• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.168-169
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• 2007

Organic transistors are promising in the future development of active devices for flexible, low-cost and large-area photoelectric devices. However, conventional organic field-effect transistors have lowspeed, low-power, and relatively high operational voltage. Vertical type transistors show high-speed and high-current characteristics and are suitable for driver elements of flexible displays.

• 대한전자공학회논문지
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• 제4권4호
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• pp.2-12
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• 1967

MOS 전계효과 transistor를 이용하여 직류착동증폭기를 설계하여 A 정도의 극미소직류전류를 측정하는 장치에 관한 연구이다. 등가회로를 이용하여 전압이득과 동상전압변별비를 주는 식을 유도하였으며 유효등가 source 저항을 대단히 높이기 위한 정전류원회로의 실현을 위한 해석을 하였다. 전압이득은 6.6, 상온에서의 drift는 하루에 1.5mv 정도이고 동상전압변별비는 최고 84db 이었다. 이것은 MOS transistor의 대단히 높은 입력저항의 특징을 살려 전잡상등에서 나오는 극미소직류전류의 측정을 간단하게 할 수 있게 하는 것이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.351-354
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• 2004

This thesis presents Bipolar transistor with SAVEN(Self-Aligned VErtical Nitride) structure as a high-speed device which is essential for high-speed system such as optical storage system or mobile communication system, and proposes 0.8${\mu}m$ BiCMOS Process which integrates LDD nMOS, LDD pMOS and SAVEN bipolar transistor into one-chip. The SPICE parameters of LDD nMOS, LDD pMOS and SAVEN Bipolar transistor are extracted, and comparator operating at 500MHz sampling frequency is designed with them. The small Parasitic capacitances of SAVEN bipolar transistor have a direct effect on decreasing recovery time and regeneration time, which is helpful to improve the speed of the comparator. Therefore the SAVEN bipolar transistor with high cutoff frequency is expected to be used in high-speed system.

• 대한전자공학회논문지
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• 제19권5호
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• pp.20-25
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• 1982

무조건 안정한 트란지스터를 요구하는 주파수에서 케비티 공진궤환 루우프를 이용하여 마이크로파 발진기를 설계하는 방법을 제시한다. 필요한 주파수로 공진하는 높은 Q의 공진기를 궤환 루우프로 걸어줌으로써 그 주파수에서만 트란지스터치 출력 임피던스의 실수부가 부저항 특성을 갖게 할 수 있으므로, 주파수가 안정한 발진기를 구성한다. 본 연구에서는 실리콘 바이폴라 TR HXTR 2101과 Q가 크며, 실제 크기가 작은 리엔트런트 캐비티를 이용하여 발진 주파수 2.33GHz, 발진출력 10mW의 발진기를 실현하여 보았다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.443-445
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• 2008

We have fabricated vertical type organic thin film transistor using $C_{60}$ as a n-type active material to improve the problems of conventional OTFTs. In general, it can be argued that the characteristics of organic transistor were influenced by carrier mobility and density. We have used several kinds of metals as source and gate electrodes to optimize the device characteristics using $C_{60}$. In addition, we have examined the feasibility of fabrication of organic light-emitting transistor (OLET) using MEH-PPV as an emission layer.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제5권1호
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• pp.17-20
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• 2006

This paper presents of a new type of memory cell that could potentially replace both DRAM and flash memory. The proposed device cell operates by sensing the state of about 1,000 electrons trapped between unique insulating barriers in the channel region of the upper transistor. These electrons are controlled by a side gate on the transistor, and their state in turn controls the gate of the larger transistor, providing signal gain within the memory cell. It becomes faster and more reliable memory with lower operation voltage. Moreover, the use of a multiple tunnel junction (MTJ) fur the vertical transistor can significantly improve the data retention and operation speed.

• Progress in Superconductivity
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• 제11권2호
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• pp.158-161
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• 2010

We measured the critical current of a Cooper pair transistor consisting of two Josephson junctions and a gate electrode. The Cooper pair transistors were fabricated by using electron-beam lithography and double-angle evaporation technique. The Gate voltage dependence of critical current was measured by observing voltage jumps at various gate voltages while sweeping bias current. The observed oscillation was 2e-periodic, which shows the Cooper pair transistor had low level of quasiparticle poisoning.

• 전기의세계
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• 제10권
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• pp.62-71
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• 1963

공업계측분야에 대한 계수기술은 최근획기적인 발전을 거두고있다. 계수화된 계측기는 측정정도에 있어서 개인차나 오산이 없으므로 과거의 눈금식의 계측방식은 이로 대치되어 갈것인데 그 계측 가능한 속도에 있어서 종래의 진공관보다 Transistor식이 되면 훨씬 고속도까지도 계수가 쉽게 되고 장치 및 계수표시용소비전력도 개량되어가고 있다. 이러한것이 되므로서 높은 주파수측정, 짧은 시간측정은 물론이고 전기적인 진폭의 크기를 Analog to Digital 변환기로서 정밀도가 높은 계측을 가능하게 하고 특히 방사능 측정에 있어서 종래의것보다 더 고속화되므로서 방사능의 완전한 성질을 파악할 수 있을 것이다. 그것은 1Cure의 방사능이 3.7*$10^{10}$dps의 붕괴수를 갖고 있으나 현재는 약 2.8*$10^{7}$ cps정도의 계측이 가능할 따름이다. 따라서 계측속도를 더 향상시키므로서 강한 방사능계측도 가능하게 된다. 이러한 고속계수문제의 해결을 하기 위하여 Transistor회로로서 두가지면으로 추구되고 있다. 그 하나는 고속도용 Transistor자체의 개발이며 또하나는 회로적인 개량연구이다. 여기서는 후자에 관해서만 생각하고, 거기에 적합한 Transistor를 얻었을때의 설계기준과 기본적인 실험결과에 관해서 논하기로 한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권8호
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• pp.783-793
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• 1997

A VLSI implementation of a self-learning neural network integrated circuits using a linearity synapse transistor is investigated. The thickness dependence of oxide current density stress current transient current and channel current has been measured in oxides with thicknesses between 41 and 112 $\AA$, which have the channel width $\times$ length 10 $\times$1${\mu}{\textrm}{m}$, 10 $\times$ 0.3${\mu}{\textrm}{m}$ respectively. The transient current will affect data retention in synapse transistors and the stress current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses. The synapse transistor has represented the neural states and the manipulation which gaves unipolar weights. The weight value of synapse transistor was caused by the bias conditions. Excitatory state and inhitory state according to weighted values affected the drain source current.

• 한국재료학회지
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• 제24권3호
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• pp.135-139
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• 2014

To obtain the transistor with ambipolar transfer characteristics, IGZO/SiOC thin film transistor was prepared on SiOC with various polarities as a gate insulator. The interface between a channel and insulator showed the Ohmic and Schottky contacts in the bias field of -5V ~ +5V. These contact characteristics depended on the polarities of SiOC gate insulators. The transfer characteristics of TFTs were observed the Ohmic contact on SiOC with polarity, but Schottky contact on SiOC with low polarity. The IGZO/SiOC thin film transistor with a Schottky contact in a short range bias electric field exhibited ambipolar transfer characteristics, but that with Ohmic contact in a short range electric field showed unipolar characteristics by the trapping phenomenon due to the trapped ionized defect formation.