The thermoelectric power, dc conductivity and magnetic properties of the cubic L $a_{2}$ 3/Ti $O_{2.84}$ were investigated. The thermoelectric power was negative below 350 K. The measured thermoelectric power of L $a_{2}$ 3/Ti $O_{2.84}$ increased linearly with temperature, in agreement with model proposed by Emin and Wood, and was represented by A+BT. Temperature dependence indicates that the charge carrier in this material is a small polaron. L $a_{2}$ 3/Ti $O_{2.84}$ exhibited a cross over from variable range hopping to small polaron hopping conduction at a characteristic temperature well below room temperature. The low temperature do conduction mechanism in L $a_{2}$ 3/Ti $O_{2.84}$ was analyzed using Mott's approach. Mott parameter analysis gave values for the density of state at Fermi level [N( $E_{F}$)] = 3.18${\times}$10$^{20}$ c $m^{-3}$ e $V^{-1}$ . The disorder energy ( $W_{d}$) was found to be 0.93 eV, However, it was noted that the value of the disorder energy was much higher than the high temperature activation energy. The exist linear relation between log($\sigma$T)와 1/T in the range of 200 to 300 K, the activation energy for small polaron hopping was 0.15 eV.
This work focuses on the electrical conduction mechanism in a lead free ($Na_{0.5}K_{0.5}NbO_3$ ; NKN) ceramics system with $LiNbO_3$ content of approximately critical concentration $x{\geq}0.2$. Lead free $(1-x)(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3-x(LiNbO_3)$, $NKN-LN_x$ (x = 0.1, 0.2) ceramics were synthesized by solid-state reaction method. Crystal structures are confirmed by X-ray diffraction. The electric-mechanical bond coefficient $k_p$ decreases and the phase transition temperature $T_c$ increases with increasing x content, as determined by dielectric and piezoelectric measurements. The value of the real dielectric constants ${\varepsilon}^{\prime}$ and $k_BT{\varepsilon}^{\prime\prime}$ showed anomalies around $T_c$ ($462^{\circ}C$ in the NKN-LN0.1 and $500^{\circ}C$ in the NKN-LN0.2). For the ionic conduction of mobile ions, the activation energies are obtained as $E_I=1.76eV$ (NKN-LN0.1) and $E_I=1.55eV$ (NKN-LN0.2), above $T_c$, and $E_{II}=0.78$ (NKNL-N0.1) and $E_{II}=0.81$ (NKN-LN0.2) below $T_c$. It is believed that the conduction mechanisms of NKN-LNx ceramics are related to ionic hopping conduction, which may arise mainly due to the jumping of $Li^+$ ions.
In this exploration, the nuclear magnetic resonance of the $^{207}Pb$ nucleus in $PbWO_4:Mn^{2+}$ and $PbWO_4:Dy^{3+}$ Single Crystals using FT-NMR spectrometer is investigated. The line width of the resonance line for the $^{207}Pb$ nucleus decreases as temperature increases due to motional narrowing. The chemical shift of $^{207}Pb$ NMR spectra also increases as temperature decreases for both crystals. The spinlattice relaxation times $T_1$ of $^{39}K$ nucleus were calculated as a function of temperature (180 K~400 K). The $T_1$ of $^{207}Pb$ nucleus decreases as temperature increases. The dominant relaxation mechanism at the studied temperature range can be deduced as the Raman process, which is the coupling between lattice vibrations and the nuclear spins. This deduction is substantiated by the fact that the nuclear spin-lattice relaxation rate $1/T_1$ of the $^{207}Pb$ nucleus in $PbWO_4:Mn^{2+}$ and $PbWO_4:Dy^{3+}$ single crystal is proportional to $T^2$, or temperature squared. The activation energies for the $^{207}Pb$ nucleus in $PbWO_4:Mn^{2+}$ and $PbWO_4:Dy^{3+}$ single crystals are $E_a=49{\pm}1meV$ and $E_a=47{\pm}2meV$, respectively.
Graphene is one of the strongest, stiffest, and lightest nanoscale materials known to date, making it a potentially viable and attractive candidate for developing lightweight structural composites to prevent high-velocity ballistic impact, as commonly encountered in defense and space sectors. In-plane twist in bilayer graphene has recently revealed unprecedented electronic properties like superconductivity, which has now started attracting the attention for other multi-physical properties of such twisted structures. For example, the latest studies show that twisting can enhance the strength and stiffness of graphene by many folds, which in turn creates a strong rationale for their prospective exploitation in high-velocity impact. The present article investigates the ballistic performance of twisted bilayer graphene (tBLG) nanostructures. We have employed molecular dynamics (MD) simulations, augmented further by coupling gaussian process-based machine learning, for the nanoscale characterization of various tBLG structures with varying relative rotation angle (RRA). Spherical diamond impactors (with a diameter of 25Å) are enforced with high initial velocity (Vi) in the range of 1 km/s to 6.5 km/s to observe the ballistic performance of tBLG nanostructures. The specific penetration energy (Ep*) of the impacted nanostructures and residual velocity (Vr) of the impactor are considered as the quantities of interest, wherein the effect of stochastic system parameters is computationally captured based on an efficient Gaussian process regression (GPR) based Monte Carlo simulation approach. A data-driven sensitivity analysis is carried out to quantify the relative importance of different critical system parameters. As an integral part of this study, we have deterministically investigated the resonant behaviour of graphene nanostructures, wherein the high-velocity impact is used as the initial actuation mechanism. The comprehensive dynamic investigation of bilayer graphene under the ballistic impact, as presented in this paper including the effect of twisting and random disorder for their prospective exploitation, would lead to the development of improved impact-resistant lightweight materials.
Using modified technique of Schmidt et al, as described previously (Korean J. Pharmacol 9 : 17, 1973), the stomach of female rats were perfused with physiological saline under urethane anesthesia. The acid-secretory response of the perfused stomach to i.v. hypertonic glucose (50%), casein hydrolysate (20%) or saline (6%) solution were studied with or without histamine or methacholine stimulation. A significant decrease of acid secretion from the rat stomach was induced by i.v. hypertonic glucose or saline solution. The histamine-stimulated acid secretion was also decreased by simultaneous administration of the hypertonic glucose or saline. However, methacholine-stimulated acid response was not affected by the hypertonic glucose. Intravenous infusion of 20% casein hydrolysate solution resulted in an increase in acid output from the stomach under histamine stimuli. These results lead to the conclusion that the inhibitory responses of acid secretion due to i.v. hypertonic glucose solution are brought through the effect of histaminergic, not cholnergic mechanism(s) in the gastric secretion.
Circulating lymphocytes collected from control and heat-stressed buffaloes were subjected to in vitro culture with glucocorticoids, epinephrine or serotonin and their effect, if any, on the release of intracellular prolactin (PRL) was studied using ELISA and C-ELISA techniques. It was noted from the study that PRL level was higher in lymphocytes than in plasma of the control and heat-stressed animals, and that the PRL levels increased in the plasma of heat-stressed animals compared to that of non stressed animals with a significant decrease in lymphocytic PRL content by heat stress. Epinephrine and serotonin significantly increased the release of intracellular PRL from the lymphocytes of both in the control and the heat-stressed buffaloes but release of PRL from lymphocyte was not significantly changed by cortisol treatment in both control and heat-stressed buffaloes as compared to epinephrine and serotonin in vitro. When lympocytes were incubated with serotonin, it caused drastic lysis of the lymphocytes but epinephirine and cortisol did not show any lysis. It may be concluded from this study that hormones like epinephrine or serotonin known to increase during stress, release intracellular PRL from lymphocytes, the satellite PRL storage/synthesizing organ of blood, although the mechanism of the release is different.
We have investigated the Josephson vortex dynamics in $Bi_2Sr_2CaCu_2O{8+\delta}$ intrinsic Josephson junctions subjected to a magnetic field parallel to $CuO_2$ planes. We investigated mesas with $40\times40{\mu}m^2$ in size and containing 6 and 20. intrinsic junctions. The zero field I-V characteristics exhibited a typical hysteretic, multi-branched nature of the intrinsic Josephson effect. At high magnetic fields (H>1.5 T), I-V characteristics showed flux flow steps. The Swihart velocity obtained from this observation was about $4.2\times10^5$ m/s, which was the lowest mode electromagnetic wave velocity of N coupled stack. The experimental I-V curves fitted well into the simple model of Cherenkov radiation including Ohmic and non-linear dissipation terms. This suggests that the dissipation mechanism of Josephson vortex be due to both Cherenkov radiation and quasiparticle tunneling current.
Estimating dimensions of attractors are the most basic tools to analyze properties of chaotical dynamic systems. In this paper, we estimate correlation dimensions of meteorological variables, such as wind speed (v) and temperature (T) observed in Kimhae International Airport when the land-sea breeze circulation is appeared and find low non-integer values that reflect the deterministic chaos characterizing the dynamics. We compare the results with the correlation dimensions of 2-dimensional model that is calculated by finite element method. Though the correlation dimensions of the calculated wind speed ( v) are less than those of the observed wind speed ( v), we can suggest that the land-sea breeze circulation has not a unique mechanism. The land-sea breeze phenomenon is a complicated dynamics, which is constructed with various scale motions of atmosphere. In further research, we hope to find more accurate dynamics of land-sea breeze through wide observations and using of more sophisticated prediction models.
Kim, K.W.;Prokhorov, V.G.;Flis, V.S.;Park, J.S.;Eom, T.W.;Lee, Y.P.;Svetchnikov, V.L.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.226-226
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2010
Microstructure, magnetic and transport properties of as-deposited electron-doped $La_{1-x}Ce_xMnO_3$ and hole-doped $La_{1-x}Ce_xMnO_3$ films prepared by pulse laser deposition, with x = 0.1 and 0.3, have been investigated. The microstructural analysis reveals that the $La_{1-x}Ce_xMnO_3$ films have a column-like microstructure and a strip-domain phase with a periodic spacing of about 3c, which were not found for the $La_{1-x}Ce_xMnO_3$ ones. At the same time, the experimental results manifest that there is no fundamental difference in the magnetic and the transport properties between electron- and hole-doped manganite films, except the appearance of ferromagnetic response in the low-doped $La_{0.9}Ce_{0.1}MnO_3$ film at temperatures above the Curie point. The observed magnetic behavior, typical for the Griffiths-like phase, for this film is explained by the percolation mechanism of the ferromagnetic transition and by the presence of strip-domain phase which stimulates the magnetic phase separation.
Park, Yong-Jun;Paik, Jong-Hoo;Lee, Young-Jin;Jeong, Young-Hun;Nahm, Sahn
Korean Journal of Materials Research
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v.18
no.4
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pp.169-174
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2008
The structural and electrical properties of amorphous $BaSm_2Ti_4O_{12}$ (BSmT) films on a $TiN/SiO_2/Si$ substrate deposited using a RF magnetron sputtering method were investigated. The deposition of BSmT films was carried out at $300^{\circ}C$ in a mixed oxygen and argon ($O_2$ : Ar = 1 : 4) atmosphere with a total pressure of 8.0 mTorr. In particular, a 45 nm-thick amorphous BSmT film exhibited a high capacitance density and low dissipation factor of $7.60\;fF/{\mu}m2$ and 1.3%, respectively, with a dielectric constant of 38 at 100 kHz. Its capacitance showed very little change, even in GHz ranges from 1.0 GHz to 6.0 GHz. The quality factor of the BSmT film was as high as 67 at 6 GHz. The leakage current density of the BSmT film was also very low, at approximately $5.11\;nA/cm^2$ at 2 V; its conduction mechanism was explained by the the Poole-Frenkel emission. The quadratic voltage coefficient of capacitance of the BSmT film was approximately $698\;ppm/V^2$, which is higher than the required value (<$100\;ppm/V^2$) for RF application. This could be reduced by improving the process condition. The temperature coefficient of capacitance of the film was low at nearly $296\;ppm/^{\circ}C$ at 100 kHz. Therefore, amorphous BSmT grown on a TiN substrate is a viable candidate material for a metal-insulator-metal capacitor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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