• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제18권4호
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• pp.134-137
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• 2019

In this paper, the data retention characteristics were analyzed to find out the thickness effect on the trap energy distribution of silicon nitride in the silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory devices. The nitride films were prepared by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The flat band voltage shift in the programmed device was measured at the elevated temperatures to observe the thermal excitation of electrons from the nitride traps in the retention mode. The trap energy distribution was extracted using the charge decay rates and the experimental results show that the portion of the shallow interface trap in the total nitride trap amount including interface and bulk trap increases as the nitride thickness decreases.

• 대한토목학회논문집
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• 제26권6C호
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• pp.369-376
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• 2006

1차원 압밀시험에서 구해진 결과는 상사법칙을 적용하여 원지반의 침하량과 압밀시간을 추정하고 있다. 하지만 점토의 변형의존성, 층두께, 재하시간, 하중증분비 등에 의해 변화하기 때문에 상사법칙의 성립은 명확하게 밝혀지지 않고 있다. 본 연구는 재하시간과 층두께를 달리하여 압밀시험과 투수시험을 병행하여 상사법칙의 적용성을 나타내었다. 그 결과, f(=1+e)-logk관계는 점토의 특성을 잘 나타내고 있으며, $c_{\nu}$와 k는 보정이 필요없는 것으로 나타났으며, 상사법칙은 f-logp관계의 위치와 1차 압밀선에 의존하고 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.1399-1404
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 10^-7 A/m일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널 효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권4호
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• pp.319-323
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• 2001

펄스레이저 증착법 (PLD)으로 (0001)면 사파이어 기판 위에 성장시킨 ZnO 박막의 두게 변화가 표면형상, 결정성 및 전기/광학적 특성에 미치는 효과에 대하여 조사하였다. SEM 및 XRD 분석을 통해 약 4000 의 두께에서 3차원 island들이 생성되며, 박막의 두께가 증가함에 따라 결정립의 크기가 증가하고, 결정성이 향상되었음을 알 수 있었다 상온에서의 PL 측정을 통해 두께가 증가함에 따라 ultraviolet(UV) 및 deep level emission peak의 강도가 급격히 증가함을 알 수 있었다. Hall측정 결과, 모든 박막들이 H형 전도도를 보였고, 운반자농도가 $10^{19}$ $cm^{-3}$ 이상이었으며, 두께가 증가할수록 운반자농도가 감소하여 약 4000 에서 포화되는 경향을 보였다. 따라서, 사파이어 기판 위에 증착시킨 ZnO 박막은 약 4000 의 두께에서 bulk ZnO의 특성을 나타내었다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2004년도 동계학술연구발표회 논문개요집
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• pp.80-80
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• 2004

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 The 1st International Symposium on Advanced Magnetic Materials
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• pp.76.1-76.1
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• 2007

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 The 1st International Symposium on Advanced Magnetic Materials
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• pp.225.1-225.1
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• 2007

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 The 1st International Symposium on Advanced Magnetic Materials
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• pp.12.1-12.1
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• 2007

• Progress in Superconductivity
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• 제14권2호
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• pp.96-98
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• 2012

Bias current dependence of a superconducting strip photon detector is studied in the wavelength range of 405 to 1310 nm. The detector is made of an $MgB_2$ meander pattern with the line width of 135 nm and thickness of 10 nm. At 1310 nm, the detection efficiency exponentially decreases as the bias current decreases. While at 405 nm, the detection efficiency almost saturates in the high bias current region. These features suggest that the intrinsic detection efficiency of the $MgB_2$ detector is high at 405 nm.

• ETRI Journal
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• 제23권1호
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• pp.33-38
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• 2001

A numerical simulation and an experimental implementation of T-shaped microstrip-fed printed slot array antenna are presented in this paper. The proposed antenna with relative permittivity 4.3 and thickness 1.0mm is analyzed by the finite-difference time-domain (FDTD) method. The dependence of design parameters on the bandwidth characteristics is investigated. The measured bandwidth of twin-slot array antenna is from 1.37 GHz to 2.388 GHz, which is approximately 53.9 % for return loss less than or equal to -10 dB. The bandwidth of twin-slot is about 1.06 % larger than that of single-slot antenna. The measured results are in good agreement with the FDTD results.