Aluminum nitride(AlN) is a compound (III-V group) of hexagonal system with a crystal structure. Its Wurzite phase is a very wide band gap semiconductor material. It has not only a high thermal conductivity, a high electrical resistance, a high electrical insulating constant, a high breakdown voltage and an excellent mechanical strength but also stable thermal and chemical characteristics. This study is on the preferred orientation characteristics of AlN thin films by reactive evaporation using $NH_3$. We have manufactured an AlN thin film and then have checked the crystal structure and the preferred orientation by using an X-ray diffractometer and have also observed the microstructure with TEM and AlN chemical structure with FT-IR. We can manufacture an excellent AlN thin film by reactive evaporation using $NH_3$ under 873 K of substrate temperature. The AlN thin film growth is dependent on Al supplying and $NH_3$ has been found to be effective as a source of $N_2$. However, the nuclear structure of AlN did not occur randomly around the substrate a particle of the a-axis orientation in fast growth speed becomes an earlier crystal structure and is shown to have an a-axis preferred orientation. Therefore, reactive evaporation using $NH_3$ is not affected by provided $H_2$ amount and this can be an easy a-axis orientation method.
The electromagnetic and thermal properties of a heavy fermion $CeNi_2Ge_2$ are investigated using first-principle methods with local density approximation (LDA) and fully relativistic approaches. The Ce f-bands are located near the Fermi energy $E_F$ and hybridized with the Ni-3d states. This hybridization plays important roles in the characteristics of this material. The fully relativistic approach shows that the 4f states split into $4f_{7/2}$ and $4f_{5/2}$ states due to spin-orbit coupling effects. It can be found that within the LDA calculation, the density of states near the Fermi level are mainly of Ce-derived 4f states. The Ni-derived 3d states have high peaks around -1.7eV and spreaded over wide range around the Fermi level. The calculated magnetic of $CeNi_2Ge_2$ with LDA method does not match with that of experimental result because of strong correlation interaction between electrons in f orbitals. The calculations show that the specific heat coefficient underestimates the experimental value by a factor of 19.1. The discrepancy between the band calculation and experiment for specific heat coefficient is attributed to the formation of a quasiparticle. Because of the volume contraction, the exchange interaction between the f states and the conduction electrons is large in $CeNi_2Ge_2$, which increases the quasiparticle mass. This will result in the enhancement of the specific hear coefficient.
Current synthesis processes for titanium dioxide ($TiO_2$) nanoparticles require expensive precursors or templates as well as complex steps and long reaction times. In addition, these processes produce highly agglomerated nanoparticles. In this study, we demonstrate a simple and continuous approach to synthesize $TiO_2$ nanoparticles by a salt-assisted ultrasonic spray pyrolysis method. We also investigate the effect of salt content in a precursor solution on the morphology and size of synthesized products. The synthesized $TiO_2$ nanoparticles are systematically characterized by X-ray diffraction, transmission electron micrograph, and UV-Vis spectroscopy. These nanoparticles appear to have a single anatase phase and a uniform particle-size distribution with an average particle size of approximately 10 nm. By extrapolating the plots of the transformed Kubelka-Munk function versus the absorbed light energy, we determine that the energy band gap of the synthesized $TiO_2$ nanoparticles is 3.25 eV.
$Dy^{3+}$ and $Eu^{3+}$-co-doped $La_2MoO_6$ phosphor thin films were deposited on sapphire substrates by radio-frequency magnetron sputtering at various growth temperatures. The phosphor thin films were characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy, ultraviolet-visible spectroscopy, and fluorescence spectrometry. The optical transmittance, absorbance, bandgap, and photoluminescence intensity of the $La_2MoO_6$ phosphor thin films were found to depend on the growth temperature. The XRD patterns demonstrated that all the phosphor thin films, irrespective of growth temperatures, had a tetragonal structure. The phosphor thin film deposited at a growth temperature of $100^{\circ}C$ indicated an average transmittance of 85.3% in the 400~1,100 nm wavelength range and a bandgap energy of 4.31 eV. As the growth temperature increased, the bandgap energy gradually decreased. The emission spectra under ultraviolet excitation at 268 nm exhibited an intense red emission line at 616 nm and a weak emission line at 699 nm due to the $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ and $^5D_0{\rightarrow}^7F_4$ transitions of the $Eu^{3+}$ ions, respectively, and also featured a yellow emission band at 573 nm, resulting from the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ transition of the $Dy^{3+}$ ions. The results suggest that $La_2MoO_6$ phosphor thin films can be used as light-emitting layers for inorganic thin film electroluminescent devices.
Optical filters to control light wavelength of displays or cameras are fabricated by multi-layer stacking process of low and high index thin films. The process of multi-layer stacking of thin films has received much attention as an optimal process for effective manufacturing in the optical filter industry. However, multi-layer processing has disadvantages of complicated thin film process, and difficulty of precise control of film morphology and material selection, all of which are critical for transmittance and coloring effect on filters. In this study, the composite $TiO_2$, which can be used to control of UV absorption, coated on nano hollow silica sol, was synthesized as a coating material for optical filters. Furthermore, systematic analysis of the process parameters during the chemical reaction, and of the structural properties of the coating solutions was performed using SEM, TEM, XRD and photo spectrometry. From the structural analysis, we found that the 85 nm nano hollow silica with 2.5 nm $TiO_2$ shell formation was successfully synthesized at proper pH control and titanium butoxide content. Photo luminescence characteristics, excited by UV irradiation, show that stable absorption of 350 nm-light, correlated with a 3.54 eV band gap, existed for the $TiO_2$ shell-nano hollow silica reacted with 8.8 mole titanium butoxide solution. Transmittance observed on substrate of the $TiO_2$ shell-nano hollow silica showed effective absorption of 200-300 nm UV light without deterioration of visible light transparency.
Bacillus sp. BS2 showing strong fibrinolytic activity was isolated from sea squirt (munggae) jeotgal, a traditional Korean fermented seafood. BS2 was identified as B. velezensis by molecular biological methods. B. velezensis BS2 grows well at 15% NaCl and at $10^{\circ}C$. When B. velezensis BS2 was cultivated in TSB broth for 96 h at $37^{\circ}C$, the culture showed the highest fibrinolytic activity ($131.15mU/{\mu}l$) at 96 h. Three bands of 27, 35 and 60 kDa were observed from culture supernatant by SDS-PAGE, and fibrin zymography showed that the major fibrinolytic protein was the 27 kDa band. The gene (aprEBS2) encoding the major fibrinolytic protein was cloned, and overexpressed in heterologous hosts, B. subtilis WB600 and E. coli BL21 (DE3). B. subtilis transformant showed 1.5-fold higher fibrinolytic activity than B. velezensis BS2. Overproduced AprEBS2 in E. coli was purified by affinity chromatography. The optimum pH and temperature were pH 8.0 and $37^{\circ}C$, respectively. $K_m$ and $V_{max}$ were 0.15 mM and $39.68{\mu}M/l/min$, respectively, when N-succinyl-Ala-Ala-Pro-Phe-pNA was used as the substrate. AprEBS2 has strong ${\alpha}$-fibrinogenase and moderate ${\beta}$-fibrinogenase activity. Considering its high fibrinolytic activity, significant salt tolerance, and ability to grow at $10^{\circ}C$, B. velezensis BS2 can be used as a starter for jeotgal.
Near-Earth objects consist of a mixture of bodies originated from outer solar system and main asteroidal belt, which are recognized as comets and near-Earth asteroids. In principal, they have orbits distinguishable by their orbital elements. It is, however, that some comets are recognized as asteroids because they could have lost the most of volatile materials in their subsurface layers. Due to their asteroidal appearances, it has been challenging to discriminate such dormant comets from a list of known asteroids. Here we propose to utilize polarimetric technique for finding such dormant comets. We thus conducted a polarimetric observations of three candidates of dormant comet nuclei, (331471) 1984 QY1, (3552) Don Quixote and (944) Hidalgo, by using the 1.6-m Pirka Telescope at the Nayoro observatory (operated by Hokkaido University, Japan). We selected these asteroids in comet-like orbits (ACOs) based on the orbital elements (i.e., the Tisserand parameter with respect to Jupiter TJ < 3). We found that 1984 QY1 has a polarimetric albedo (geometric albedo determined via polarimetry) pV = 0.16 +/- 0.06 while both Don Quixote and Hidalgo have Rc-band polarimetric albedos pR < 0.05. In accordance with the polarimetric result together with a dynamical analysis, we surmised that 1984 QY1 could be an S-type asteroid evolved into the current orbit via 3:1 mean motion resonance with Jupiter. On the contrary, the previous spectroscopic studies indicated that Don Quixote and Hidalgo are classified into D-type taxonomic group, which are typical of comet nuclei. In this presentation, we will introduce our polarimetric observations of ACOs and emphasize that polarimetry is powerful for discriminating the asteroidal and cometary origins.
ZnO single layer (60 nm thick) and ZnO with Ag interlayer (ZnO/Ag/ZnO; ZAZ) films were deposited on the glass substrates by using radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputter to evaluate the effectiveness of Ag interlayer on the optical visible transmittance and the conductivity of the films. In the ZAZ films, the thickness of ZnO layers was kept at 30 nm, while the Ag thickness was varied as 5, 10, 15 and 20 nm. In X-ray diffraction (XRD) analysis, ZnO films show the (002) diffraction peak and ZAZ films also show the weak ZnO (002) peak and Ag (111) diffraction peak. As a thickness of Ag interlayer increased to 20 nm, the grain size of the Ag films enlarged to 11.42 nm and the optical band gap also increased from 4.15 to 4.22 eV with carrier concentration increasing from 4.9 to 10.5×1021 cm-3. In figure of merit measurements, the ZAZ films with a 10 nm thick Ag interlayer showed the higher figure of merit of 4.0×10-3 Ω-1 than the ZnO single layer and another ZAZ films. From the experimental result, it is assumed that the Ag interlayer enhanced effectively the opto-electrical performance of the ZAZ films.
We prepared a CsPbI2Br solution using Cesium iodide (CsI), Lead (II) bromide (PbBr2) and Lead (II) iodide (PbI2) materials into a polar solvent mixture of N,N-dimethylformamide (DMF) and Dimethyl sulfoxide (DMSO). A simple spin coating technique was used for the fabrication of CsPbI2Br absorber layer in the solution process. In order to prepare uniform coating of absorber film we adopted a hot-air process in assocation with the spin coating. It was confirmed that the thin film manufactured by the hot-air process had a higher absorption rate than that without it, and the optical band gap was measured 1.93 eV. The thin film of absorber was uniformly prepared and revealed the Black α-Cubic crystal phase as proved through X-ray diffraction analysis. Finally, a perovskite solar cell having an n-i-p structure was manufactured with a CsPbI2Br perovskite absorption layer. From the solar cell, we obtained a power conversion efficiency (PCE) of 5.97% in a forward measurement.
The effects of the growth temperature on the structural, optical, and morphological properties of BaWO4:Sm3+ phosphor thin films were investigated. The BaWO4:Sm3+ thin films were grown on quartz substrates at several growth temperatures by radio-frequency magnetron sputtering. All the thin films crystallized in a tetragonal structure with a main BaWO4 (112) diffraction peak. The 830 nm-thick BaWO4:Sm3+ thin films grown at 300 ℃ exhibited numerous polygon-shaped particles. The excitation spectra of BaWO4:Sm3+ thin films consisted of a broad excitation band in the 200-270 nm with a maximum at 236 nm due to the O2--Sm3+ charge transfer and two small bands peaked at 402 and 463 nm, respectively. Under 236 nm excitation, the BaWO4:Sm3+ thin films showed an intense red emission peak at 641 nm due to the 4G5/2→6H9/2 transition of Sm3+, indicating that the Sm3+ ions occupied sites of non-inversion symmetry in the BaWO4 host lattice. The highest emission intensity was observed for the thin film grown at 300 ℃, with a 51.8% transmittance and 5.09 eV bandgap. The average optical transmittance in the wavelength range of 500-1100 nm was increased from 53.2% at 200 ℃ to 60.8% after growing at 400 ℃. These results suggest that 300 ℃ is the optimum temperature for growing redemitting BaWO4:Sm3+ thin films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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