최근 들어 인터넷은 화상회의, 인터넷방송, 네트워크게임 등과 같은 광대역, 멀티미디어 서비스가 요구되는 멀티캐스트 서비스로 발전되고 있다. 이러한 광대역의 서비스를 제공하기 위해서는 많은 대역폭이 요구되므로 현재 망의 대안으로 WDM 방송망이 대두되고 있다. 이에 따라 본 논문에서 WDM 방송망 구조에서 멀티캐스트 서비스를 제공하기 위한 스케줄링 알고리즘을 제안하였다. 제안된 알고리즘은 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 기존의 스케줄링 알고리즘에 비해 적은 수의 서브 그룹수와 짧은 지연시간을 보임을 확인하였다.
In this paper, a power divider with a multi-band and broadband are designed and fabricated using an InGaP/GaAs process. The design of this divider is based on multi-band because it is important in the next generation IMT-Advances system. In this design, power divider is fabricated with the frequency of 824 MHz to 894 MHz, 1.8 GHz to 2.2 GHz and 2.3 GHz to 2.4 GH for cellular, personal communication system (PCS) and Wireless Broadband Internet (WiBro). The topology of the designed power divider is based on the multi-section and fabricated using integrated passive device (IPD) library of nanoENS Inc. It is measured using network analyzer.
This paper presents a 3kW grid-connection photovoltaic power generation system and its topology. Photovoltaic system must provide the sinusoidal output voltage wave for unity power factor High frequency switching converters are becoming more popular because of several benefits which are essential in power conversion system. This paper introduces a high speed digital controller using TMS320F2812 DSP chip which can be used for high frequency switching converters. The experimental results of the proposed PWM Inverter demonstrates its high performance with unity input power factor having very low distorsion in input current waveforms and good dynamic characteristics at full load.
Recently, the PDP is the most remarkable media for a next generation display device. But the PDP is a high power consumption device. It is to required a high efficiency power supply. We reported the experimental result the high efficiency PDP power supply for 550w class. The proposed converter is quasi-resonant flyback topology, it achieves soft-switching in the single-switch flyback converter. As a result, we realize to very high efficiency power supply for PDP of 95% at 400v dc input and 550Watt output.
In this study, we present a new topology for realizing a grounded inductor employing only a single current conveyor, called a negative-type modified inverting second-generation current conveyor (MICCII-), and a minimum number of passive components, two resistors, and one capacitor. The non-ideality effects of the MICCII- on a simulated inductor are investigated. To demonstrate the performance of the presented inductance simulator, we use it to construct a third order Butterworth high-pass filter and a parallel resonant circuit. Simulation results are given to confirm the theoretical analysis.
Polygonal finite element provides a great flexibility in mesh generation of crack propagation problems where the topology of the domain changes significantly. However, the control of the discretization error in such problems is a main concern. In this paper, a polygonal-FEM is presented in modeling of crack propagation problems via an automatic adaptive mesh refinement procedure. The adaptive mesh refinement is accomplished based on the Zienkiewicz-Zhu error estimator in conjunction with a weighted SPR technique. Adaptive mesh refinement is employed in some steps for reduction of the discretization error and not for tracking the crack. In the steps that no adaptive mesh refinement is required, local modifications are applied on the mesh to prevent poor polygonal element shapes. Finally, several numerical examples are analyzed to demonstrate the efficiency, accuracy and robustness of the proposed computational algorithm in crack propagation problems.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제18권2호
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pp.141-143
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2018
Two 110-GHz oscillators have been developed in 65-nm CMOS technology. To study the effect of layout on the circuit performance, both oscillators had the same LC cross-coupled topology but different layout schemes of the circuit. The oscillator with the conventional cross-coupled design (OSC1), showed an output power of -3.9 dBm at 111 GHz with a phase noise of -75 dBc/Hz at 1-MHz offset. On the other hand, OSC2, with a modified cross-coupled line layout, generated an output power of -2.0 dBm at 117 GHz with a phase noise of -77 dBc/Hz at 1-MHz offset. The result indicates that the optimized layout can improve key oscillator performances such as oscillation frequency and output power.
A new fast-response high-current clamp DC-DC converter circuit design is presented that will meet the requirements and features of the new generation of microprocessors and digital systems. The clamp in the proposed converter amplifies the current in case of severe load changes and is able to produce high slew rate of output current and capability to keep constant the output voltage. This proposed high-current clamp technique is theoretically loss less, low cost and easy to implement with simple control scheme. This is modified from a basic buck topology by replacing the output inductor with two magnetically coupled inductors. Inductors are difference in inductance, one has large inductance and other has small inductance. The inductor with small inductance will take over the output inductor during fast load transient. It speedup the output current slew rate and reduce the output voltage drop in the case of heavy burden load changes.
${\bullet}$ Silicon Carbide (SiC) had excellent material properties as the base material for next generation of power semiconductor. In developing SiC MOSFET, gate oxide reliability issues had to be first overcome before commercial application. Besides, a high and stable gate-source voltage threshold $V_{GS(th)}$ is also an important parameter for operation robustness. SiC MOSFET with such characteristics can directly use existing high-speed IGBT gate driver IC's. ${\bullet}$ The linear voltage drop characteristics of SiC MOSFET will bring lower conduction loss averaged over full AC cycle compared to similarly rate IGBT. Lower switching loss enable higher switching frequency. Using package with auxiliary source terminal for gate driving will further reduce switching losses. Dynamic characteristics can fully controlled by simple gate resistors. ${\bullet}$ The low switching losses characteristics of SiC MOSFET can substantially reduce power losses in high switching frequency operation. Significant power loss reduction is also possible even at low switching frequency and low switching speed. in T-type 3-level topology, SiC MOSFET solution enable three times higher switching freqeuncy at same efficiency.
Li, Hao Leo;Hu, Aiguo Patrick;Covic, Grant Anthony
Journal of Power Electronics
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제11권3호
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pp.256-263
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2011
This paper utilizes free oscillation and energy injection principles to generate and control the high frequency current in the primary track of a contactless power transfer system. Here the primary power inverter maintains natural resonance while ensuring near constant current magnitude in the primary track as required for multiple independent loads. Such energy injection controllers exhibit low switching frequency and achieve ZCS (Zero Current Switching) by detecting the high frequency current, thus the switching stress, power losses and EMI of the inverter are low. An example full bridge topology is investigated for a contactless power transfer system with multiple pickups. Theoretical analysis, simulation and experimental results show that the proposed system has a fast and smooth start-up transient response. The output track current is fully controllable with a sufficiently good waveform for contactless power transfer applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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