본 논문에서는 Poly-ethylene-terephthalate (PET) 기판 위에 Organic Thin Film Transistor (OTFT)와 Organic Light Emitting Diode (OLED)를 직렬 연결시킨 픽셀과 64 x 64 픽셀로 구성된 어레이를 제작하여 동작을 시연하였다. OTFT는 PET 기판과의 호환성을 고려하여 Poly 4-vinylphenol을 게이트 절연체로, 펜타센을 활성층으로 사용하여 제작되었다. 개별 소자 수준에서는 이동도가 $1.0\;cm^2/V{\cdot}sec$로 나타났으나, 어레이에서는 $0.1\~0.2\;cm^2/V{\cdot}sec$로 약 10배 정도 감소하였다. 어레이의 동작을 분석하였고 OTFT의 OLED에 대한 전류구동능력을 확인하였다.
본 논문에서는 이미지 센서와 외부의 구성요소 들과의 정합 모듈을 FPGA(Field Programmable Gate Array)를 사용하여 설계하였다. 일반적으로, 저준위 이미지의 데이터를 동기화하기 위하여 SRAM이 요구된다. 본문에서는 신호와 픽셀 단위의 크기를 가진 이미지 신호를 동기화하기 위하여 FPGA를 사용하여 인터페이스의 정합 모듈을 설계함을 목적으로 한다. 본 논문에서는 픽셀 단위로 구현함으로써 고화질의 이미지를 얻을 수 있다. 사용한 이미지 센서와 TFT-LCD의 동작 주파수는 각각 50MHz와 6.5MHz이다. 또한, 구현한 대부분의 제어부는 FPGA에 내장되어 있고 Altera사의 Quartus II 저작도구를 사용하였으며, 설계된 논리 게이트의 수는 33,216 개다.
In recent years, attempts have been made to greatly improve the display quality of active-matrix liquid crystal display devices, and many techniques have been proposed to solve such problems as gate signal delay, feed-through voltage and image sticking[1-3]. To improve these problems which are caused by the feed-through voltage, we have evaluated new driving methods to reduce the feed-through voltage. Two level gate-pulse was used for the gate driving of the cst-on-common structure pixels. These gate driving methods offer better feed-through characteristics than conventional simple gate pulse. Optimized step signal will compensate by step pulse time and voltage. The evaluation of the suggested driving methods were performed by using a TFT-LCD array simulator PDAST which can simulate the gate, data and pixel voltages of a certain pixel at any time and at any location on a TFT array. The effect of the new driving method was effectively analyzed.
능동제어형 전계방출 디스플레이의 전자공급원으로서 능동제어형 전계 에미터 어레이의 회로모델이 제안되었다. 능동제어형 전계 에미터 어레이는 전계방출을 안정화시키고 저전력구동을 위한 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와 Spindt형 Mo 전계 에미터 어레이로 구성되었고 같은 유리기판 위에 제작되었다. 비정질 박막 트랜지스터와 Spindt형 Mo 전계 에미터 어레이의 전기적 특성으로부터 추출된 기본 모델 변수는 제안된 능동제어형 전계 에미터 어레이 회로모델에 입력되었고 SPICE 회로 시뮬레이터를 사용하여 특성을 분석하였다. 제작된 소자의 측정값과 DC 시뮬레이션 결과를 비교한 결과 두 값이 상당히 일치함으로써 등가회로 모델의 정확성을 확인하였다. 또한 제작된 소자의 transient 시뮬레이션 결과 전계 에미터 어레이의 게이트 커패시턴스와 TFT의 구동능력이 반응시간에 가장 크게 영향을 끼치고 있음을 확인하였다. 제작된 능동제어형 전계방출 에미터 어레이는 pulse width modulation으로 구동하는 경우 15㎲의 반응시간을 얻었고 이 값으로는 4bit/color의 계조(gray scale)표현이 가능하였다.
이 연구에서는 저자들이 개발한 비정질 셀레늄층과 비정질 실리콘TFT배열을 사용하는 직접방식 디지털 X-선 영상 검출기에 대해 IEC (international electrotechnical commission)와 같은 국제표준으로 권고된 측정방법에 따라 특성을 평가하였다. 영상 성능 묘사에 사용되는 측정은 응답특성(response characteristic), 변조전달함수(MTF, modulation transfer function), 잡음전력스펙트럼(NPS, noise power spectrum), 양자검출효율(DQE, detective quantum efficiency), 양자제한 성능을 포함하고 있다. 영상특성평가 결과, 개발된 검출기의 DQE 값은 최저주파수와 최고주파수에서 각각 40%와 25%이었다. 해외 타사의 제품과 비교해서도 우월한 값을 나타내었다. 또한 MTF는 간접방식 DR, CR과 비교하면 매우 우월한 성능을 보이고 있다. 또한 양자 제한된 특성을 평가한 결과, 0.023 mR 이하에서만 제한된 특성을 보여 일반촬영용도로서 적합성을 확인할 수 있었다.
The properties of these detectors can be controlled by electronics and exposure conditions. Flat-panel detectors for digital diagnostic imaging convert incident x-ray images to charge images. Flat panel detectors gain more interest real time medical x-ray imaging. Active area of flat panel detector is $14{\times}17$ inch. Detector is based on a $2560{\times}3072$ away of photoconductor and TFT pixels. X-ray conversion layer is deposited upper TFT array flat panel with a 500m by thermal deposition technology. Thickness uniformity of this layer is made of thickness control technology(5%) of thermal deposition system. Each $139m{\times}139m$ pixel is made of thin film transistor technology, a storage capacitor and charge collection electrode having geometrical fill factor of 86%. Using the separate driving system of two dimensional mosaic modules for large area, that is able to 4.2 second per frame. Imaging performance is suited for digital radiography imaging substitute by conventional radiography film system..
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.1631-1633
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2008
We demonstrate 4-in QVGA active-matrix electrophoretic display based on ink-jet printed organic transistors on glass substrates. Our TFT array had a bottom-gate, bottom-contact device architecture. The organic semiconductor and gate dielectric were solution processed. The field-effect mobility of the printed devices, calculated in the saturation region, was $0.1{\sim}0.3cm^2/Vs$ at Vg=-20 V.
Nikulin, Ivan V.;Hwang, Tae-Hyung;Jeon, Hyung-Il;Kim, Sang-Il;Roh, Nam-Seok;Shin, Seong-Sik
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.434-438
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2006
High-quality a-Si TFTs were fabricated on 7 inch plastic PES substrates at $130^{\circ}C$ and $100^{\circ}C$. It had been shown that the key factor for successful TFT fabrication on the relatively large plastic substrates is thorough control of total active layer's stress by means of deposition temperature reduction and single layer's intrinsic stress optimization.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.1425-1428
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2006
We have proposed a novel cleaning technology with organic nanoparticles for high-performance TFT array. The surface of the TFT layer becomes more hydrophilic after cleaning by the nanoparticles. This is concluded from the comparison of contact angles for the samples cleaned by various methods. It is found that the drain currents in the subthreshold and off-state regions are less than those for the TFTs cleaned with conventional method.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.562-566
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2005
Toshiba Matsushita Display Technology (TMD) has firstly succeeded in mass production of OCB (Optically Compensated Bend) mode liquid crystal display panels which have excellent moving picture quality almost the same as CRT. We have newly developed 32 -inch diagonal HD ($1366{\times}768\;pixels$) panels using OCB mode and low temperature p-Si TFT (LTPS) array substrates. High performance of brightness of $600cd/m^2$ and contrast ratio of 600 : 1 was obtained by using pseudo-impulse driving method to insert a black period between continuous two frames, and also by using blinking backlight method. Furthermore, moving picture response time (MPRT) 6.5ms has been obtained by optimization of black insert driving and backlight blinking, without the great sacrifices of contrast ratio and luminance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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