• 제목/요약/키워드: Uv/ZnO

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Study of Photocatalytic Activity and Phostability of ZnO Particles Coated with UV-stable Polydimethylsiloxane

  • Jeong, Myung-Geun;Seo, Hyun-Ook;Kim, Kwang-Dae;Kim, Dae-Han;Kim, Young-Dok;Lim, Dong-Chan
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.188-188
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    • 2012
  • ZnO particles with a size range of 50-150 nm were coated with polydimethylsiloxane (PDMS) with a thin film thickness of 3-4 nm using a simple ambient-pressure chemical vapor deposition methods. Surfaces consisting of the PDMS-coated ZnO nanoparticles were found to be superhydrophobic with a water contact angle higher than $160^{\circ}$. The superhydrophobicity was sustained in the presence of UV light. Photocatalytic activity and photocorrosion of ZnO were nearly completely quenched in the presence of PDMS coating. It is suggested that our PDMS-coating can be of potential interest for the application of ZnO in UV protection agents and energy and electronic devices.

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Ultraviolet Photodetection Properties of ZnO/Si Heterojunction Diodes Fabricated by ALD Technique Without Using a Buffer Layer

  • Hazra, Purnima;Singh, S.K.;Jit, S.
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권1호
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    • pp.117-123
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    • 2014
  • The fabrication and characterization of a Si/ZnO thin film heterojunction ultraviolet photodiode has been presented in this paper. ZnO thin film of ~100 nm thick was deposited on <100> Silicon (Si) wafer by atomic layer deposition (ALD) technique. The Photoluminescence spectroscopy confirms that as-deposited ZnO thin film has excellent visible-blind UV response with almost no defects in the visible region. The room temperature current-voltage characteristics of the n-ZnO thin film/p-Si photodiodes are measured under an UV illumination of $650{\mu}W$ at 365 nm in the applied voltage range of ${\pm}2V$. The current-voltage characteristics demonstrate an excellent UV photoresponse of the device in its reverse bias operation with a contrast ratio of ~ 1115 and responsivity of ~0.075 A/W at 2 V reverse bias voltage.

산소 가스를 이용한 산화아연의 전자 농도와 광발광 세기 조절 (Control of electron concentration and photoluminescence intensity of ZnO thin films using oxygen gas)

  • 강홍성;김재원;이상렬
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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    • pp.185-187
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    • 2004
  • The electron concentration of ZnO thin film fabricated by pulsed laser deposition was controlled by varying oxygen gas pressure. The electron concentration of ZnO was increased from $10^{17}\;to\;10^{19}/cm^3$ as oxygen gas pressure increased from 20 mTorr to 350 mTorr. Ultraviolet(UV) intensity of photoluminescence of ZnO was controlled, too. UV intensity of ZnO was increased as oxygen gas pressure increased from 20 mTorr to 350 mTorr. The relation between electron concentration and UV intensity was investigated.

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산소 어닐링이 마그네 트론 스퍼터링으로 증착된 undoped ZnO박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성에 미치는 영향에 대한 연구 (A Study on the Effect of O$_2$ annealing on Structural, Optical, and Electrical Characteristics of Undoped ZnO Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering)

  • 윤의중;박형식
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권7호
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    • pp.7-14
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    • 2009
  • 본 연구에서는 어닐링조건이 ZnO 박막의 결정구조((002) 세기, FWHM d-간격, grain 크기, (002) 피크 위치) 광학 (UV 피크, UV 피크 위치) 및 전기적 성질 (전자농도, 비저항, mobility)에 미치는 영향을 조사하였다. ZnO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터링으로 ZnO 타겟을 사용하여 SiO$_2$/Si 기판 상에 증착하였다. 증착도중 기판에 열을 가하지 않았고 ZnO 박막은 $500^{\circ}C\sim650^{\circ}C$의 온도범위와 5분$\sim$20분의 시간범위에서 어닐링 되었다. 샘플의 표면 거칠기 및 구조는 각각 SEM과 XRD로 분석하였다. 광학 성질은 He-Cd 325 nm 레이저를 사용하여 상온에서 측정된 photoluminescence (PL)로 평가 하였다. 어닐링 온도 및 시간 변화에 따라 다음과 같은 관계가 관찰되었다: (1) UV intensity, (002) intensity, grain size 사이에 비례관계가 성립하고, (2) UV intensity는 FWHM와 반비례하고, (3) UV intensity는 전자농도와 큰 상관관계가 없고, (4) d-spacing과 (002) peak position은 반비례 관계에 있고, (5) 3.20$\sim$3.24 eV 범위의 UV peak position은 ZnO 박막이 n-type 특성을 가진다는 것을 의미하며 이는 전기적인 특성의 결과와 일치하고, (6) 최고의 광학 및 구조적 특성을 갖기 위한 최적조건은 0.2의 산소분압(O$_2$/(O$_2$+Ar)), 240W의 PF 파워, 상온의 기판온도, 600$^{\circ}C$온도를 20분 유지하는 어닐링 조건, 그리고 20 mTorr의 스퍼터링 압력 등을 들 수 있다.

Photocatalytic Performance of ZnS and TiO2 Supported on AC Under Visible Light Irradiation

  • Meng, Ze-Da;Cho, Sun-Bok;Ghosh, Trisha;Zhu, Lei;Choi, Jong-Geun;Park, Chong-Yeon;Oh, Won-Chun
    • 한국재료학회지
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    • 제22권2호
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    • pp.91-96
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    • 2012
  • AC and ZnS modified $TiO_2$ composites (AC/ZnS/$TiO_2$) were prepared using a sol-gel method. The composite obtained was characterized by Brunauer-Emmett-Teller (BET) surface area measurements, X-ray diffraction (XRD), energy dispersive X-ray (EDX) analysis, scanning electron microscope (SEM) analysis, and according to the UV-vis absorption spectra (UV-vis). XRD patterns of the composites showed that the AC/ZnS/$TiO_2$ composites contain a typical single and clear anatase phase. The surface properties as observed by SEM present the characterization of the texture of the AC/ZnS/$TiO_2$ composites, showing a homogenous composition in the particles showing the micro-surface structures and morphology of the composites. The EDX spectra of the elemental identification showed the presence of C and Ti with Zn and S peaks for the AC/ZnS/$TiO_2$ composite. UV-vis patterns of the composites showed that these composites had greater photocatalytic activity under visible light irradiation. A rhodamine B (Rh.B) solution under visible light irradiation was used to determine the photocatalytic activity. The degradation of Rh.B was determined using UV/Vis spectrophotometry. An increase in the photocatalytic activity was observed. From the photocatalytic results, the excellent activity of the Y-fullerene/$TiO_2$ composites for the degradation of methylene blue under visible irradiation could be attributed to an increase in the photo-absorption effect caused by the ZnS and to the cooperative effect of the AC.

습식 공정법에 의한 바이오칩 용 패터닝 기판 제조 (Fabrication of patterned substrate by wet process for biochip)

  • 김진호;이민;황종희;임태영;김세훈
    • 한국결정성장학회지
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    • 제19권6호
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    • pp.288-292
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    • 2009
  • LPD법을 이용하여 유리 기판 위에 발수/친수 패터닝 기판을 제조하였다. 발수 표면은 거친 표면을 갖는 ZnO 박막을 FAS를 이용한 표면 개질에 의하여 만들어졌고, 친수 표면은 자외선을 조사하여 FAS를 제거함으로써 만들어졌다. Hexagonal ZnO rod는 LPD법에 의하여 ZnO seed 층이 코팅된 유리 기판 위에 수직으로 성장되었다. 침적시간이 증가함에 따라 ZnO rod의 직경과 두께는 증가하였다. 제조된 ZnO 박막의 표면구조, 두께, 결정구조, 투과율과 접촉각은 FE-SEM, XRD, UV-vis와 contact angle meter를 이용하여 측정하였다. $20^{\circ}{\sim}30^{\circ}$의 접촉각을 갖는 친수 ZnO 박막은 FAS 표면 처리에 의해 $145^{\circ}{\sim}161^{\circ}$의 접촉각을 갖는 표면으로 바뀌었다. 제조된 발수 표면은 $300\;{\mu}m$, 3 mm의 dot size를 갖는 shadow mask를 이용하여 자외선을 조사하여 패터닝 되었다. 최종적으로 자외선이 조사된 발수 표면은 친수 표면으로 바뀌었다.

ZnO 나노분말 및 고투명성 자외선 차단 분산 졸의 제조 (Preparation of ZnO Nano Powder and High-transparent UV Shielding Dispersion Sol)

  • 이헌동;김진모;손대희;이승호;박성수
    • 공업화학
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    • 제24권4호
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    • pp.391-395
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    • 2013
  • 본 연구에서는 자외선 흡수 물질로 잘 알려진 zinc oxide (ZnO) 나노분말을 세 가지 합성조건에서 수열합성법으로 합성하였다. 또한, 분산성을 향상시키기 위하여 합성된 ZnO 나노분말의 표면을 다양한 실란계 계면활성제를 사용하여 표면 개질하였고, 표면개질된 ZnO 나노분말을 분산제로 72 h 동안 볼밀링하여 분산 졸 시료를 제조하였다. 30 nm 크기로 합성된 ZnO 나노분말을 3-chloropropyl trimethoxy silane로 표면개질하여 폴리우레탄계 분산제로 제조한 분산 졸 시료가 가장 높은 자외선 차단 특성 및 가시광 투과율을 가지면서 분산 안정성이 가장 우수하였다.

ZnO/MgO 막의 열처리에 따른 물성 변화 (Influence of annealing on the properties of ZnO/MgO films)

  • 최무희;마대영
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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    • pp.151-152
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    • 2005
  • ZnO films were deposited on MgO substrates (ZnO/MgO) by ultrasonic spray pyrolysis. Substrate temperature varied from $250^{\circ}C$ to $350^{\circ}C$. The crystallographic properties and surface morphologies of the ZnO/MgO films were studied by X ray diffraction and scanning electron microscopy. The properties of photoluminescence (PL) for the films were investigated by dependence of PL spectra on the substrate temperature and the annealing temperature. The ZnO/MgO films prepared at $350^{\circ}C$ showed the strongest UV emission peak at 18 K and 300 K among the films in this study.

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ZnO:Er막의 UV 발광에 미치는 열처리 효과 (Annealing effects of ZnO:Er films on UV emission)

  • 최무희;마대영
    • 센서학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.316-321
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    • 2009
  • Er-doped ZnO(ZnO:Er) films were deposited onto MgO wafers by ultrasonic spray pyrolysis at 550 $^{\circ}C$ varying the concentration of Er in the deposition source from 0.5 wt% to 3.0 wt%. Annealing of the films in a vacuum was carried out to increase the intensity of ultraviolet(UV) emission from the films. The annealing temperature was between 600$^{\circ}C$ and 800$^{\circ}C$. The crystallographic properties and surface morphology of the films were investigated by X-ray diffraction(XRD)and scanning electron microscope(SEM), respectively. The properties of photoluminescence(PL) for the films were investigated by the dependence of PL spectra on the annealing temperature. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) was conducted to find the composition change in the films by the annealing.

태양광과 UV-A 빛 하에서 ZnO 을 이용한 Reactive Black 5의 광분해작용 (Photomineralisation of Reactive Black 5 with ZnO using Solar and UV-A Light)

  • Amisha, S.;Selvam, K.;Sobana, N.;Swaminathan, M.
    • 대한화학회지
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    • 제52권1호
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    • pp.66-72
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    • 2008
  • 태양광과 UV-A빛 조건하에 수용액 속에서 디아조염료의 광 촉매분해반응에 대해 조사를 해보았다. 염료의 광 촉매 분해반응에는 염료의 농도, 촉매 량, 그리고 pH와 같은 여러 가지 영향 요소들이 존재한다. 과산화수소, ammonium persulphate와 isopropanol 등의 첨가는 분해비율에 대해 큰 영향을 미친다. Langmuir-Hinshelwood model에 근거한 광 분해반응의 동역학적분석은 광분해반응은 대략적으로 pseudo first order kinetics을 따름을 알 수 있다. 광분해산물로 이산화탄소, 질산염, sulphate 이온 등이 증명되었다. 광 촉매, ZnO는 태양광 하에서보다 UV-A빛 하에서 더욱 효율적임을 발견하였다.