링 발진기를 이용한 온도센서를 공급전압 1.5volts를 사용하여 0.18㎛ CMOS 공정으로 설계하였다. 온도센서는 온도가 변화하더라도 일정한 출력주파수를 가지는 링 발진기와 온도가 증가하면 출력주파수가 감소하는 링 발진기를 이용하여 설계하였다. 온도를 디지털 값으로 변환하기 위해 온도에 무관한 링 발진기의 출력 신호는 카운터의 클럭 신호로 사용하였으며, 온도에 따라 변화하는 링 발진기의 출력신호는 카운터의 인에이블 신호로 사용하였다. 설계된 회로의 HPICE 시뮬레이션 결과 회로의 동작온도가 -20℃에서 70℃까지 변화할 때 온도 에러는 -0.7℃에서 1.0℃ 이내였다.
본 논문에서는 열간압연 ROT 공정에서 고강도 내후성강을 대상으로 압연 강판의 길이방향의 온도와 재질을 제어하기 위하여 독립냉각제어(ICC) 라는 새로운 제어개념을 제안하였다. ROT 공정을 전단냉각 및 후단냉각으로 분리하였으며, 각각의 독립공정에 대하여 온도제어 모델을 개발하였다. ICC 제어는 열간압연 공장의 온라인 데이터, 제어상의 문제점 및 내후성강의 TTT 선도로부터 도출하였다. 제안된 ICC 제어의 알고리즘은 변태발열에 의한 온도 외란을 이용하여 타당성을 검증하였다. 또한 열연공장에서 온라인으로 테스트 결과 강판의 온도제어 정도가 향상되었음을 입증하였다.
근래 추진제의 개발 동향은 온도 둔감 특성을 가지는 것을 목표로 온도에 둔감한 특성을 가진 DNDA-57을 활용한 개발이 이루어지고 있다. 이번 연구에서는 DNDA-57이 포함된 추진제에 대해 Closed Bomb Test 및 40MM 발사시험을 통해 온도 둔감 효과를 확인하였다. 현재 최적의 추진제 형상 및 조성, 그리고 작업 공정에 대한 연구가 진행 중이다. 향후 최적의 조성 및 공정을 수립하기 위한 연구를 지속적으로 수행할 계획이다.
PURPOSES : The purpose of this study is to develop a regression model to predict the International Roughness Index(IRI) and Surface Distress(SD) for the estimation of HPCI using Expressway Pavement Management System(PMS). METHODS : To develop an HPCI prediction model, prediction models of IRI and SD were developed in advance. The independent variables considered in the models were pavement age, Annual Average Daily Traffic Volume(AADT), the amount of deicing salt used, the severity of Alkali Silica Reaction(ASR), average temperature, annual temperature difference, number of days of precipitation, number of days of snowfall, number of days below zero temperature, and so on. RESULTS : The present IRI, age, AADT, annual temperature differential, number of days of precipitation and ASR severity were chosen as independent variables for the IRI prediction model. In addition, the present IRI, present SD, amount of deicing chemical used, and annual temperature differential were chosen as independent variables for the SD prediction model. CONCLUSIONS : The models for predicting IRI and SD were developed. The predicted HPCI can be calculated from the HPCI equation using the predicted IRI and SD.
A self-biased CMOS current reference is described which provides supply and temperature independent bias current. The supply independency is obtained by subtracting two bias currents which have the same supply dependency. Unlike the conventional self-bias CMOS current reference, excellent supply independency can be obtained even with the minimum channel length devices and thus smaller area implementation becomes possible. The supply independent bias current is then applied to a temperature compensating circuit and as a result supply and temperature independent bias current is obtained. The current reference has been implemented in a $0.25{\mu}m$ standard CMOS technology. The active silicon area is only $45{\mu}m{\times}45{\mu}m$. The simulated temperature coefficient is 64ppm/$^{\circ}C$ in temperature range between $0^{\circ}C$ and $120^{\circ}C$. Supply voltage can be as low as 1.3V and the supply dependency of the current reference is measured to be smaller than 4500ppm/V. While providing $10.25{\mu}A$ output current, the current reference consumes $160{\mu}W$.
본 논문에서는 DTV 중계기용 Temperature Independent Biasing을 이용한 100 watt급 단위 전력증폭기를 설계한 후, 제작하였다. $20^{\circ}C$에서 $100^{\circ}C$까지의 온도변화에 대하여 단위 전력증폭기의 DC 동작점은 능동 바이어스에 의해서 고정되며, 증폭기의 소모전류의 변화량이 0.6A 이하의 우수한 특성을 얻었다. 제작된 단위 전력증폭기는 12dB 이상의 이득, $\pm$0.5dB 이하의 이득 평탄도, DTV 중계 주파수범위(470-806 MHz)에 걸쳐 15dB 이하의 입.출력 반사손실을 나타내었다. 100 Watt 단위 전력증폭기는 출력 전력이 100 watt일 때 2MHz의 오프셋에서 32dBc 이상의 상호 변조 왜곡(IMD)을 나타내었다.
The characteristic of pyrolytic carbon deposited in a fluidized bed as measured by density apparent crystallite size and viewed metallographically under polarized light can be easily controlled by adjusting the deposition parameters such as deposition temperature and propane flow rate or silicon content. The density of isotopic pyrolytic carbons deposited from propane between 120$0^{\circ}C$ and 140$0^{\circ}C$ increases with increasing propane flow rate and decreasing deposition temperature from 1, 73g/cc to 2.08g/cc. The apparent crystallite size Lc parameter appears to depend only on deposition temperature being entirely independent of the propane flow rate. The carbon matrix density of the silicon-alloyed carbonds deposited from propane and methyltrichlorosil-ane from 2.05g/cc for a silicon content around 9wt% to 2.67g/cc for a silicon content of 36.7wt% The Lc parameter of the deposition temperature being entirely independent of the silicon content.
In this paper, we have proposed a principle to design a compact and temperature independent electro-optic switch based on a slotted photonic crystal directional coupler (SPCDC). Infiltration of the slotted silicon photonic crystal with polymer enhances the slow light and decreases the switching length, whereas the different signs of thermo-optic coefficients of the polymer and silicon make the proposed switch stable within $25^{\circ}C$ to $85^{\circ}C$ temperature range. The SPCDC structure is modified to increase poling efficiency of the polymer in the slot and to flatten the dispersion diagram of the even mode to minimize the switching length.
본 논문에서는 온도 및 공정 보상 전류 미러(temperature and process compensation current mirror: TPC-CM)를 이용한 정밀 전류 레퍼런스를 제안하였다. 온도 변화에 영향을 받지 않는 기준 전류는 절대 온도에 비례하여 증가하는 PTAT (proportional to absolute temperature) 전류와 온도에 반비례하여 감소하는 CTAT(complementary to absolute temperature) 전류의 합으로 생성된다. 그러나 온도 계수(temperature coefficient)와 기준 전류의 크기는 공정 변화에 크게 영향을 받는다. 이런 공정 변화를 보정하기 위하여, 제안된 TPC-CM에서는 온도 계수와 기준 전류의 크기를 조절하는 두 개의 이진 가중치 전류 미러(binary weighted current mirror)를 이용하였다. 제작된 각 칩마다 PTAT 전류와 CTAT 전류를 측정한 후, 기준 전류의 크기가 온도에 상관없이 일정하도록, TPC-CM의 스위치 코드를 결정하고 그 값을 비휘발성 메모리에 저장한다. 시뮬레이션에서 TPC-CM는 공정변화 영향을 19.7%에 서 0.52%로 줄였다. 제안된 전류 레퍼런스는 3.3V 0.35um CMOS 공정을 이용하여 제작되었으며, 측정된 칩의 기준 전류 변화율은 $20^{\circ}$C${\sim}$100$^{\circ}$C에서 0.42%였다.
화포 추진제는 표면을 코팅함으로서 온도 둔감 특성을 얻을 수 있다. 이들 추진제의 연소 속도는 추진제 온도에는 크게 의존 하지 않고, 강내 최대 평균 압력을 이용함으로서 탄 속도 증가에 크게 기여할 수 있다. 본 연구에서는 표면 코팅 추진제의 온도둔감 특성을 Closed Bomb Test(CBT) 및 40미리 고중량탄을 적용한 Simulator Gun 시험을 통하여 확인하였으며, 온도둔감 특성을 가지는 코팅 추진제 제조에 대한 가능성을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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