• 제목/요약/키워드: Transport layer

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Wet-Chemically Prepared NiO Layers as Hole Transport Layer in the Inverted Organic Solar Cell

  • Lim, Dong-Chan;Kim, Young-Tae;Shim, Won-Hyun;Jang, A-Young;Lim, Jae-Hong;Kim, Yang-Do;Jeong, Yong-Soo;Kim, Young-Dok;Lee, Kyu-Hwan
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제32권3호
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    • pp.1067-1070
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    • 2011
  • We have demonstrated that solution-based fabrication of NiO films as HTL can be used for the construction of IOSCs. Type of solvent of NiO-solution, and annealing procedure of the active layers were optimized for obtaining a PCE of 3% of IOSC. The photovoltaic performance of NiO-based device is comparable to that of the same type of solar cell using PEDT:PSS instead of NiO. These solution-based processes can be a promising method for a mass production OSCs under ambient condition.

해시 트리 기반의 경량화된 DTLS 메시지 인증 (Lightweight DTLS Message Authentication Based on a Hash Tree)

  • 이부형;이성범;문지연;이종혁
    • 한국통신학회논문지
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    • 제40권10호
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    • pp.1969-1975
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    • 2015
  • 제한된 자원을 가지는 장비들이 서로 통신을 하는 사물인터넷 환경에서는 경량화된 보안 프로토콜이 요구된다. 본 논문은 DTLS 프로토콜의 메시지 인증 경량화를 위해 해시 트리를 이용한 새로운 메시지 인증 기법을 제안한다. 제안된 기법은 DTLS 프로토콜의 기본 동작에 비해 경량화된 보안 동작을 제공하며, 통신과정 중에서도 불필요한 메시지 인증 코드의 사용을 줄여 사물인터넷 환경에 더욱 적합한 성능을 나타낸다.

WCDMA HSUPA 망의 성능 향상을 위한 Iub 혼잡 검출 방법 (Iub Congestion Detection Method for WCDMA HSUPA Network to Improve User Throughput)

  • 안구리;이태진
    • 한국통신학회논문지
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    • 제35권1A호
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    • pp.16-24
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    • 2010
  • HSUPA(High Speed Uplink Packet Access)는 고속 스케줄링, HARQ, 짧은TTI등을 Node B에서 제공함으로써 HSDPA 에 대응되게 상향링크 쪽의 고속 데이터 전송률을 제공하는 WCDMA의 Rel 6 이동통신 기술이다. WCDMA 시스템의 RNC(Radio Network Controller)와 기지국인 Node B 간의 Iub 구간에서 혼잡을 검출하는 것은 사용자의 통신서비스 품질을 높이기 위해서 매우 중요하다. 이를 위해 TNL 혼잡 검출과 Node B의 링크 버퍼 관찰 방법을 제안하고 이를 통해 얻을 수 있는 패킷 수율에 대해 성능 분석을 하였다. 제안하는 방법을 통해 좁은 Iub 대역폭의 혼잡 검출은 패킷 수율 향상에 도움이 되는 것을 확인할 수 있었다.

패스워드 기반 EAP-TLS (New EAP-TLS based on Password Authentication)

  • 이석준;양대헌;정병호;정교일
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2002년도 추계학술발표논문집 (중)
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    • pp.1067-1070
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    • 2002
  • EAP(Extensible Authentication Protocol)[3]은 다양한 인증 방법을 제공하기 위한 표준 인증 메커니즘이다. EAP는 PPP[16], 802.1x[17] 등에서 사용되며, 실제 인증 능력을 가지는 TLS[2] 등과 같은 인증 프로토콜과 결합하여 사용된다. TLS(Transport Layer Security)는 두 peer 간에 전송계층에서 상호 인증, 무결성, 기밀성을 제공하기 위해 개발되었다. TLS 는 상호 인증을 위하여 공개키 기반 인증서를 사용한다. 그러나, 인증서를 사용하는 것은 대부분의 사용자들이 ID, password 기반의 응용에 익숙하다는 것을 생각하면 일반적인 인증 방법이 아님을 알 수 있다. 따라서, EAP-TLS와 같은 인증 방법 역시 그런 면에서 PPP 혹은 802.1x에서 사용하기에 부적합하다고 볼 수 있다. 본 논문에서는 패스워드 기반 인증 및 키교환 프레임웍을 TLS 에 적용하고 이를 다시 EAP 와 결합한다. 패스워드 기반 EAP-TLS 는 인증서에 관련된 복잡한 연산을 수행하지 않으면서도 안전성에 있어 수학적 증명을 가지며, PPP 혹은 802.1x 서비스를 받고자 하는 사용자가 인증서를 가질 필요가 없는 장점을 가지게 된다.

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급수가열기 동체 감육 현상 규명을 위한 유동해석 연구 (A Study on the Fluid Mixing Analysis for Proving Shell Wall Thinning of a Feedwater Heater)

  • 신민호;황경모;김경훈
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2004년도 춘계학술대회
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    • pp.2017-2022
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    • 2004
  • There are multistage preheaters in the power generation plan to improve the thermal efficiency of the plant and to prevent the components from the thermal shock. The energy source of these heaters comes from the extracted two phase fluid of working system. These two-phase fluid can cause the so-called Flow Accelerated Corrosion(FAC) in the extracting piping and the bubble plate of the heater for example, in case of point Beach Nuclear Power Plant and in the Wolsung Nuclear Power Plant. The FAC is due to the mass transport of the thin oxide layer by the convection. FAC is dependent on many parameters such as the operation temperature, void fraction, the fluid velocity and pH of fluid and so on. Therefore, in this paper velocity was calculated by FLUENT code in order to find out the root cause of the wall thinning of the feedwater heaters. It also includeed in the fluid mixing analysis model are around the number 5A feedwater heater shell including the extraction pipeline. To identify the relation between the local velocities and wall thinning, the local velocities according to the analysis results were compared with distribution of the shell wall thicknes by ultrasonic test.

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네트워크 이동성 환경에서 효율적인 Seamless 핸드오버 프로토콜 (Efficient Seamless Handover Protocol in Network Mobility (NEMO) Environment)

  • 김종영
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제16권11호
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    • pp.173-178
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    • 2011
  • 본 논문은 네트워크 이동성 환경에서 효율적인 seamless 핸드오버 프로토콜을 제안한다. Yokoda외 4명은 access router 간의 협력으로 로컬에서 fast 핸드오버 기법을 제안하였고 Teraoka 외 1명은 이동 네트워크 환경에서 layer 간의 협력으로 fast 핸드오버를 지원할 수 있는 기법을 제안하였다. 위의 두 프로토콜은 하나의 링크를 통해 패킷을 전송하고 패킷에 대한 우회 방법에 대해 언급하고 있지 않기 때문에 라우터의 링크 불안정시에는 패킷 손실 및 바인딩 갱신이 지연될 수 있다. 제안하는 프로토콜은 이동 네트워크에 있는 라우터간의 협력으로 기존의 프로토콜보다 빠른 바인딩 갱신을 할 수 있고 패킷 손실을 줄일 수 있다.

보론 도우핑된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 열에 의한 준안정성 연구 (Thermally Induced Metastability in Boron-Doped Amorphous Silicon Thin Film Transistor)

  • 이이상;추혜용;장진
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제26권3호
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    • pp.130-136
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    • 1989
  • 보론이 도우핑된 수소화된 비정질 실리콘을 이용한 박막 트랜지스터를 플라즈마 CVD 방법으로 제작하여 트랜지스터의 특성 및 준안정성에 관한 연구를 수행하였다. 보론이 도우핑된 비정질 실리콘 ambipolar 트랜지스터를 열평형 온도 이상에서 급냉하면, active dopants가 증가하고 경계면 상태밀도가 감소하여 정공채널에 의한 드레인 전류가 증가하고 전자채널의 드레인 전류는 급냉 온도에 따라 증가하다 감소되는 현상을 측정하였다. 이런 급냉 효과는 실리콘내에 있는 수소의 운동과 밀접한 관계가 있고 active dopants, 댕글링 본드 및 경계면 상태밀도의 변화로 해석된다.

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Development of gradient composite shielding material for shielding neutrons and gamma rays

  • Hu, Guang;Shi, Guang;Hu, Huasi;Yang, Quanzhan;Yu, Bo;Sun, Weiqiang
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제52권10호
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    • pp.2387-2393
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    • 2020
  • In this study, a gradient material for shielding neutrons and gamma rays was developed, which consists of epoxy resin, boron carbide (B4C), lead (Pb) and a little graphene oxide. It aims light weight and compact, which will be applied on the transportable nuclear reactor. The material is made up of sixteen layers, and the thickness and components of each layer were designed by genetic algorithm (GA) combined with Monte Carlo N Particle Transport (MCNP). In the experiment, the viscosities of the epoxy at different temperatures were tested, and the settlement regularity of Pb particles and B4C particles in the epoxy was simulated by matlab software. The material was manufactured at 25 ℃, the Pb C and O elements of which were also tested, and the result was compared with the outcome of the simulation. Finally, the material's shielding performance was simulated by MCNP and compared with the uniformity material's. The result shows that the shielding performance of gradient material is more effective than that of the uniformity material, and the difference is most noticeable when the materials are 30 cm thick.

기판과 부도체층을 개선한 $FM/Al_2O_3/FM$ (FM=Ferromagnet) 자기터널링 접합제작 및 자기수송에 관한 연구 (Improvement of Substrate and Insulationg Layer of FM Magnetic Tunneling Jundtion and the Study of Magnetic Transport)

  • 변상진;박병기;장인우;염민수;이재형;이긍원
    • 한국자기학회지
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    • 제9권5호
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    • pp.245-250
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    • 1999
  • 기판/Py/Al2O3/Co(Py=Ni81Fe19) 터널접합의 TMR(Tunneling Magnetoresistance)에 미치는 기판과 부도체층의 효과를 보기위해 산화시간을 변화시키고 기판의 종류를 변화시켜며 전기적 특성을 측정하였다. 시료는 진공중에서 in-situ로 새도우마스크를 교환하며 제작하였다. 산화시간의 증가에 따라 터널접합의 저항은 증가하였으며 측정된 MR 값은 감소하였다. 터널 비저항이 0.17 M$\Omega$($\mu\textrm{m}$)2이하인 경우 MR이 관측되었다. 기판의 종류에 따른 MR 값은 열산화시킨 Si(111), Si(100), Cornng Glass 2948, Corning Glass 7059 순으로 감소하였다. MR 값의 부호와 변화를 불균일 전류의 흐름으로 설명하였다.

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단일 공정에 의한 고효율 단일모드 반도체 레이저 구조 제작을 위한 고밀도 양자 나노구조 형성 (High-Density Quantum Nanostructure for Single Mode Distributed Feedback Semiconductor Lasers by One-Step Growth)

  • 손창식;백종협;김성일;박용주;김용태;최훈상;최인훈
    • 한국재료학회지
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    • 제13권8호
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    • pp.485-490
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    • 2003
  • We have developed a new way of the constant growth technique to maintain a grating height of originally-etched V-groove of submicron gratings up to 1.5 $\mu\textrm{m}$ thickness by a low pressure metalorganic chemical vapor deposition. The constant growth technique is well performed on two kinds of submicron gratings that made by holography and electron (e)-beam lithography GaAs buffer layer grown on thermally deformed submicron gratings has an important role in recovering the deformed grating profile from sinusoidal to V-shaped by reducing mass transport effects. The thermal deformation effect on submicron gratings made by e-beam lithography is less than that on submicron gratings made by holography. The constant growth technique is an important step to realize complex optoelectronic devices such as one-step grown distributed feedback lasers and two-dimensional photonic crystals.