• Computers and Concrete
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• 제22권6호
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• pp.551-561
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• 2018

The percolation of interfacial transition zone (ITZ) in cementitious materials is of great importance to the transport properties and durability issues. This paper presents numerical simulation research on the ITZ percolation threshold of mortar specimens at meso-scale. To simulate the meso-scale model of mortar as realistically as possible, the aggregates are simplified as ellipsoids with arbitrary orientations. Major and minor aspect ratios are defined to represent the global shape characteristics of aggregates. Some algorithms such as the burning algorithm, Dijkstra's algorithm and Connected-Component Labeling (CCL) algorithm are adopted for identification of connected ITZ clusters and percolation detection. The effects of gradation and aspect ratios of aggregates on ITZ percolation threshold are quantitatively studied. The results show that (1) the ITZ percolation threshold is mainly affected by the specific surface area (SSA) of aggregates and shows a global decreasing tendency with an increasing SSA; (2) elongated ellipsoidal particles can effectively bridge isolated ITZ clusters and thus lower the ITZ percolation threshold; (3) as ITZ volume fraction increases, the bridging effect of elongated particles will be less significant, and has only a minor effect on ITZ percolation threshold; (4) it is the ITZ connectivity that is essentially responsible for ITZ percolation threshold, while other factors such as SSA and ITZ volume fraction are only the superficial reasons.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.194-199
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• 2020

본 논문에서는 비대칭 무접합 이중게이트 MOSFET에 대한 문턱전압이동을 상단과 하단 게이트 산화막 두께에 따라 분석하였다. 비대칭 구조에서는 상단과 하단 게이트 산화막 두께를 달리 제작할 수 있으므로 문턱전압이동을 일정하게 유지하면서 상단 게이트에서 발생할 수 있는 누설전류를 감소시키기 위하여 상단과 하단 산화막 두께를 조정할 수 있다. 이를 위하여 해석학적 문턱전압 모델을 제시하였으며 이 모델은 2차원 시뮬레이션 값과 잘 일치하였다. 결과적으로 일정한 문턱전압이동을 유지하면서 하단 게이트 산화막 두께를 감소시키면 상단 게이트 산화막 두께를 증가시킬 수 있어 상단 게이트에서 발생할 수 있는 누설전류를 감소시킬 수 있을 것이다. 특히 하단 게이트 산화막 두께가 증가하여도 문턱전압이동에는 큰 영향을 미치지 않는다는 것을 관찰하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권6호
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• pp.58-62
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• 1985

이온 주입된 소형 MOSFET소자에 대한 해석적 문턱 전압 모델이 유도되었다. 일정한 도우핑 농도를 갖는 MOSFET에 적용되는 Yau 모델을 implanted channel구조와 bird's beat구조의 MOSFET에 대하여 적합한 형태로 수정하여 short channel 현상과 narrow width 현상을 정량적으로 설명하였다. Channel영역의 불순물 분포를 SUPREM 결과에서 2-step profile로 근사시켜 문턱 전압의 short channel model을 제안하였다. Weighting factor를 사용하여 bird's beat 영역의 불순물 분포를 고려함으로써 narrow width 현상을 성공적으로 설명하였다.

• 상하수도학회지
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• 제16권6호
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• pp.710-716
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• 2002

A General Pipe Break Prediction Model that incorporates linear and exponential models in its form is developed. The model is capable of fitting pipe break trends that have linear, exponential or in between of linear and exponential trend by using a weighting factor. The weighting factor is adjusted to obtain a best model that minimizes the sum of squared errors of the model. The model essentially plots a best curve (or a line) passing through "cumulative number of pipe breaks" versus "break times since installation of a pipe" data points. Therefore, it prevents over-predicting future number of pipe breaks compared to the conventional exponential model. The optimal replacement time equation is derived by using the Threshold Break Rate equation by Loganathan et al. (2002).

• Communications for Statistical Applications and Methods
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• 제8권1호
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• pp.109-115
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• 2001

Wavelet coefficients are known to have decorrelating properties, since wavelet is orthonormal transformation. but empirically, those wavelet coefficients of images, like edges, are not statistically independent. Jansen and Bultheel(1999) developed the empirical Bayes approach to improve the classical threshold algorithm using local characterization in Markov random field. They consider the clustering of significant wavelet coefficients with uniform distribution. In this paper, we developed wavelet thresholding algorithm using Laplacian distribution which is more realistic model.

• 대한산업공학회지
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• 제17권2호
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• pp.107-113
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• 1991

This article develops a control model for an open queueing network in terms of both the input and the output processes with stochastic intensities. The input and the output intensities are subject to some capacity limits and optimum control is characterized by a threshold type with a finite upper barrier. A discounted profit is used as a decision criteria, which is revenue minus operating and holding cost.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제9권6호
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• pp.733-737
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• 2011

This paper has studied subthreshold characteristics for double gate(DG) MOSFET using Gaussian function in solving Poisson's equation. Typical two dimensional analytical transport models have been presented for symmetrical Double Gate MOSFETs (DGMOSFETs). Subthreshold swing and threshold voltage are very important factors for digital devices because of determination of ON and OFF. In general, subthreshold swings have to be under 100mV/dec, and threshold voltage roll-off small in short channel devices. These models are used to obtain the change of subthreshold swings and threshold voltage for DGMOSFET according to channel doping profiles. Also subthreshold swings and threshold voltages have been analyzed for device parameters such as channel length, channel thickness and channel doping profiles.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제9권6호
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• pp.2079-2088
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• 2014

In this paper, we propose new physically based threshold voltage models for short channel Surrounding Gate Silicon Nanowire Transistor with two different geometries. The model explores the impact of various device parameters like silicon film thickness, film height, film width, gate oxide thickness, and drain bias on the threshold voltage behavior of a cylindrical surrounding gate and rectangular surrounding gate nanowire MOSFET. Threshold voltage roll-off and DIBL characteristics of these devices are also studied. Proposed models are clearly validated by comparing the simulations with the TCAD simulation for a wide range of device geometries.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.61-65
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• 2013

본 논문에서는 기존 에너지 스펙트럼 센싱 할 경우 고정된 FA를 기반으로 정해진 임계값에 따라 센싱이 진행된다. 하지만 SNR 상태가 높다면 낮은 레벨의 SNR에서보 비해 오경보 확률이 일어날 확률이 상대적으로 적어진다. 따라서 90%로 이상의 검출확률을 얻는 구간에 대하여 FA를 제어하는 방법으로 오경보 확률을 높게 설정하지 않아도 검출확률이 유지 되는지를 확인한다. 따라서 CR사용자의 SNR 상태에 따라 FA값을 컨트롤하여 적응적 임계값을 얻는 시스템 모델을 제안하고 성능을 분석한다.

• 한국정보과학회논문지:소프트웨어및응용
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• 제36권1호
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• pp.82-91
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• 2009

수화 적출은 연속된 손 동작에서 의미 있는 수화 단어를 검출 및 인식하는 것을 말한다. 수화는 손의 움직임과 모양의 변화가 다양하기 때문에 수화 문장에서 수화를 적출하는 것은 쉬운 문제가 아니다. 특히, 자연스러운 수화 문장에는 의미 있는 수화, 수화가 아닌 손동작이 무작위로 발생한다. 본 논문에서는 CRF(Conditional Random Field)에 기반한 적응적 임계치 모델을 제안한다. 제한된 모델은 수화 어휘집에 정의된 수화 손동작과 수화가 아닌 손동작을 구별하기 위한 적응적 임계치 역할을 수행한다. 또한, 수화 적출 및 인식의 성능 향상을 위해 손 모양 기반 수화 인증기, 짧은 수화 적출기, 부사인(subsign) 추론기를 제안된 시스템에 적용하였다. 실험 결과, 제안된 방법은 연속된 수화 동작 데이타에서 88%의 적출률, 사전에 적출된 수화 동작 데이타에서 94%의 인식률을 보였으며, 적응적 임계치 모델, 짧은 수화 적출기, 손 모양 기반 수화 인증기, 부사인 추론기를 사용하지 않은 CRF 모델은 연속된 수화 동작 데이터에서 74%의 적출률, 사전에 적출된 수화 동작 데이타에서 90%의 인식률을 보였다.