• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제30권4호
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• pp.344-351
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• 2005

본 연구는 법랑소주의 말단과 측면에 대한 3단계, 2단계 및 단일 단계 접착제의 미세전단 결합강도를 상호 비교하였다. 발거된 상$\cdot$하악 대구치를 근, 원심 방향으로 1mm 두께가 되도록 절단하였다. 시편 중 협면과 설면 중앙부의 최 외층을 법랑소주의 말단이 노출된 시편으로 이용하였고, 내측에서 얻어진 시편을 법랑소주의 측면이 노출된 시편으로 이용하였다. 사용된 접착제에 따라 4개의 군 (1군 All-Bond 2, 2군: Single Bond, 3군: Tyrian SPE/One-Step Plus, 4군: Adper Prompt L-Pop)으로 분류하였다. 각 군당 법랑소주의 말단과 측면이 노출된 시편을 각각 7개씩 선택하여 각각의 접착제와 Tygon tube를 이용하여 복합레진을 접착한 후, universal testing machine에서 분당 1 mm의 crosshead speed의 전단하중을 가하여 미세전단 결합강도를 측정하였다. 각 군의 미세전단 결합강도를 통계학적으로 분석하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1 법랑소주 말단에 대한 미세전단 결합강도는 2군과 4군이 1군과 3군보다 통계학적으로 높게 나타났다 (p<0.05) 2. 법랑소주 측면에 대한 미세전단 결합강도는 2군은 1군, 3군, 4군보다 그리고 4군은 1군보다 통계학적으로 높게 나타났다 (p<0.05). 3. 모든 군에서 법랑소주 말단에 대한 미세전단 결합강도는 법랑소주 측면에 대한 결합강도보다 통계학적으로 높게 나타났다 (p<0.05).

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권8호
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• pp.438-444
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• 2000

We report the effects of etch process parameters on the ohmic contact formation in the plasma etching of GaN. Planar inductively coupled plasma system with $CH_4/H_2/Ar$gas chemistry has been used as etch reactor. The contact resistance and the specific contact resistance have been investigated using transfer length method as a function of RF bias power and %Ar gas concentration in total flow rate. AES(Auger electron spectroscopy) analysis revealed that the etched GaN has nonstoichiometric Ga rich surface and was contaminated by carbon and oxygen. Especially large amount of carbon was detected at the sample etched for high bias power (or voltage) condition, where severe degradation of contact resistance was occurred. We achieved the low ohmic contact of $2.4{\times}10^{-3} {\Omega}cm^2$ specific contact resistance at the input power 400 W, RF bias power 150 W, and working pressure 10mTorr with 10 sccm $CH_4$, 15 sccm H2, 5 sccm Ar gas composition.

• 한국진공학회지
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• 제6권1호
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• pp.91-96
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• 1997

평면형 유도 결합 플라즈마의 전기적 특성을 측정하였고 Langmuir probe를 이용하 여 전자의 밀도와 온도를 측정하였다. 코일과 플라즈마를 포함한 총 부하의 저항 성분은 1 에서 4$\Omega$까지 변하였고 인덕턱스는 $1.5\mu$H와 2$\mu$H사이의 값을 가졌다. $10^{11}/\textrm{cm}^3$ 이상의 고밀 도 플라즈마를 발생시켰으며 전자의 온도는 공정 조건에 따라 3에서 5eV까지 변하였다. 산 화막 식각시 선택도를 개선하기 위한 방법으로 바이어스 전압을 변조하는 방법을 모색하였 다. C4F8플라즈마에서 바이어스 변조 방법을 사용하였을 때 선택도는 크게 향상 되었으나 산화막 식각율이 400$\AA$/min 이하였다. 선택도 향상을 위해 수소를 첨가한 실험에서 $C_4F_8$ 플 라즈마에 60% $H_2$를 첨가하였을 때 선택도 50이상, 산화막 식각율 2000$\AA$/min 이상의 결과 를 얻을 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제47권6호
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• pp.540-545
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• 2010

In this study, we have investigated new plasma resistant materials with less usage of rare-earth oxides than $Y_2O_3$ which is currently used in the semiconductor industry. We observed the stability ranges of $(Gd{\cdot}Y)_3Al_5O_{12}$ and $(La{\cdot}Y)Al_{11}O_{18}$ ternary systems, and measured their etch rates under typical fluorine plasma. $(Gd{\cdot}Y)_3Al_5O_{12}$ system showed an extensive solid solution up to 80 mol% gadolinium, but $(La{\cdot}Y)Al_{11}O_{18}$ showed a negligible substitution between rare-earth ions, which can be explained by the differences between the ionic radii. The etch rates depended on the total amount of rare-earth oxides but not on the substitution of the rare-earth ions. When the specimen was examined using XPS after the exposure to fluorine plasma, the strong surface fluorination was observed with a shift of the binding energy to higher energy.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.80-81
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• 2012

Recently, one of the critical issues in the etching processes of the nanoscale devices is to achieve ultra-high aspect ratio contact (UHARC) profile without anomalous behaviors such as sidewall bowing, and twisting profile. To achieve this goal, the fluorocarbon plasmas with major advantage of the sidewall passivation have been used commonly with numerous additives to obtain the ideal etch profiles. However, they still suffer from formidable challenges such as tight limits of sidewall bowing and controlling the randomly distorted features in nanoscale etching profile. Furthermore, the absence of the available plasma simulation tools has made it difficult to develop revolutionary technologies to overcome these process limitations, including novel plasma chemistries, and plasma sources. As an effort to address these issues, we performed a fluorocarbon surface kinetic modeling based on the experimental plasma diagnostic data for silicon dioxide etching process under inductively coupled C4F6/Ar/O2 plasmas. For this work, the SiO2 etch rates were investigated with bulk plasma diagnostics tools such as Langmuir probe, cutoff probe and Quadruple Mass Spectrometer (QMS). The surface chemistries of the etched samples were measured by X-ray Photoelectron Spectrometer. To measure plasma parameters, the self-cleaned RF Langmuir probe was used for polymer deposition environment on the probe tip and double-checked by the cutoff probe which was known to be a precise plasma diagnostic tool for the electron density measurement. In addition, neutral and ion fluxes from bulk plasma were monitored with appearance methods using QMS signal. Based on these experimental data, we proposed a phenomenological, and realistic two-layer surface reaction model of SiO2 etch process under the overlying polymer passivation layer, considering material balance of deposition and etching through steady-state fluorocarbon layer. The predicted surface reaction modeling results showed good agreement with the experimental data. With the above studies of plasma surface reaction, we have developed a 3D topography simulator using the multi-layer level set algorithm and new memory saving technique, which is suitable in 3D UHARC etch simulation. Ballistic transports of neutral and ion species inside feature profile was considered by deterministic and Monte Carlo methods, respectively. In case of ultra-high aspect ratio contact hole etching, it is already well-known that the huge computational burden is required for realistic consideration of these ballistic transports. To address this issue, the related computational codes were efficiently parallelized for GPU (Graphic Processing Unit) computing, so that the total computation time could be improved more than few hundred times compared to the serial version. Finally, the 3D topography simulator was integrated with ballistic transport module and etch reaction model. Realistic etch-profile simulations with consideration of the sidewall polymer passivation layer were demonstrated.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제34권1호
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• pp.38-41
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• 2009

복합레진 수복을 위해 상아질에 total-etch adhesive system을 적용할 경우, 37% 인산 산부식제가 널리 사용되고 있다. 37% 인산은 매우 강력한 부식제로 구강점막이나 안면피부와 접촉되었을 때 심각한 해로운 효과가 발생될 수 있다. 이 증례 보고에서는 복합레진 수복과정에서 사용된 인산 산부식제에 의해 안면피부에 발생된 의원성 화학적 화상을 보고하고자 한다. 산부식제에 의한 화학적 화상은 산부식제를 부주의하고 부적절하게 사용함으로 발생될 수 있으며, 이러한 의원성 손상을 방지하기 위해서는 산부식과 수세과정 후 산부식제가 완전히 제거되었는지를 확인하여야하며, 복합레진 수복 시 러버댐이나 적절한 격리 기구를 사용하는 것이 필요할 것이다. 화상이 발생하였다면, 적절한 응급처치 후 피부과로 의뢰하는 것이 필요할 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제19권2호
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• pp.68-72
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• 2009

This study investigated dry etching of acrylic in capacitively coupled $SF_6$, $SF_6/O_2$ and $SF_6/CH_4$ plasma under a low vacuum pressure. The process pressure was 100 mTorr and the total gas flow rate was fixed at 10 sccm. The process variables were the RIE chuck power and the plasma gas composition. The RIE chuck power varied in the range of $25{\sim}150\;W$. $SF_6/O_2$ plasma produced higher etch rates of acrylic than pure $SF_6$ and $O_2$ at a fixed total flow rate. 5 sccm $SF_6$/5 sccm $O_2$ provided $0.11{\mu}m$/min and $1.16{\mu}m$/min at 25W and 150W RIE of chuck power, respectively. The results were nearly 2.9 times higher compared to those at pure $SF_6$ plasma etching. Additionally, mixed plasma of $SF_6/CH_4$ reduced the etch rate of acrylic. 5 sccm $SF_6$/5 sccm $CH_4$ plasma resulted in $0.02{\mu}m$/min and $0.07{\mu}m$/min at 25W and 150W RIE of chuck power. The etch selectivity of acrylic to photoresist was higher in $SF_6/O_2$ plasma than in pure $SF_6$ or $SF_6/CH_4$ plasma. The maximum RMS roughness (7.6 nm) of an etched acrylic surface was found to be 50% $O_2$ in $SF_6/O_2$ plasma. Besides the process regime, the RMS roughness of acrylic was approximately $3{\sim}4\;nm$ at different percentages of $O_2$ with a chuck power of 100W RIE in $SF_6/O_2$ plasma etching.

• 대한소아치과학회지
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• 제36권3호
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• pp.348-357
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• 2009

본 연구는 유구치 상아질의 각기 다른 부위(표층부, 심층부, 치경부)에서 복합레진 접착제의 접착강도를 비교, 평가하기 위하여 임상에서 흔히 사용하고 있는 서로 다른 4종의 접착방식(3-step total etch: 1군, 2-step total etch: 2군, 2-step self-etch: 3군, all-in-one: 4군)을 적용하고 복합 레진 ($Light-Core^{TM}$ Core Build-Up Composite)을 적층한 후, 미세인장접착강도를 비교하였을 때 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 접착방식간의 비교에서 레진의 접착방식에 따른 상아질 각 부위에서의 미세인장접착강도는 제 1군이 표층부에서 뚜렷이 높았으나(p<0.05) 2, 3, 4군은 부위에 따른 차이가 없었다. 2. 부위별 미세인장접착강도를 비교하여 보았을 때 상아질 표층부에서의 미세인장접착강도는 레진의 접착 방식간에 차이가 없었으나, 심층부에서는 2군, 3군, 4군 및 1군의 순으로 나타났고(p<0.05), 치경부에서는 2군과 3군이 1군과 4군에 비하여 현저히 높았다(p<0.05).

• 대한소아치과학회지
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• 제36권4호
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• pp.514-521
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• 2009

이 연구의 목적은 유치와 영구치의 법랑질에 자가 산부식 접착제 적용 전 부가적인 산부식 시간을 달리 하였을 때, 전단결합강도에 미치는 영향을 알아보기 위함이다. 각각 65개의 발거된 건전한 유치와 영구치 협, 설면 법랑질 시편을 제작하고 두 종류의 자가 산부식 접착제를 적용하였다. 실험군은 $Clearfil^{TM}$ SE bond, $Adper^{TM}$ $Prompt^{TM}$ $L-pop^{TM}$으로 처리한 두 개 군으로 나누고, 이를 다시 산부식 시간에 따라 여섯 군(0, 5, 10, 15, 20, 30초)으로 분류하였다. 대조군으로는 total-etching system인 $Adper^{TM}$ $Scotchbond^{TM}$ Multi-purpose plus를 사용하였다. 접착제 처리면을 복합레진으로 충전하고 24시간 경과 후 전단결합강도를 측정하고 Mann-Whitney test와 Kruskal-Wallis test를 사용하여 통계분석 하였다. 결과는 자가 산부식 접착제를 적용한 군은 유치, 영구치 모두에서 total etching system에 비해 낮은 전단 결합강도를 보였다. 자가 산부식 접착제 사용 군내에서 산부식을 추가로 시행하였을 때 유치와 영구치 모두에서 결합강도가 증가하였으며, 10초 이상 산부식을 시행한 경우 결합력의 차이는 없는 것으로 나타났다. 유치와 영구치간 결합력의 차이는 인정되지 않았다. 결론적으로, 자가 산부식 접착제의 법랑질에 대한 전단결합강도는 유치, 영구치 모두에서 10초 이상의 부가적 산부식이 결합력의 증가에 유리하게 작용하는 것으로 나타났다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제42권4호
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• pp.253-263
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• 2017

Objectives: The aim of the study was to evaluate the 5-year clinical performance of occlusal carious restorations using nanofill and microhybrid composites, in combination with 3-step etch-and-rinse adhesives, in patients who were going to commence orthodontic treatment. Materials and Methods: A total of 118 restorations for occlusal caries were conducted prior to orthodontic treatment. Occlusal restorations were performed both with Filtek Supreme XT (3M ESPE) and Filtek Z250 (3M ESPE) before beginning orthodontic treatment with fixed orthodontic bands. Restorations were clinically evaluated at baseline and at 1, 2, 3, 4, and 5-year recalls. Results: None of the microhybrid (Filtek Z250) and nanofill (Filtek Supreme XT) composite restorations was clinically unacceptable with respect to color match, marginal discoloration, wear or loss of anatomical form, recurrent caries, marginal adaptation, or surface texture. A 100% success rate was recorded for both composite materials. There were no statistically significant differences in any of the clinical evaluation criteria between Filtek Z250 and Filtek Supreme XT restorations for each evaluation period. Conclusions: The composite restorations showed promising clinical results relating to color matching, marginal discoloration, wear or loss of anatomical form, recurrent caries, marginal adaptation, and surface texture at the end of the 5-year evaluation period.