• 터널과지하공간
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• 제11권4호
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• pp.352-361
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• 2001

저온 냉각상태 및 냉각 후 상온 해빙 상태에서 암석의 모드 I 파괴인성을 BDT와 CCNBD시험편을 사용하여 구하였다. 실험 온도 범위는 상온($25^{\circ}C$)에서 -16$0^{\circ}C$로 설정하였으며 건조 및 포화된 화강암과 사암을 사용하여 파괴인성에 대한 공극수와 공극률의 영향 정도를 조사하고자 하였다. 또한 냉각 과정에서 발생할 수 있는 열균열을 조사하기 위해서 SEM 이미지 분석도 실시하였다. 냉각된 암석의 파괴인성은 온도가 하강함에 따라 증가하였다. 이러한 증가경향은 포화시료에서 더 크게 나타났으며, 포화 시료의 경우 화강암의 증가율이 사암에 비해 크게 나타났다. 냉각 후 상온 해빙 상태에서 구한 파괴인성의 경우, 냉각을 거 치지 않은 상온 상태의 파괴인성 값의 15% 이내에서 결정되었다. 냉각-해빙을 거친 시료에 대한 SEM 분석결과 화강암의 경우 조암광물간의 열팽창 차이에 의한 열균열을 확인할 수 있었으며 냉각온도가 낮을수록 균열밀도가 증가하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.959-962
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• 2001

In this study, the piezoelectric and dielectric properties and Temperature stability of resonant frequency with MnO$_2$doped 0.36Pb(Sc$_{1}$2/Nb$_{1}$2/)O$_3$- 0.25Pb(Ni$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_3$-0.39PbTiO$_3$(hereafter PSNNT) were investigated. The tetagonality of crystal structure was developed with increasing MnO$_2$additive content. With increasing MnO$_2$additive content, the electromechanical coupling factor and quality factor were increased. Electromechanical coupling k$_{p}$ and quality factor Q$_{m}$ at MnO$_2$doped with 2.0mol% were showed highest value of 55.6% and 252. In the case of specimen for MnO$_2$doped with 2mol%, temperature dependance of resonant frequency had a good properties.ies.

• 천문학회보
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• 제41권2호
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• pp.44.2-45
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• 2016

We present near-infrared photometric properties of red supergiant stars (RSGs) in three galaxies NGC 4449, NGC 5055 and NGC 5457. The near-infrared imaging data of WFCAM UKIRT were used and combined with optical archive data to identify the RSGs in the galaxies. We found that the RSGs can be identified from the foreground Galactic stars in (i-K, ri) colour-colour diagram. The effective temperatures and luminosities of the identified RSGs are estimated from JHK photometry using MARCS model. In the H-R diagram, the majority of RSGs in the galaxies are distributed between $logL/L{\odot}=4.8$ and 5.7, and their effective temperature and luminosities agree with the current evolutionary tracks with masses in the range $9-30M{\odot}$. We also compared the spatial distribution of RSGs with the HII regions. A tight spatial correlation between RSGs and HII region was found in NGC 4449 and NGC 5457. We do not find a clear metallicity dependance on the RSG effective temperature in the three galaxies, but the maximum luminosity of the three galaxies is constant at $logL/L{\odot}{\sim}5.6$. Additional spectroscopy data, including photometry are essential to examine whether the physical properties of RSGs change with metallicity.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.99-100
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• 2007

ZnO films on $Al_2O_3$ substrates were grown using a pulsed laser deposition method. Through photoluminescence (PL) and X-ray diffraction (XRD) measurements, the optimum growth conditions for the ZnO growth were established. The results of the XRD measurements indicate that ZnO films were strongly oriented to the c-axis of the hexagonal structure and epitaxially crystallized under constraints created by the substrate. The full width half maximum for a theta curve of the (0002) peak was $0.201^{\circ}$. Also, from the PL measurements, the grown ZnO films were observed to give free exciton behaviour, which indicates a high quality of the epilayer. The Hall mobility and carrier density of the ZnO films at 293 K were estimated to be $299\;cm^2/V\;s$ and $8.27\;{\times}\;10^{16}\;cm^{-3}$, respectively. The absorption spectra revealed that the temperature dependance of the optical band gap on the ZnO films was $E_g(T)\;=\;3.439\;eV\;-\;(5.30\;{\times}\;10^{-4}\;ev/K)T^2(367\;+\;T)$.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권4호
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• pp.170-175
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• 2001

It was possible to grow the $Al_{2}O_{3}$ based $Y_{3}A_{5}O_{12}(YAG),ZrO_{2}$ binary and ternary eutectic fibers using micro-pulling down method with a growing rate of 0.1~15 mm/min. While $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ showed cellular-lamellar structure, $Al_{2}O_{3}$/YAG and $Al_{2}O_{3}$/YAG/$ZrO_{2}$ternary eutectic fibers showed homogeneous Chinese script lamellar structures. The microstructures of $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ binary eutectic fibers changed with solidification rate from lamellar pattern to cellular structure. The interlamellar spacing agreed with the inverse-square-root dependance on pulling rate according to $\lambda$=$kv_p\;{-1/2}$. $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ binary eutectic fibers recorded the highest tensile strength of about 1560MPa at room temperature. $Al_2O_3/YAG/ZrO_2$ternary eutectic fiber showed excellent thermal stability to $1200^{\circ}C$ without significant decrease. The maximum strength of ternary eutectic fibers recorded were 1100MPa at $25^{\circ}C$ and 970MPa at $1200^{\circ}C$, respectively.

• 센서학회지
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• 제3권3호
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• pp.36-44
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• 1994

Inp 소자를 이용하여 광섬유 온도 센서를 제작하고 InP센서의 기초 광흡수단의 이동특성을 조사하였다. 그 결과를 일반 반도체의 흡수계수에 적용하여 InP 소자의 광흡수 계수(${\Omega}$)를 유도하였다. 광흡수 계수와 InP 센서소자의 두께 파라미터를 전달특성에 대입하여 온도변화에 따른 기초 광흡수단 가장자리의 이동특성을 세점의 온도($249^{\circ}K$, $298^{\circ}K$, $369^{\circ}K$)에서 컴퓨터로 계산하고 실험 결과와 비교하였다. 그 결과 InP 소자의 기초 광흡수단이 온도에 비례하여 장파장 영역으로 이동하였으며 단위 온도 상승시 광흡수단의 이동거리는 약 0.42 nm / $^{\circ}K$ 였다. 또 반도체 소자의 두께가 증가할수록 광 파워 밀도 곡선이 낮은 온도로 이동하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제22권12호
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• pp.79-86
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• 2008

본 논문은 온도변화에 따른 $SF_6/N_2$ 혼합가스 중에서 높은 불평등전계의 임펄스절연파괴특성에 대한 실험적인 결과를 기술하였다. 온도범위는 $-25{\sim}25[^{\circ}C]$로 정하여 실험을 수행하였다. 임펄스 전구방전진전은 방전전류와 방전 광신호의 측정에 의해 분석되었다. 결과로써, 절연파괴전압은 정극성보다 부각성에서 온도변화에 대한 의존성이 강하게 나타났다. 온도가 상승함에 따라 부극성에서의 리더진전 스텝핑시간이 정극성보다 더 길게 나타났다. 본 연구 결과는 뇌서지에 대하여 우수한 성능을 가지는 가스절연선로의 설계에 유용한 정보가 될 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 제5회 학술대회 논문집 일렉트렛트 및 응용기술연구회
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• pp.61-64
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• 2003

This paper presents Bi thin films have been fabricated by atomic layer-by-layer deposition and co-deposition at an IBS method. The growth rates of the films was set in the region from 0.17 to 0.27 nm/min. Mg(100) was used as a substrate. In order to appreciate stable existing region of Bi 2212 phase with temperature and ozone pressure, the substrate temperature was varied between 655 and $820^{\circ}C$ and the highly condensed ozone gas pressure$(PO_3)$ in vacuum chamber was varied between $2.0{\times}10^{-6}$ and $2.3{\times}10^{-5}$ Torr. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and $795^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than $785^{\circ}C$. Whereas, $O_3$ dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation. And high quality of c-axis oriented Bi 2212 thin film with $T_c$(onset) of about 90 K and $T_c$(zero) of about 45 K is obtained. Only a small amount of CuO in some films was observed as impurity, and no impurity phase such as $CaCuO_2$ was observed in all of the obtained films.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.615-618
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• 2003

동시 성막법에 의한 저속 성장으로 Bi 2201 및 Bi 2212 박막을 제작하였다. Bi 2212의 조성이 되도록 각 원소를 공급하고 기판 온도 및 산화 가스 압력을 변화시켜 성막을 한 결과 낮은 기판 온도에서는 Bi 2201의 단상이 생성되었으며 75$0^{\circ}C$ 이상이 되면 Bi 2212 상이 생성되었다. 이 중간 온도 영역에서는 Bi 2212와 Bi 2201의 고용체가 생성되고 있음을 해석하였다. 순차 성막법에서 생성막을 평가한 결과 성막이 이루어지고 있는 박막의 가장 표면은 목적 조성으로부터 벗어난 상태에 있으며 결정 구조의 전하 중성 조건을 예상한 곳의 표면은 불안정하다는 것을 알 수 있었다. Bi 2201 상이 생성된 막에서도 순차 성막 과정에 의한 막 생성이라기보다는 오히려 박막 내부에서의 원자 확산 과정에 의해 생성된 것으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.486-487
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• 2007

$Bi_2Sr_2Ca_{n-1}Cu_nO_x$(n=0, 1, 2) thin films have been fabricated by co-deposition at an ultra-low growth rate using ion beam sputtering(IBS) method. The growth rates of the films was set in the region from 0.17 to 0.27 nm/min. MgO(100) was used as a substrate. In order to appreciate stable existing region of Bi 2212 phase with temperature and ozone pressure, the substrate temperature was between 655 and $820^{\circ}C$ and the highly condensed ozone gas pressure in vacuum chamber was varied between $2{\times}10^{-6}{\sim}4{\times}10^{-5}$ Torr. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and $795^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than $785^{\circ}C$. Whereas, $PO_3$ dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation.