Kim, Jong-Hyun;Lim, Yun-Soo;Kim, Sung-Hyun;Jo, Jin-Woo;Jeong, Dae-Yong
Korean Journal of Materials Research
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v.21
no.12
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pp.660-665
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2011
1-D ZnO nanowires have been attractive for their peculiar properties and easy growth at relatively low temperature. The length, diameter, and density of ZnO nanowires were determined by the several synthetic parameters, such as PEI concentration, growth time, temperature, and zinc salt concentration. The ZnO nanowires were grown on the <001> oriented seed layer using the hydrothermal process with zinc nitrate and HMTA (hexamethylenetetramine) and their structure and optical properties were characterized. The morphology, length and diameter of the nanowires were strongly affected by the relative and/or absolute concentration of $Zn^{2+}$ and $OH^{-1}$ and the hydrothermal temperature. When the concentrations of the zinc nitrate HMTA were the same as 0.015 M, the length and diameter of the nanowires were $1.97{\mu}m$ and $0.07{\mu}m$, respectively, and the aspect ratio was 28.1 with the preferred orientation along the <001> direction. XRD and TEM results showed a high crystallinity of the ZnO nanowires. Optical measurement revealed that ZnO nanowires emitted intensive stimulated UV at 376 nm without showing visible emission related to oxygen defects.
ZnMgBeGaO/Ag/ZnMgBeGaO multilayer structures were sputter grown and characterized in detail. Results indicated that the electrical properties of the ZnMgBeGaO films were significantly improved by inserting an Ag layer with proper thickness (~ 10 nm). Structures with thicker Ag films showed much lower optical transmission, although the electrical conductivity was further improved. It was also observed that the electrical properties of the multilayer structure were sizably improved by annealing in vacuum (~35 % at $300^{\circ}C$). The optimum ZnMgBeGaO(20nm)/Ag(10nm)/ZnMgBeGaO(20nm) structure exhibited an electrical resistivity of ${\sim}2.6{\times}10^{-5}{\Omega}cm$ (after annealing), energy bandgap of ~3.75 eV, and optical transmittance of 65 % ~ 95 % over the visible wavelength range, representing a significant improvement in characteristics versus previously reported transparent conductive materials.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.290.2-290.2
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2014
본 연구에서는 스핀코팅방법으로 증착된 ZnO 박막의 Zn-seed 층 열처리에 따른 구조적 광학적 특성에 관한 연구를 수행하였다. ZnO 박막을 증착하기 전, Quartz 기판에 열증착법으로 Zn-seed층을 증착하였고, furnace에서 300, 350, 400, $450^{\circ}C$의 온도로 1시간 동안 열처리하였다. ZnO 박막은 스핀코팅방법으로 5층을 증착한 후, $600^{\circ}C$에서 1시간 동안 후열처리를 하였다. X-ray diffractometer, UV-visible spectrometer, Photoluminescence를 이용하여 ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 ZnO 박막 시료에서 c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO(002)피크와 ZnO(100), ZnO(101) 회절피크가 나타났고, wurtzite 형태의 ZnO 박막이 관찰되었다. Zn-seed층을 $350^{\circ}C$에서 열처리함에 따라 deep-level emission 피크에 대한 near-band-edge emission 피크의 발광세기 비율이 증가하였으나, 온도가 증가함에 따라 점점 감소하였다. 또한, Zn-seed층을 $350^{\circ}C$에서 열처리 하였을 때 가장 높은 광 투과도를 나타내었다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.50-50
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2008
ZnO has been extensively studied for optoelectronic applications such as blue and ultraviolet (UV) light emitters and detectors, because it has a wide band gap (3.37 eV) anda large exciton binding energy of ~60 meV over GaN (~26 meV). However, the fabrication of the light emitting devices using ZnO homojunctions is suffered from the lack of reproducibility of the p-type ZnO with high hall concentration and mobility. Thus, the ZnO-based p-n heterojunction light emitting diode (LED) using p-Si and p-GaN would be expected to exhibit stable device performance compared to the homojunction LED. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducibleavailability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices with low defect density. However, the electroluminescence (EL) of the device using n-ZnO/p-GaN heterojunctions shows the blue and greenish emissions, which are attributed to the emission from the p-GaN and deep-level defects. In this work, the n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg heterojunction light emitting diodes (LEDs) were fabricated at different growth temperatures and carrier concentrations in the n-type region. The effects of the growth temperature and carrier concentration on the electrical and emission properties were investigated. The I-V and the EL results showed that the device performance of the heterostructure LEDs, such as turn-on voltage and true ultraviolet emission, developed through the insertion of a thin intrinsic layer between n-ZnO:Ga and p-GaN:Mg. This observation was attributed to a lowering of the energy barriers for the supply of electrons and holes into intrinsic ZnO, and recombination in the intrinsic ZnO with the absence of deep level emission.
Chang, Han Kwon;Oh, Kyung Jun;Jang, Hee Dong;Cho, Kuk;Kim, Dong-Jin;Choi, Jin Hoon
Particle and aerosol research
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v.6
no.1
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pp.29-35
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2010
Transition metals such as V, Fe, and Ni were used to synthesize doped zinc oxide nanoparticles from mixed liquid precursors by using the flame spray pyrolysis (FSP). The effects of dopants on the powder properties such as morphology, specific surface area, crystal structure, and light adsorption were analyzed by TEM, BET, XRD, and UV-Vis diffuse reflection spectrum (DRS), respectively. The results showed that hexagonal wurtzite structured ZnO:M (M = V, Fe, Ni) nanoparticles were successfully synthesized by the FSP. The transition metal-doping resulted in the decrease in its particle size and crystallite size. The UV-vis absorption spectra of ZnO:M nanoparticles were also red-shifted. ZnO:V showed the highest MB degradation of 99.4% under the UV irradiation after 3 hrs.
Ha, Seon-Yeo;Jung, Mi-Na;Park, Seung-Hwan;Yang, Min;Kim, Hong-Seung;Lee, Uk-Hyeon;Yao, Takafumi;Jang, Ji-Ho
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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v.9
no.1
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pp.1022-1025
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2005
The effect of substrate surface to the formation of ZnO nanostructures has been investigated using Si (111), $Al_2O_3$(C-plane) $Al_2O_3$(A-plane), and $Al_2O_3$(R-plane) substrates. The growth temperature was controlled from 500$^{\circ}C$${\sim}$ 600$^{\circ}C$, and the luminescence properties were investigated by a series of photoluminescence (PL) measurements at the elevating temperatures. ZnO nanostructures grown on Si substrate show strong UV emission intensity along with green emission positioned at 3.22 eV and 2.5 eV, respectively. However, green emission was not observed from the ZnO nanostructures grown on $Al_2O_3$ substrates. It is explained in terms of the difference of the surface energy between Si and $Al_2O_3$. Also, the origin of UV emissions has been discussed by using the temperature-dependent PL. The distinction of the PL spectra is interpreted in terms of the difference of the impurity included in the nanostructures.
In this study, pro-oxidant($d2w^{(R)}$) and rPP/ZnO nanocomposite flexible films for food packaging were prepared, and their mechanical and antimicrobial properties were investigated. As a result, the carbonyl index and hydroxyl index increased with exposured time to heat and UV rays. Surface analysis showed that the addition of zinc oxide improved the dispersibility and compatibility of the polymer, so that the surface of the composite film was smooth and the zinc oxide particles were smaller than the compared film. And it kept the physical properties by heat and UV ray blocking effect, and it worked to reduce decomposition. In the antimicrobial activity test, the microbial reduction rate was 3 logs or more at the use concentration of zinc oxide. The tensile strength was increased and the elongation was decreased. Oxidative degradability of multi-layered film in UV exposured for 72 hours, the molecular weight of the film decreased by 75.6%, 1,294 g/mol Mn and 5,920 g/mol Mw. In the safety analysis of food packaging materials, we obtained that are in standard of polypropylene, a food contact material of domestic law.
Kim, Yeon Ho;Bang, Yeong-Ju;Yoon, Ki Sun;Rhim, Jong-Whan
KOREAN JOURNAL OF PACKAGING SCIENCE & TECHNOLOGY
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v.25
no.3
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pp.69-77
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2019
Agar-based nanocomposite films were prepared by incorporation of zinc oxide nanoparticles (ZnONP) and grapefruit seed extract (GSE). The composite films were characterized using FT-IR, UV-visible spectroscopy and thermalgravimetric analysis (TGA). The composite films showed light absorption peaks at 220 and 380 nm, characteristic for GSE and ZnONP, respectively. The UV-light transmittance of the agar film was markedly reduced from 54.4 ± 1.3% to 5.8 ± 2.5% with little sacrifice of transparency when 3 wt% ZnONP and 5 wt% GSE were added. The mechanical and water vapor barrier properties increased slightly though they were not significant statistically by the addition of ZnONP and GSE. The nanocomposite films showed stronger antibacterial activity against L. monocytogenes than E. coli O157: H7 and the antibacterial activity was affected by bacterial types as well as concentrations of ZnONP and GSE. The nano-composite film incorporated with 3 wt% of ZnONP and 5 wt% of GSE exhibited strong antibacterial activity against Listeria monocytogenes and E. coli O157: H7. The results indicate that 3 wt% of ZnONP and 5 wt% of GSE are the optimal concentrations for producing functional agar/ZnONP/GSE composite films.
Methylene blue (MB) was degraded by $TiO_2$ and ZnO deposited on an activated carbon fiber (ACF) surface under UV light. The ACF/$TiO_2$ and ACF/ZnO composites were characterized by BET, SEM, XRD, and EDX. The BET surface area was related to the adsorption capacity for composites. The SEM results showed that titanium dioxide and zinc oxide are distributed on the ACF surface. The XRD results showed that the ACF/$TiO_2$ and ACF/ZnO composites contained a unique anatase structure for $TiO_2$ and a typical hexagonal phase for ZnO respectively. These EDX spectra showed the presence of peaks of Ti element on ACF/$TiO_2$ composite and peaks of Zn element on the ACF/ZnO composite. The blank experiments for either illuminating the MB solution or the suspension containing ACF/$TiO_2$ or ACF/ZnO in the dark showed that both illumination and the catalyst were necessary for the mineralization of organic dye. Additionally, the ACF/$TiO_2$ composites proved to be efficient photocatalysts due to degradation of MB at higher reaction rates. The addition of an oxidant $([NH_4]_2S_2O_8)$ led to an increase of the degradation rate of MB for ACF/$TiO_2$ and ACF/ZnO composites.
Kim, Seung-Hong;Kim, Sun-Kyung;Kim, So-Young;Kim, Daeil;Choi, Dae-Han;Lee, Byung-Hoon;Kim, Min-Gyu
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.14
no.4
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pp.208-210
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2013
ZnO films were deposited on glass substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering and exposed to intense electron beam irradiation to investigate the effects of electron irradiation on the properties of the films. Although all of the films had ZnO (002) textured structure regardless of electron irradiation, the grain sizes of the films decreased with electron irradiation. Surface roughness also depended on electron irradiation. The surface roughness varied between 2.3 and 1.6 nm, depending on the irradiation energy. Based on photoluminescence (PL) characterization, the most intense UV emission was observed from ZnO films irradiated at 900 eV. Since the intensity of UV emission is dependent upon the stoichiometric of ZnO films, we conclude that 900 eV was the optimum electron irradiation energy to achieve the best stoichiometric of ZnO films in this study.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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