non-treated alloy was improved to $H_{v}$ 1600 and 1390 by plasma carburization and CrN thin film coating, respectively. Stress exponent(n) was decreased from 9.10 in CrN coating specimen to 8.95 in carburized specimen. However, the activation energy(Q) was increased from 242 to 250 kJ/mol. It can be concluded that the static creep deformation for Ti-6Al-4V alloy is controlled by the dislocation climb over the ranges of the experimental conditions.

1200V급 4H-SiC DMOSFET 성능지수 최적화 설계 시뮬레이션 (A simulation study on the figure of merit optimization of a 1200V 4H-SiC DMOSFET)

  • 최창용;강민석;방욱;김상철;김남균;구상모
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.63-63
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    • 2009
  • In this work, we demonstrate 800V 4H-SiC power DMOSFETs with several structural alterations to observe static DC characteristics, such as a threshold voltage ($V_{TH}$) and a figure of merit ($V_B^2/R_{SP,ON}$). To optimize the static DC characteristics, we consider four design parameters; (a) the doping concentration ($N_{CSL}$) of current spreading layer (CSL) beneath the p-base region, (b) the thickness of p-base ($t_{BASE}$), (c) the doping concentration ($N_J$) and width ($W_J$) of a JFET region, (d) the doping concentration ($N_{EPI}$) and thickness ($t_{EPI}$) of epi-layer. Design parameters are optimized using 2D numerical simulations and the 4H-SiC DMOSFET structure results in high figure of merit ($V_B^2/R_{SP,ON}$>~$340MW/cm^2$) for a power MOSFET in $V_B{\sim}1200V$ range.

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군위성통신 차량용단말 X-대역 TWTA용 HVPS 개발 (Development of HVPS of the X-Band TWTA for Military Transportable Satellite Communications)

  • 박재돈;장진상;동문호
    • 한국통신학회논문지
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    • 제30권12A호
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    • pp.1168-1173
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    • 2005
  • 본 논문에서는 군위성통신의 차량용단말에 사용되는 X-대역 TQTA용 HVPS를 설계 및 제작하고 그 성능을 측정하였다. 본 HVPS는 X-대역에서 600 W의 RF 신호 출력을 발생시키는 TWT를 구동시키기 위하여 제작되었다. HVPS의 스위칭 주파수는 80 kHz로 설계되었고 입력전원은 380 V의 직류전원을 사용한다. HVPS의 출력전압은 Cathode 전극에 -10.95 kV의 최대전압을 발생시키고 두개의 Collector 전극에 각각 -4.27 kV, -6.57 kV의 고압 전원을 제공하며 총 출력 전력은 1.6 kW를 발생시킨다. 한편, ripple 전압의 peak-to-peak 크기는 Cathode 전극의 경우 6 V, Collectorl은 12 V, Collector 2는 6 V로서 출력전압에 비해 각각 $0.055\%,\;0.281\%,\;0.091\%$ 수준으로 상당히 안정된 전원특성을 얻었다.

Hot Wall Epitaxy (HWE)에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막 성장과 특성 (Growth and Characterization of $CdGa_2Se_4$ Single Crystal Thin Films by Hot Wall Epitaxy)

  • 최승평;홍광준
    • 센서학회지
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    • 제10권6호
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    • pp.328-337
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    • 2001
  • 수평 전기로에서 $CdGa_2Se_4$ 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 위에 성장하였다. $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 $630^{\circ}C$, $420^{\circ}C$로 성장하였다. 10K에서 측정한 광발광 exciton 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반치폭(FWHM)을 분석하여 단결정 박막의 최적 성장 조건을 얻었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 $8.27{\times}10^{17}/cm^3$, $345\;cm^2/V{\cdot}s$였다. 광전류 봉우리의 10K에서 단파장대의 가전자대 갈라짐(splitting)에 의해서 측정된 ${\Delta}Cr$ (crystal field splitting)은 106.5 meV, ${\Delta}So$ (spin orbit splitting)는 418.9 meV였다. 10K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton 과 매우 강한 세기의 중성 주개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 주개 bound exciton의 반치폭과 결합 에너지는 각각 8 meV와 13.7 meV였다. 또한 Haynes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 137 meV 였다.

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V2O5 도핑한 페라이트 페이스트로 제조된 칩인덕터의 자기적 특성 (Magnetic Properties of Chip Inductors Prepared with V2O5-doped Ferrite Pastes)

  • 제해준
    • 한국자기학회지
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    • 제13권3호
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    • pp.109-114
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    • 2003
  • NiCuZn 페라이트에 $V_2O_{5}$를 0~0.5 wt% 첨가하여 페라이트 페이스트를 준비한 후,스크린 인쇄법으로 내부전극이 4.5회 회전된 임의의 크기(7.7$\times$4.5$\times$l.4 mm)의 칩인덕터를 제조하여, $V_2O_{5}$ 첨가량에 따른 미세구조 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. $V_2O_{5}$첨가량이 증가할수록 액상소결이 발달하여 페라이트 입계에 내부전극 Ag의 확산과 Cu 석출 현상이 촉진되고, 이로 인하여 과대입자성장이 발달되었다. 이러한 현상은 칩인덕터의 자기적 특성에 큰 영향을 미쳐,900 $^{\circ}C$에서 소결된 $V_2O_{5}$ wt% 첨가시편의 주파수 10 MHz에서의 인덕턴스 값이 3.7$\mu$H로 0.3 wt% 첨가 시편의 4.2 $\mu$H보다 작게 나타났는데, 이는 Ag와 Cu의 석출량이 많아짐에 따라 잔류응력 발생이 심화되기 때문으로 생각된다 또한 $V_2O_{5}$ 0.5 wt% 첨가한 시편의 경우 소결온도가 증가함에 따라 품질계수 값이 감소하였는데, 이 결과도 페라이트 입계에서의 Ag나 Cu의 금속성분의 석출량 증가 및 과대입자성장에 의한 입자크기 증대로 인하여 전체 전기비저항이 감소되기 때문인 것으로 생각된다. 결론적으로 자기적 특성을 고려할 때 0.3 wt%가 적정 첨가량으로 나타났다.

경북 동해안 환경에서 분리된 V. parahaemolyticus 및 V. vulnificus의 생태학적 및 항생제 감수성 특성 (Environmental and Antimicrobial Characteristics of Vibrio spp. Isolated from Fish, Shellfish, Seawater and Brackish water samples in Gyeongbuk Eastern Coast)

  • 손진창;박승우;민경진
    • 한국환경보건학회지
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    • 제29권2호
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    • pp.94-102
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    • 2003
  • This study was carried out to investigated the distribution and characteristics of Vibrio spp. isolated from fish and shellfish, seawater and brackish water samples collected from Pohang, Uljin, Yeongduk and Gyeongju in Gyeongbuk Province from April 2000 to October 2000. Total 155 strains of genus Vibrio were isolated from 439 collected samples, and numbers of isolated strains of V. parahaemolyticus and V. vulnificus were 140 and 15, respectively. The isolation rate from the samples collected in Pohang was the highest as 41.5% (76 strains), and wat the highest as 71.4% (30 strains) in brackish water, and was the highest as 55.7% (34 strains) in August. And the optimal pH, temperature, and NaCl concentration for growth of V. parahaemolyticus and V. cholerae were 8.0, 3$0^{\circ}C$ and 2.0%, respectively. In a resistance test for environmental factors, heat and cold resistants of V. parahaemolyticus were higher than those of V. vulnificus, withstanding for 15 minutes at 6$0^{\circ}C$ and 6 days at -18$^{\circ}C$. The pH range for existence of V. parahaemolyticus and V. vulnificus were 4.5~l1.0 and 4.5~10.0, showing the similar resistance to pH. V. parahaemolyticus and V. vulnificus could grow in media containing up to 10.0% and 7.0% NaCl, respectively, Salt-tolerance of V. parahaemolyticus was higher than that of V. vulnificus. In an antibiotics sensitivity test against 16 strains of V. parahaemolyticus, twelve strains were resistant to ampicillin, eight strains were resistant to cephalothin. one strain was resistant to streptomycin, and one strain was resistant to ticarcillin.

Effect of Temperature on Seed Germination of Korean Native Viola Species

  • Lee, Cheol-Hee;Hwang, Ju-Kwang
    • 한국자원식물학회지
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    • 제19권6호
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    • pp.700-705
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    • 2006
  • Present studies were performed to determine the physiology of seed germination in Viola species native to Korea. Twelve species, 1 variety and 1 form were collected, classified and used as materials: V. collina, V. blandaefomis, V. rosii, V. chaerophylloides, V. phalacrocarpa, V. patrinii, V. mandshurica, V. mandshurica for. albescence, V. seoulensis, V. yedoensis, V. keiskei, V. variegata, V. variegata var. chinensis, and V. verecunda. V. tricolor 'Helen Mount' was also used to compare wild with cultivated species. In order to investigate the effect of temperature on seed germination, seeds stored at $4{\pm}2^{\circ}C$ for 10 months or 4 years were incubated at 10, 15, 20, $25^{\circ}C$ under 16h illumination with 4 replicates per treatment. Seeds which had not germinated at $10^{\circ}C$ were transferred to $30^{\circ}C$ to assess the effect of temperature change in germination. Germination percent and the days of first, 40% and 80% germination were assessed. Capability of seed germination varied with taxon; Species belonging to subsection Patellares had high ability of germination, compared to species in the other subsections, and series Chinensis was the best among subsection Patellares. Species capable of high germination germinated in all temperatures with reasonably high germination rate, but the other species responded sensitively to temperature with different germination patterns. Higher the temperature, shorter the incubation time required for first, 40% and 80% of germination. Therefore, high temperature was effective in almost all species, not only for inducing high rate of germination but also the uniformity of germination. Temperature change from $10^{\circ}C\;to\;30^{\circ}C$ had a positive effect on seed germination.

Mini-jar fermentor Scale에서의 Fusant의 Ethanol 발효 (Ethanol Fermentation of Fusant between Heterologous Transformant of Saccharomyces cerevisiae and Candida tropicalis in Mini-jar Fermentor Scale)

  • Seu, Jung-Hwn;Kim, Young-Ho
    • 한국미생물·생명공학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.8-13
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    • 1989
  • Transformant TSD-14와 C. tropicalis간의 이속 간 융합체인 FSC-14-75의 산업적 이용가능성을 검토하기 위하여 mini-jar fermentor(working volume=2.5liters)를 사용하여 ethanol 발효의 최적조건 및 ethanol productivity를 조사하였다. Thermamyl(u-amylase, Novo Co.)로서 액화시킨 liquefied potato starch를 15%, 20%, 25% 농도로서 발효를 한 경우 총당에 대해 약 80%의 발효율을 나타내었으며 이는 yeast extract의 첨가에 의해 향상되었다. Ethanol 발효조건으로는 pH 4.2가 pH 5.5에 비해 효과적이었으며, seed volume을 공업적 수준인 10%로 하면 4일만에 20%의 liquefied potato starch로부터 11.0%(v/v)의 ethanol을 생성하여 현재의 공업적 사용균주의 성적에 필적할만 하였다. 또한 본 균주는 현재의 공업적 ethanol 발효생산에서 발효기질로 실제 이응하고 있는 Cassava starch 혹은 barley 및 sweet potato starch 등을 원료로 하였을 때도 8.5%(v/v) 및 7.6%(v/v)의 ethanol을 직접적으로 발효 생산하였으며, 한편 이와 같은 raw starch를 원료로 할 경우는 yeast extract를 첨가하지 않아도 무방하여 이상의 결과로 본 효모균주는 당화, 발효를 동시에 찰 수 있는 효모로서 공업적 이용이 가능할 것으로 기대되었다.

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