• 한국수산과학회지
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• 제30권3호
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• pp.442-450
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• 1997

본 연구는 부경대학교 해양탐사선인 탐양호를 이용하여 1995년 2월 14일에서 17일까지 실시하였다 수온, 염분 및 용존산소를 이용한 T-S diagram 및 $T-O_2$ diagram 으로부터 수괴는 5개의 Type으로 구분되었다. 특히 T-S diagram에서는 잘 구분되지 않았던 Type IV와 Type V는 $T-O_2$ diagram에서 뚜렷이 구분되었다. 하지만 기존 수괴와 명확히 일치하지 않는 것은 본 조사가 동계에 실시되어 표층수온의 감소로 인하여 수괴의 수직혼합이 강하게 일어나서 생긴 현상으로 사료된다. 영양염류의 수괴별 농도분포를 보면, Type I, Type II, Type III은 서로 거의 비슷한 농도를 보였지만 Type IV에서 Type V로 갈수록 증가되었다. 그리고 동일 수괴에서 농도범위가 넓게 나왔는데, 이는 수온약층의 약화로 인하여 발생한 것으로 생각된다. N/P ratio은 모든 water type에서 Redfield ratio 이하로 나타났는데, 이것은 질산염이 식물플랑크톤 성장의 제한인자로 작용하고 있음을 보여주고 있다. chlorophyll $\alpha$의 농도는 $0\~8\;{\mu}g/\ell$의 범위로, Type I에서 최대였고 Type IV와 Type V에서는 거의 검출되지 않았다. 입자성 유기탄소와 유기질소의 농도는 각각 $0.49\~20.03\;{\mu}g-at/\ell$와 $0.09\~5.34\;{\mu}g-at/\ell$ 범위로서, 수심의 증가에 따라 그 농도가 감소하고, 연안에서 외양쪽으로 갈수록 낮아지는 경향이었다. Water type별 농도는 Type I > Type II > Type III > Type IV > Type V의 순서로 수심의 증가에 따라 농도가 증가하는 경향이었다. 즉 이들 입자성 유기물질은 수괴별로 어떤 뚜렷한 경향을 보이지는 않았으며, 수심에 따라서 농도가 변화되는 것으로 생각된다. POC/PON의 원자비는 3.23으로 Redfield ratio 이하로 나타났다. 이것은 POC보다 PON이 더 난분해성이라 침강하는 동안 POC는 분해되지만 수직혼합에 의해 PON은 다시 재부유하기 때문인 것으로 사료된다. POC/chlorophyll $\alpha$의 평균값은 1962로 매우 높은 값을 나타내었으며, non-living detritus가 POC의 대부분을 차지하고 있는 것으로 판단된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권1호
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• pp.21-26
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• 2004

HPHT(고온고압) 처리된 type IIa 다이아몬드의 분광분석 결과를 나타내었다. 그리고 HPHT 처리된 다이아몬드 spectrum의 특성을 이와 유사한 color와 type을 가진 처리되지 않은 다이아몬드와 비교하였다. 325nm 에서 여기된 He/Cd laser로는 HPHT 처리된 다이아몬드와 처리되지 않은 다이아몬드에 현저한 변화가 있음을 알 수 있었는데 이는 HPHT 처리된 다이아몬드의 spectrum에서 H3, H4에 관련된 peak가 제거되고 N3 system에 관련된 peak의 emission이 증가함을 보여 주었다. 또한 514nm에서 여기된 Ar-ion laser로 측정된 spectrum은 575nm와 637.1 nm에서 Nitrogen과 vacancy가 관련되어있는 N-V center가 발견 되었는데 이러한 center가 존재하고 있을 경우 637.1 nm의 FWHM의 값은 HPHT 처리된 다이아몬드와 처리되지 않은 다이아몬드를 구분할 수 있음을 보여주었다. 본 실험에서 측정된 HPHT 처리된 다이아몬드의 637.1nm $(N-V)^-$의 FWHM 값은 $19.8{\textrm}{cm}^{-1}$에서$32.1{\textrm}{cm}^{-1}$였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.242-247
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• 1987

Electrophysical phenomena at the silicon semiconductor-electrolyte solution interfaces were analyzed based on the zeta potential of the electrical double layer and microelectrophoresis. The suspensions were composed of the p or n-type silicon particles suspended in the KCI or pH buffer solutions. The approximate diameter of the prepared and sampled sioicon semiconductor pardticles was 1.5\ulcorner. The sign of the zeta poetntials of the p and n-type silicon particles in the KCl and pH buffer solution was positive. A range of electrophoretic mobilities of the p and n-type silicons in the KCl solutions was 5.5-8.9x10**-4 cm\ulcornerV-sec and 4.2-7.9x10**-4cm\ulcornerV-sec, respectively. The range of zeta potentials corresponding to the electrophoretic mobilities is 70.4-114.0mV nad 53.9-101.2mV, respectively. On the other hand, a range of electrophoretic mobilities of the p and n-type silicons in the pH buffer solutions was 1.1x10**-4-2.2x10**-3cm\ulcornerV-sec and 0-2.1x10**-3cm\ulcornerV-sec, respectively. The range of zeta potentials corresponding to the electrophoretic mobilities is 14.1-281.6mV and 0-268.8mV, respectively. The zeta potentials and electrical double layers of the doped silicon semiconductors are decisively influenced by the positively charged ions in the solutions. The maximum values of the zeta potentials in the KCl solutions appeared at a concentration of about 10-\ulcorner. The isoelectric point of the n-type silicon semiconductors appeared at about a pH 7. The effect of the space charge of the doped silicon semiconductors can be neglected compare with the effect of the surface charge.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.758-761
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• 2003

전원장치의 소형화 핵심기술인 반도체 스위칭 기술을 이용하여 단일 전원을 사용하는 소형, 경량화 전자기기에 적합한 5 V/500 mA급 트랜스리스형 파워 모듈(transless type power module)을 설계하였다. 파워 모듈은 강압형 chopper 방식을 이용한 스위칭회로, 제어회로, 전압검출회로, 그리고 정전압 회로 둥으로 구성되어 있으며, 하이브리드-집적회로형(hybrid-IC type)으로 제작되었다. 본 연구에서 설계한 스위칭 레귤레이터 전원회로는 5 V/500 mA급 트랜스리스형 파워 모듈의 전기적 특성을 만족하였다.

• 한국진공학회지
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• 제11권3호
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• pp.151-158
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• 2002

Decaborane ($B_{10}H_{14}$) 이온 주입법으로 n-type Si (100) 기판에 ultra-shallow $p^{+}-n$ 접합을 형성시켰다. 이온 주입에너지는 5kV와 10kV, 이온 선량은 $1\times10^{12}\textrm{cm}^2$와 $1\times10^{13}\textrm{cm}^2$로 decaborane을 이온 주입시켰다. 이온 주입된 시료들은 $N_2$ 분위기에서 $800^\{\circ}C$, $900^{\circ}C$, $1000^{\circ}C$에서 10초 동안 RTA(Rapid Thermal Annealing) 처리를 하였다. 또한 가속에너지에 따른 결함을 확인하기 위해서 15 kV의 이온 주입 에너지에서 $1\times10^{14}\textrm{cm}^2$만큼 이온 주입하였다. 2 MeV $^4He^{2+}$ channeling spectra에서 15 kV로 주입된 시료가 bare n-type Si와 5 kV, 10 kV의 에너지로 주입된 시료보다 주입시 생긴 결함에 의해 backscattering yield가 더 높게 나타났으며 spectra로부터 얻은 이온 주입으로 인한 비정질층의 두께는 표면으로부터 가속전압이 5kV, 10kV, 15kV일 때 각각 1.9nm, 2.5nm, 4.3nm였다. 10 kV에서 이온 주입된 시료를 $800^{\circ}C$ 열처리 한 결과 결함의 회복으로 인해 bare Si와 비슷한 backscattering yield를 보였으며 이때의 계산된 비정질 층의 두께는 0.98 nm이었다. 홀 측정과 면저항 측정은 dopant의 활성화가 주입된 에너지, 이온 선량, 열처리 온도에 따라 증가함을 보여주었다. I-V 측정 결과 누설 전류 밀도는 열처리 온도가 $800^{\circ}C$에서 $1000^{\circ}C$까지 증가함에 따라 감소하였고 주입에너지가 5kV에서 10kV까지 증가함에 따라 증가하였다.

• 터널과지하공간
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• 제20권5호
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• pp.325-331
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• 2010

이 연구에서는 사암 벤치에 대하여 V형과 경사 V형의 두 가지 기폭 패턴으로 대규모 발파를 실시하였다. 장약량은 비슷하였다. 발파 후 디지털 이미지 프로세싱 방법으로 파쇄석의 파쇄도를 평가하였다. 10 $m^3$ 용량 로우프 쇼벨의 싸이클 시간도 계측하였다. 그 결과는 경사 V형으로 기폭한 경우 파쇄성능이나 굴착기 성과가 더 향상된다는 것을 보여준다. 이 논문에서는 경사 V형 패턴이 V 형 패턴보다 더 나은 성능을 보이는 이유에 대하여 논한다.

• 센서학회지
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• 제7권6호
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• pp.426-431
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• 1998

본 논문에서는 THAH/IPA/pyrazine 용액에서의 전기화학적 식각정지특성을 기술한다. THAH/IPA/pyrazine 용액에서의 n-형과 p-형의 Si에 대한 I-V 곡선이 얻어졌다. p-형 Si에 대한 OCP(개방회로전압)과 PP(보호막생성 전압)은 각각 -1.2 V와 0.1 V이고, n-형에 대해서는 -1.3 V와 -0.2 V로 각각 나타났다. p-형과 n-형 Si 모두 PP점보다 양의 전압에서 식각율이 급속히 감소하였다. 또한 THAH/IPA/pyrazine 용액에서의 식각정지특성을 관찰하였다. pn 접합부에서의 정확한 식각정지에 의해서 epi. 층의 두께에 상응하는 Si 다이어프램을 제작할 수 있었다. 최적 이방성 식각조건인 TMAH 25 wt.%/IPA 17 vol.%/pyrazine 0.1g/100ml에서 식각률이 가장 높기 때문에 식각소요시간이 크게 감소하였다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권10호
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• pp.231-238
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• 2013

본 논문은 플랫판넬 디스플레이 장치에 사용할 DC-DC 변환기의 설계에 관한 것이다. 6~14[V]의 단일 DC 전원전압으로부터 플랫 판넬 백바이어스용 -5[V] DC 전압 발생회로(Negative DC Voltage Generator)와 승압된 15[V], 23[V] DC 전압 발생회로, 그리고 강압된 3.3[V] DC를 얻기 위한 회로를 설계하였다. 또한 기준 전압원으로 사용하기 위한 밴드갭 회로와 발진기, 레벨변환기 회로, 고온보호 회로 등을 설계하였다. 제작공정은 부(-)전압으로 동작하는 회로와 기타 회로를 분리하기 위해서 트리플-웰(Triple-Well)구조가 적용된 공정 내압 30[V], 최소선폭 0.35[${\mu}m$], 2P_2M CMOS 공정을 사용하였다. 설계된 모든 회로는 시뮬레이션으로 검증하여 동작을 확인하였으며 원 칩으로 제작하여 플랫판넬 디스플레이 장치에 응용할 수 있도록 기능을 확보하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.701-704
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• 2003

Scoliosis is a complex musculoskeletal dieses requiring 3-D treatment with surgical instrumentation. Conventional corrective surgery for scoliosis was done based on empirical knowledge without information of the optimum position and operative procedure. Frequently, post operative change of rib hump increase and shoulder level imbalance caused serious problems in the view of cosmetics. To investigate the effect of correction surgery, a reconstructed 3-D finite element model for King-Moe type V was developed. Vertebrae, clavicle and other bony element were represented using rigid bodies. Kinematic joints and nonlinear bar elements used to represent the intervertebral disc and ligaments according to reported experimental data. With this model, optimization technique was also applied in order to define the optimal magnitudes of correction. The optimization procedure corrected the scoliotic deformities by reducing the objective function by more than 94%. with an associated reduction of the scoliotic descriptors mainly on the frontal thoracic curve.

• 대한수학회보
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• 제44권4호
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• pp.731-742
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• 2007

Let X be a Banach space, $A:D(A){\subset}X{\rightarrow}X$ the generator of a compact $C_0-semigroup\;S(t):X{\rightarrow}X,\;t{\geq}0$, D a locally closed subset in X, and $f:(a,b){\times}C([-q,0];X){\rightarrow}X$ a function of Caratheodory type. The main result of this paper is that a necessary and sufficient condition in order that D be a viable domain of the semi linear differential equation of retarded type $$u#(t)=Au(t)+f(t,u_t),\;t{\in}[t_0,\;t_0+T],{u_t}_0={\phi}{\in}C([-q,0];X)$$ is the tangency condition $$\limits_{h{\downarrow}0}^{lim\;inf\;h^{-1}d(S(h)v(0)+hf(t,v);D)=0}$$ for almost every $t{\in}(a,b)$ and every $v{\in}C([-q,0];X)\;with\;v(0){\in}D$.