• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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• pp.713-716
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• 2008

본 논문은 모바일 디스플레이를 위한 자동 백라이트 밝기 조정 시스템을 제안한다. 모바일 디스플레이에서 가장 중요한 요소들 중의 하나가 이동시 제한된 전력 원으로 인한 전력 소모를 들 수 있다. LCD 디스플레이에서 공급 전력의 80% 이상이 LED 백라이트 (BL박에서 소비된다. 또한 디스플레이 밝기는 동영상과 고해상도 영상 적용 시 더 높아야 하기 때문에 과도한 전력이 소비될 뿐만 아니라 어두운 환경에서는 지나친 눈부심을 줄 수 있다. 이러한 경우 밝기를 자동으로 줄여주고, 소비전력 또한 줄이기 위해 본 논문은 모바일 디스플레이 분야에서 자동 밝기 조절 (ABC) 기술을 제안한다. 개발된 시스템은 내장형 광센서를 가진 패널, 광센서를 조절할 수 있는 구동 IC 및 BLU로 구성되어 있다. 패널에 내장된 광센서 어레이가 외부의 광을 자동으로 검지하기 때문에 어두운 환경에서 BLU의 소비전력은 감소된다. 개발된 ABC 시스템은 어두운 환경에서 50%의 감소된 소비전력 특성을 보였다. 이러한 시스템은 모바일 TFT-LCD의 전력을 조절하는데 상당히 유용하다.

• ETRI Journal
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• 제24권4호
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• pp.290-298
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• 2002

We present, for the first time, a prototype active-matrix field emission display (AMFED) in which an amorphous silicon thin-film transistor (a-Si TFT) and a molybdenum-tip field emitter array (Mo-tip FEA) were monolithically integrated on a glass substrate for a novel active-matrix cathode (AMC) plate. The fabricated AMFED showed good display images with a low-voltage scan and data signals irrespective of a high voltage for field emissions. We introduced a light shield layer of metal into our AMC to reduce the photo leakage and back channel currents of the a-Si TFT. We designed the light shield to act as a focusing grid to focus emitted electron beams from the AMC onto the corresponding anode pixel. The thin film depositions in the a-Si TFTs were performed at a high temperature of above 360°C to guarantee the vacuum packaging of the AMC and anode plates. We also developed a novel wet etching process for $n^+-doped$ a-Si etching with high etch selectivity to intrinsic a-Si and used it in the fabrication of an inverted stagger TFT with a very thin active layer. The developed a-Si TFTs performed well enough to be used as control devices for AMCs. The gate bias of the a-Si TFTs well controlled the field emission currents of the AMC plates. The AMFED with these AMC plates showed low-voltage matrix addressing, good stability and reliability of field emission, and good light emissions from the anode plate with phosphors.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.1625-1628
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• 2006

Two different negative-type photosensitive polyimides were synthesized and characterized for an application as an interdielectric layer in TFTLCD array. In the case of photocurable polyimides, the photosensitive moiety, 2-HHSP, was synthesized through 3 step reaction, and then was incorporated into side chains of polyimide precursor by post reaction. Optimum compositions of negative-type photocurable polyimde were also formulated. For photopolymerizable polyimides, two novel UV monomers containing imide linkages were prepared. An aqueous alkaline developable polymer matrix was synthesized by free radical copolymerization. A negative photoresist formulation was developed utilizing synthesized UV monomers containing imide linkage, photoinitiator, UV oligomer, and alkali developable polymer matrix. It was found that viaholes with good resolution, high transmittance and thermal resistance could be obtained by photolithographic process utilizing the negative-type photoresist formulations.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.356-358
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• 2004

In this paper we fabricated and succeeded to demonstrate a test panel for AMOLED on 2" glass and PET substrate. The test panel consisted of an array of 64 x 64 pixels in which OLEDs was driven by pentacene TFT. OTFTs were made of the inverted staggered structure and employed polyvinylphenol as the gate insulator and pentacene thin film as the active layer, producing the filed effect mobility of 0.3$cm^2$/V.sec and on/off current ratio of $10^5$. OLEDs were composed of TPD for HTL and Alq3 for EML with 35nm thick each, generating green monochrome light.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권2호
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• pp.28-28
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• 2001

능동제어형 전계방출 디스플레이의 전자공급원으로서 능동제어형 전계 에미터 어레이의 회로모델이 제안되었다. 능동제어형 전계 에미터 어레이는 전계방출을 안정화시키고 저전력구동을 위한 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와 Spindt형 Mo 전계 에미터 어레이로 구성되었고 같은 유리기판 위에 제작되었다. 비정질 박막 트랜지스터와 Spindt형 Mo 전계 에미터 어레이의 전기적 특성으로부터 추출된 기본 모델 변수는 제안된 능동제어형 전계 에미터 어레이 회로모델에 입력되었고 SPICE 회로 시뮬레이터를 사용하여 특성을 분석하였다. 제작된 소자의 측정값과 DC 시뮬레이션 결과를 비교한 결과 두 값이 상당히 일치함으로써 등가회로 모델의 정확성을 확인하였다. 또한 제작된 소자의 transient 시뮬레이션 결과 전계 에미터 어레이의 게이트 커패시턴스와 TFT의 구동능력이 반응시간에 가장 크게 영향을 끼치고 있음을 확인하였다. 제작된 능동제어형 전계방출 에미터 어레이는 pulse width modulation으로 구동하는 경우 15㎲의 반응시간을 얻었고 이 값으로는 4bit/color의 계조(gray scale)표현이 가능하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1269-1271
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• 2008

We find some array mura are caused by S/D bridge or channel open in 4 mask process. The gray tone PR thickness non-uniformity is the main reason of these defects. By the adjustment of exposure and dry etch parameters, S/D bridge and channel open ratio drops by 10.87%.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.330-332
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• 2009

Highly stable bottom gate thin film transistors(TFTs) with a zinc indium tin oxide(Zn-In-Sn-O:ZITO) channel layer have been fabricated by rf-magnetron co-sputtering using a indium tin oxide(ITO:90/10), a tin oxide and a zinc oxide targets. The ZITO TFT (W/L=$40{\mu}m/20{\mu}m$) has a mobility of 24.6 $cm^2$/V.s, a subthreshold swing of 0.12V/dec., a turn-on voltage of -0.4V and an on/off ratio of >$10^9$. When gate field of $1.8{\times}10^5$ V/cm was applied with source-drain current of $3{\mu}A$ at $60^{\circ}C$, the threshold voltage shift was ~0.18 V after 135 hours. We fabricated AM-OLED driven by highly stable bottom gate Zn-In-Sn-O TFT array.

• 대한디지털의료영상학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.24-30
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• 2003

평판 digital x-선 검출기는 차세대 x-ray system으로 최근 연구와 개발이 활발하게 진행되고 있는 system이다. 본 연구는 환자의 피폭 및 작업 종사자의 피폭을 최소화 할 수 있고 의료장비의 디지털화에 발맞추어 PACS 등에 사용 가능한 a-Se을 이용한 직접방식의 digital x-선 검출기 구현에 관한 것이다. Prototype digital x-선 검출기는 TFT층과 a-Se층으로 이루어져 있다. Digital x-선 검출기센서 증착과 정의 최적화 수행 결과를 참고문헌1)-4)과 비교했을 때 매우 유사함을 확인하였다. 제작된 검출기의 pixel pitch는 $139{\mu}m$였고, fill factor는 86%, 전체 검출기의 검출면적은 14"${\times}$8.5"였다. Digital 영상의 해상력을 고려하기 위해 손과 test 패턴영상을 얻었고, 58%, 3.0lp/mm의 높은 MTF를 얻을 수가 있었다. 이러한 결과로 a-Se 기반의 Digital X선 검출기가 구현되었으며 본 연구결과를 토대로 향후 digital X선 검출기 개발기술의 발전과 성능향상을 가져올 것으로 기대된다.

• Design & Manufacturing
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• 제2권2호
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• pp.29-32
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• 2008

A back light unit (BLU) is a key module of a thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD), frequently utilized in various mobile displays. In this study, we experimentally characterize transcription and optical properties of concave and convex microlens arrays (MLAs) of light guide plate (LGP) fabricated by injection molding with polycarbonate as a LGP substrate material. Nickel mold inserts were manufactured by electroforming on the MLA which was fabricated by the thermal reflow of photoresist microstructures patterned by UV-photolithography. For the case of convex microlens, the height of replicated microlens was less than that of the mold insert while maintaining almost the same microlens diameter of the mold insert as the location of the microlens is far from the gate. In contrast, for the concave microlens, the diameter of replicated microlens was larger than that of mold insert, while showing almost the same microlens height as the mold insert. From the optical examination of replicated convex and concave MLAs, it was found that a higher luminance of the LGP was achieved by the concave MLAs compared to the convex MLAs (about 30% enhancement in this case)due to the utilization of a larger amount of light provided by the light sources.

• 센서학회지
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• 제29권5호
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• pp.332-335
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• 2020

Drop casting, a solution process, is a simple low-cost fabrication technique that does not waste material. In this study, we elucidate the effect of the concentration of a InGaZnO solution on the electrical properties of drop-cast oxide thin-film transistors. The higher the concentration the larger the amount of remnant InGaZnO solutes, which yields a thicker thin film. Accordingly, the electrical properties were strongly dependent on the concentration. At a high concentration of 0.3 M (or higher), a large current flowed but did not lead to switching characteristics. At a concentration lower than 0.01 M, switching characteristics were observed, but the mobility was small. In addition to a high mobility, sufficient switching characteristics were obtained at a concentration of 0.1 M owing to the appropriate thickness of the semiconductor layer. This study provides a technical basis for the low-cost fabrication of switching devices capable of driving a sensor array.