In this paper, dual mode FET mixer for WiBro and wireless LAN(WLAN) applications has been designed in the form of dual gate FET mixer by using the cascode structure of two single gate pHEMTs. The designed dual gate mixer has been optimized to have variable conversion gain for WiBro and WLAN applications in order to save dc power consumption. The LO to RF isolation of the designed mixer is more than 20dB from 2.3GHz to 2.5GHz band. With the LO power of 0dBm and RF power of -50dBm, the mixer shows 15dB conversion gain. When RF power increases from -50dBm to -20dBm, the conversion gain decreases to -2dB from 15dB with bias change. The variable conversion gain has several advantages. It can reduce the high dynamic range requirement of AGC burden at IF stage. Also, it can save the dc power dissipation of mixer up to 90%.
Hong, Nam Pyo;Kim, Kwang Jin;Jang, Jong-Eun;Chio, Young-Wan
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.64
no.3
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pp.433-437
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2015
We have designed and fabricated a low power and high linearity up down convertor for wireless repeaters using $0.35{\mu}m$ SiGe Bipolar CMOS technology. Repeater is composed of a wideband up/down converting mixer, programmable gain amplifiers (PGA), input buffer, LO buffer, filter driver amplifier and integer-N phase locked loop (PLL). As of the measurement results, OIP3 of the down conversion mixer and up conversion mixer are 32 dBm and 17.8 dBm, respectively. The total dynamic gain range is 31 dB with 1 dB gain step resolution. The adjacent channel leakage ratio (ACLR) is 59.9 dBc. The total power consumption is 240 mA at 3.3 V.
Journal of Satellite, Information and Communications
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v.9
no.2
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pp.7-11
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2014
In this paper, we designed resistive MMIC mixer using $0.5{\mu}m$ p-HEMT process. This Mixer is designed to have a similar performance in -4 ~ 4 dBm local oscillator signal power level and to maintain a constant conversion loss and linear performance due to the variation of local signal. In order to have such characteristics, we designed new feedback circuit topology by using FET, and minimized performance change for LO signal power level variation, also obtain MMIC mixer characteristics which is able to apply in wideband. In the design result, When the LO signal power is -4 ~ 4 dBm, there was 6 dB conversion loss and it came up with the excellent result that IIP3 got over 30 dBm in 0.5 ~ 2.6GHz frequency band.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.3
no.2
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pp.86-90
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2003
A flat conversion loss in microwave mixer is hard to achieve if integrating with an image rejection filter(IRF). This is due to the change of termination condition with respect to the LO and IF frequency at RF port where the filter has 50 ohm termination property only in the RF band. This paper describes a flatness maintenance in the down mixer concerning a diode matching condition as well as an electrical length of embedding line at RF port. The implemented single balance diode mixer is suitable for a 23 ㎓ European Terrestrial Radio. RF, LO and fixed IF frequency chosen in this paper are 21.2∼22.4 ㎓, 22.4∼23.6 ㎓ and 1.2 ㎓, respectively. The measured results show a conversion loss of 8.5 ㏈, flatness of 1.2 ㏈ p-p, input P1㏈ of 7㏈m, IIP3 of 15.42 ㏈m with nominal LO power level of 10㏈m. The return loss of RF and LO port are less than - 15 ㏈ and - 12 ㏈, respectively and IF port is less than - 6 ㏈. LO/RF and LO/IF isolation are 18 ㏈ and 50 ㏈, respectively. This approach would be a helpful reference for designing up/down converter possessing a filtering element.
Lee Sang heung;Lee Ja yol;Kim Sang hoon;Bae Hyun cheol;Kang Jin yeong;Kim Bo woo
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.30
no.4A
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pp.350-357
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2005
DSRC provides high speed radio link between Road Side Equipment and On-Board Equipment within the narrow communication area. In this paper, a 5.8 GHz up-conversion mixer for DSRC communication system was designed and fabricated using 0.8 m SiGe HBT process technology and IF/LO/RF matching circuits, IF/LO input balun circuits, and RP output balun circuit were all integrated on chip. The chip size of fabricated mixer was $2.7mm\times1.6mm$ and the measured performance was 3.5 dB conversion gain, -12.5 dBm output IP3, 42 dB LO to If isolation, 38 dB LO to RF isolation, current consumption of 29 mA for 3.0 V supply voltage.
CMOS 기반의 고주파 집적회로에서는 높은 이득과 출력을 얻기 위하여 인덕터와 같은 수동소자를 사용한다. 그러나 수동소자를 사용하게 되면 넓은 면적을 차지하기 때문에 회로의 크기를 증가시키는 단점을 갖는다. 본 논문에서는 PMOS 를 기반으로 구현한 active inductor 를 적용하여 회로의 면적을 줄일 수 있으며, 기존의 주파수 변환기와 동등한 선형 특성을 갖는 상향 주파수 변환기를 설계하였다. 인덕터를 적용한 상향 주파수 변환기의 OIP3 ($3^{rd}$ Output Intercept Point)는 1.3 dBm 을 가지며, 제안한 상향 주파수 변환기의 OIP3 는 0.8 dBm 으로 동등한 선형 특성을 보이며, layout 상에서 회로의 면적을 40 % 이상 감소하는 특성의 선형 송신기용 주파수 변환기를 설계 분석하였다.
In this paper, the O-mode ultrashort-pulse reflectometry (USPR) millimeter-wave signals that propagate into the plasma and cover a frequency bandwidth of 33-158 GHz are examined numerically using MATLAB. Two important processes are involved in the computation: the propagation of the USPR impulse signal through a waveguide and the frequency up-conversion using millimeter-wave mixers. These mixers are limited to intermediate frequency signals that are less than 500 mV; thus, it is necessary to disperse the impulse signal into a chirped waveform using the waveguide. The stationary phase method is utilized to derive a closed-form formula for a chirped waveform under the assumption that the USPR impulse is Gaussian. In the process of frequency up-conversion, the chirped waveform is mixed with the mixer LO signal, and the lower frequency components of the RF signal are removed using high pass filters.
A CMOS quadrature Up-converter for a direct-conversion receiver of 5.15-5.825GHz wireless LAN is described. The Up-converter consists of two sub-harmonic mixers, for I and Q channels, and an LO generation network. In order to decrease the number of inductor, I and Q path are merged. The simulation results including all the parasitics show -17.3dB conversion gain at center and -8 dBv oIP3 while consuming 22.968mW under 1.8V supply. The quadrature Up-converter is under fabrication with the other transmitter blocks in a $0.18{\mu}m$ CMOS technology.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.11
no.4
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pp.256-261
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2011
We demonstrate 3-Gb/s wireless link using a 60-GHz receiver front-end fabricated in $0.25-{\mu}m$ SiGe:C bipolar complementary metal oxide semiconductor (BiCMOS) and a mixed-mode quadrature phase-shift keying (QPSK) demodulator fabricated in 60-nm CMOS. The 60-GHz receiver consists of a low-noise amplifier and a down-conversion mixer. It has the peak conversion gain of 16 dB at 62 GHz and the 3-dB intermediate-frequency bandwidth of 6 GHz. The demodulator using 1-bit sampling scheme can demodulate up to 4.8-Gb/s QPSK signals. We achieve successful transmission of 3-Gb/s data in 60 GHz through 2-m wireless link.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.22
no.5
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pp.538-544
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2011
This paper presents a compact single balanced diode mixer fabricated using a 0.1 ${\mu}M$ GaAs p-HEMT commercial process for an E-band frequency up/down converter. This mixer includes a LO balun employing a Marchand balun with a good RF performance. In order to improve the port-to-port isolation, a high pass filter and a low pass filter are include in this mixer at the RF and IF ports, respectively. The fabricated mixer with a very compact size of 0.58 mm2(0.85 mm${\times}$0.68 mm) exhibits a conversion loss of 8~12 dB and an input P1dB of 1~5 dBm at the LO power of 10 dBm from 71~86 GHz.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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