• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제13권1호
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• pp.11-17
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• 1992

Vibration-to-vibration energy transfer probabilities for $HF(v=n)+H_2(v=0){\to}HF(v=n-1)+H_2(v=1)$ and $DF(v=n)+D_2(v=0){\to}DF(v=n-1)+D_2(v=1)$ including both the vibration-to-vibration and translation (V-V, T) and vibration-to-vibration and rotation (V-V, R) energy transfer paths have been calculated semiclassically using a simplified collision model and Morse-type intermolecular interaction potential. The calculated results are in reasonably good agreement with those obtained by experimental studies. They also show that the transition processes for $HF(v=1-3)+H_2(v=0){\to}HF(v=0-2)+H_2(v=1)$ and $DF(v=1,\;4)+D_2(v=0){\to}DF(v=0,\;3)+D_2(v=1)$ are strongly dependent on the V-V, T path at low temperature but occur predominantly via the V-V, R path with rising temperature. The vibration-to-vibration energy transfer for $HF(v=4)+H_2(v=0){\to}HF(v=3)+H_2(v=1)$ and $DF(v=2-3)+D_2(v=0){\to}DF(v=1-2)+D_2(v=1)$ occur predominantly via V-V, R path and V-V, T path through whole temperatures, respectively.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2019년도 춘계학술대회
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• pp.323-324
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• 2019

Ge-MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 구조를 가진 플레쉬 메모리 소자에 대해 프로그래밍 전압에 따른 문턱 전압의 변화를 조사했다. 프로그래밍 전압은 10V, 12V, 15V, 16V, 17V을 인가하였고 1초 동안 프로그래밍을 진행했다. 10V에서 12V까지는 문턱전압은 약 0.5V로 프로그램 전과 크게 다르지 않고, 15V, 16V, 17V에서 문턱전압이 각각 1.25V, 2.01V, 3.84V로 프로그램 전과 0.75V, 1.49V, 3.44V 차이가 발생했다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권12호
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• pp.1336-1336
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• 1998

2단계 열탄소환원법으로 탄화규소 휘스커를 Ar과 H2분위기에서 기상-고상, 2단계, 기상-액상-고상 성장기구를 통해 각각 합성하였다. Ar분위기에서 탄화규소 휘스커는 다음과 같은 반응기구로 성장하였다. SiO2(S)+C(s)-SiO(v)+CO(v) SiO(v)3CO(v)=SiC(s)whisker+2CO2(v) 2C(s)+2CO2(v)=4CO(v) 이때 전체 반응속도는 세번째 반응에 참여하는 탄소에 의해 지배되었다. 따라서 이 반응이 휘스커 합성의 율속반응으로 판단되었다. 한편 H2 분위기에서 탄화규소 휘스커는 다음과 같은 반응기구로 성장하였다.SiO2(s)+C(s)=SiO(v)+CO(v) 2C(s)+4H2(v)=2CH4(v) SiO(v)+2CH4(v)=SiC(s)whisker+CO(v)+4H2(v) 이때 전체 반응속도는 SiO(v) 기체의발생 속도에 의해 지배되었다. 따라서 첫번째 반응이 휘스커 합성의 율속 반응인 것으로 판단되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권11호
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• pp.41-47
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• 2011

산업용 표준 센서 신호처리를 위해 다양한 입력신호를 5V 전압 출력으로 변환하는 새로운 디지털 계측 증폭기(DIA)를 설계하였다. 이 계측 증폭기는 상용의 계측증폭기, 7개의 아날로그 스위치, 2개의 1.0V와 -10.0V의 기준전압, 그리고 4개의 저항기로 구성된다. 신호 변환원리는 입력신호에 따라 저항기와 기준전압을 디지털적으로 선택하여 5V의 출력전압을 얻도록 회로 구성을 바꾸는 것이다. 시뮬레이션 결과 DIA는 0V~5V, 1V~5V, -10V~+10V, 그리고 4mA~20mA의 입력신호에 대하여 우수한 0~5V 출력전압 특성을 얻을 수 있다는 것을 확인하였다. 4가지 입력 신호에 대하여 비선형오차는 0.1%이하이다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권2호
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• pp.239-244
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• 2017

We experimentally investigate the physical mechanism for asymmetrical degradation in amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) under simultaneous gate and drain bias stresses. The transfer curves exhibit an asymmetrical negative shift after the application of gate-to-source ($V_{GS}$) and drain-to-source ($V_{DS}$) bias stresses of ($V_{GS}=24V$, $V_{DS}=15.9V$) and ($V_{GS}=22V$, $V_{DS}=20V$), but the asymmetrical degradation is more significant after the bias stress ($V_{GS}$, $V_{DS}$) of (22 V, 20 V) nevertheless the vertical electric field at the source is higher under the bias stress ($V_{GS}$, $V_{DS}$) of (24 V, 15.9 V) than (22 V, 20 V). By using the modified external load resistance method, we extract the source contact resistance ($R_S$) and the voltage drop at $R_S$ ($V_{S,\;drop}$) in the fabricated a-IGZO TFT under both bias stresses. A significantly higher RS and $V_{S,\;drop}$ are extracted under the bias stress ($V_{GS}$, $V_{DS}$) of (22 V, 20V) than (24 V, 15.9 V), which implies that the high horizontal electric field across the source contact due to the large voltage drop at the reverse biased Schottky junction is the dominant physical mechanism causing the asymmetrical degradation of a-IGZO TFTs under simultaneous gate and drain bias stresses.

• 충청수학회지
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• 제24권3호
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• pp.609-616
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• 2011

Observing that $vX{\times}vY$ is a Wallman realcompactification of $X{\times}Y$ if $v(X{\times}vY)=vX{\times}vY$, we show that $v(X{\times}Y)=vX{\times}vY$ if and only if $X{\times}Y$ is z-embedded in $vX{\times}vY$ and $vX{\times}vY$ is a Wallman compactification of $X{\times}Y$.

• 생물환경조절학회지
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• 제10권2호
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• pp.75-79
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• 2001

초장과 화경장은 'Casa Blanca'의 경우 Pt:Rrh:Ve(1:1:1, v.v$^{-1}$) 처리구에서 증가되었고, 화경의 낮은 부위의 고사엽수는 Rpt:Pe:Rrh(1:1:1, v.v$^{-1}$) 처리구에서 감소되었다. 'Marco Polo'의 초장과 화경장은 Pt:Rrh(1:1, v.v$^{-1}$) 처리구에서 대조구에 비해 증가되었고, 고사엽수는 Rpt:Pe;Rrh(1:1:1, v.v$^{-1}$) 처리구에서 다른 처리구에 비해 증가되었다. 개화는 'Casa Blanca'의 경우 Pt:Pe:Ve(1:1:1, v.v$^{-1}$) 처리구에서 'Marco Polo'의 경우는 Pt:Rrh:Ve(1:1:1, v.v$^{-1}$)의 처리구에서 상당히 촉진되었다. 꽃의 길이는 'Casa Blanca'의 경우 'Rpt:Pe:Rrh(1:1:1, v.v$^{-1}$)'처리구에서, 'Marco Polo'의 경우는 Pt;Rrh(1:1, v.v$^{-1}$)처리구에서 대조구에 비해 증가되었다. 꽃의 퇴화는 두 품종 모두 Pt 단용처리시 다른 처리구에 비해 증가되었다. 화경의 경도는 'Casa Blanca'의 경우는 Pt:Pe;Ve(1:1:1, v.v$^{-1}$) 처리구에서 특히, 'Marco Polo'의 화경상단부의 경도는 Pt:Rrh(1:1, v.v$^{-1}$) 처리구에서 대조구에 비해 매우 증가되었다. 그러나 일반적으로 'Casa Blanca'의 화경 경도는 재배 배양토에 의해 크게 영향을 받지 않았다.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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• 제13권8호
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• pp.3791-3794
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• 2012

CD44v, especially splice variants containing exon v6, has been shown to be related closely to development of different tumors. High levels of CD44v6/v7 have been reported to be associated with invasiveness and metastasis of many malignancies. The objective of this study was to detect expression of CD44v6-containing variants in patients with acute promyelocytic leukemia (APL) and evaluate the potential of CD44v6/v7 for risk stratification. Reverse transcription polymerase chain reaction (RT-PCR) followed by PCR product purification, ligation into T vectors and positive clone sequencing were used to detect CD44 v6-containing variant isoforms in 23 APL patients. Real-time quantitative PCR of the CD44v6/v7 gene was performed in patients with APL and in NB4 cells that were treated with all-trans retinoic acid (ATRA) or arsenic trioxide ($As_2O_3$). Sequencing results identified four isoforms (CD44v6/v7, CD44v6/v8/v10, CD44v6/v8/v9/v10, and CD44v6/v7/v8/v9/v10) in bone marrow mononuclear cells of 23 patients with APL. The level of CD44v6/v7 in high-risk cases was significantly higher than those with low-risk. Higher levels of CD44v6/v7 were found in three patients with central nervous system relapse than in other patients inthe same risk group. Furthermore, in contrast to ATRA, only $As_2O_3$ could significantly down-regulate CD44v6/v7 expression in NB4 cells. Our data suggest that CD44v6/v7 expression may be a prognostic indicator for APL.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제26권2호
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• pp.157-170
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• 2009

BVRI 표준성 52개를 충북대학교 천문대에서 1-m 망원경과 2K CCD 카메라로 2008년 9-12월 기간에 10일 밤 관측하여 1,322개의 CCD 영상을 얻었다. 우리가 사용한 측광계 bvr과 Johnson-Cousins의 측광계 BVR과 상호 관계를 V = v - 0.0303(B - V) + 0.0466 B - V = 1.3475(b - v) - 0.0251 V - R = 1.0641(v - r) - 0.0125와 같이 구하였다. 이 식을 이용하여 197개 별들의 V, B-V, V-R를 얻었다.

• 대한수학회보
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• 제32권2호
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• pp.179-189
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• 1995

Let $V \subset R^n$ be a convex homogeneous cone which does not contain straight lines, so that the automorphism group $$ G = Aut(R^n, V)^\circ = { g \in GL(R^n) $\mid$ gV = V}^\circ $$ ($\circ$ denoting the identity component) acts transitively on V. A convex cone V is called "self-dual" if V coincides with its dual $$ (1.1) V' = { x' \in R^n $\mid$ < x, x' > > 0 for all x \in \bar{V} - {0}} $$ where $\bar{V}$ denotes the closure of V.sure of V.