• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1341-1342
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• 2007

Poly-ether-sulphone (PES) 기판위에 열처리 공정을 거친 HgTe 나노입자를 이용하여 플렉시블 투명 박막 트랜지스터를 제작하였다. 활성층으로 사용된 HgTe 나노입자층은 UV/ozone 처리로 친수성화 된 PES 기판위에 스핀코팅으로 형성되었다. 제작된 박막 트랜지스터는 전형적인 p형 트랜지스터 특성을 보여주었으며, PES 기판에 스트레인을 가하지 않은 상태에서는 164의 전류점멸비와 1.6 $cm^{2}/Vs$ 의 전하 이동도가 계산되었고, PES 기판에 2.0%의 스트레인을 인가하였을 때에는 266의 전류점멸비와 1.0 $cm^2/Vs$ 의 전하 이동도가 계산되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권3호
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• pp.67-74
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• 2018

두께 $2.5{\sim}10{\mu}m$인 n형 $Bi_2Te_3$와 p형 $Sb_2Te_3$ 레그 8쌍으로 구성되어 있는 in-plane형 열전박막소자를 전기도금법으로 Si submounts에 형성하고, LED 칩의 구동에 의해 발생하는 겉보기 온도차 ${\Delta}T$와 레그 두께에 따른 발전특성을 분석하였다. LED 방출열에 의해 인가된 ${\Delta}T$가 7.4K일 때 각기 두께 $2.5{\mu}m$, $5{\mu}m$ 및 $10{\mu}m$의 p-n 레그들로 구성된 열전박막소자는 6.1 mV, 7.4 mV 및 11.8 mV의 open circuit 전압을 나타내었으며, 6.6 nW, 12.8 nW 및 41.9 nW의 최대 출력전력을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.84-85
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• 2009

The single crystals of p-$CdIn_2Te_4$ were grown by the Bridgman method without the seed crystal. From photocurrent measurements, it was found that three peaks, A, B, and C, correspond to the intrinsic transition from the valence band states of $\Gamma_7(A)$, $\Gamma_6(B)$, and $\Gamma_7(C)$ to the conduction band state of $\Gamma_6$, respectively. The crystal field splitting and the spin orbit splitting were found to be 0.2360 and 0.1119 eV, respectively, from the photocurrent spectroscopy. The temperature dependence of the $CdIn_2Te_4$ band gap energy was given by the equation of $E_g(T)=E_g(0)$ - $(9.43\times10^{-3})T^2$/(2676+T). $E_g(0)$ was estimated to be 1.4750, 1.7110, and 1.8229 eV at the valence band states of A, B, and C, respectively. The band gap energy of $p-CdIn_2Te_4$ at room temperature was determined to be 1.2023 eV.

• 한국전자파학회논문지
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• 제23권6호
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• pp.731-739
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• 2012

일반적으로 평행평판 도파관에서 발생하는 가장 낮은 고차 모드는 $TE_1$ 모드와 $TM_1$ 모드로 알려져 있다. 본 논문에서는 평행평판 도파관에서 이보다 더 낮은 주파수에서 발생하는 TE 모드에 대해 고찰한다. 평행평판 도파관의 열려 있는 양 옆을 완전 자성 도체(PMC)로 가정하여 TE 모드의 전자계 분포를 유도하였고, 이 모드의 존재를 평행평판 도파관 공동기를 제작하여 실험함으로써 실증하였다. 열려 있는 양 옆의 경계가 완전한 자성 도체가 아니므로 인해 나타나는 특성에 대해서도 고찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.138-139
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• 2006

Metal organic chemical vapor deposition has been investigated for growth of $Sb_{2-x}Bi_xTe_3$ films on (001) GaAs substrates using diisopropyltelluride, triethylantimony and trimethylbismuth as metal organic sources. The thermoelectric properties were measured at room temperature and include Seebeck coefficient, electrical conductivity and Hall effect. In-plane carrier concentration and electrical Hall mobility were highly dependent on precursor's composition ratio and deposition temperature. The thermoelectric Power factor($={\alpha}^2{\sigma}$) was calculated from theses properties. The best Power factor was $2.6\;{\times}\;10^{-3}W/mK^2$, given by grown $Sb_{1.6}Bi_{0.4}Te_3$ at $450^{\circ}C$. These materials could potentially be incorporated into advanced thermoelectric unicouples for a variety of power generation applications.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제9권6호
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• pp.223-226
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• 2008

$Ge_1Se_1Te_2$ chalcogenide amorphous materials was prepared by the conventional melt-quenching method. Samples were processed bye-beam evaporator systems and RF-sputtering systems. Phase change characteristics were analyzed by measuring glassification temperature, crystallization temperature and density of bulk material. The thermal characteristics were measured at the temperature between 300 K and 700 K, and the electrical characteristics were studied within the range from 0 V to 3 V. The obtained results agree with the electrothermal model for Phase-Change Random Access Memory.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제6권4호
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• pp.149-152
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• 2002

We performed the modeling of the dielectric functions of C $d_{0.77}$M $g_{0.23}$Te by using parametric semiconductor model. Parametric model describes the analytic dielectric function as the summation of several energy-bounded Gaussian-broadened polynomials and provides a reasonably well parameterized function which can accurately reproduce the optical constants of semiconductor materials. We obtained the values of fitting parameters of the Mg composition 0.23 in the parametric model. From these parameters we could remove interference oscillations to obtain the dielectric function of C $d_{0.77}$M $g_{0.23}$Te alloy film for full 0.5-6.0 eV energy range.y range.

• 전기의세계
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• 제23권6호
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• pp.49-55
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• 1974

Amorphous semiconductor from As 30 Te 48 Ge 10 Si 12 was prepared, and studied electron microscopy, X-ray analysis and resistivity measurement. It's resistivity is 1.56*10$^{6}$ .ohm.-cm when small ampule is used for preparing sample it is found that no phase separation has occurced by electron microscopy, and that phase transition temperature is 232.deg. C by differential Thermal Analysis. The specimen showed threshold switching that the low resistance state occur at critical electric field and the resistance recover at low applied field. Critical electric field of the switching is 10$^{5}$ V/cm at room temperature. Threshold voltage secreace exponentially with increasing ambient temperature and at that each voltage resistance of the switching device increase exponentially. According to the series resistance and applied vottage current slope on the V-I curve is varied. When applied voltage is decreased after switching, the resistance of the switching device is increased. By this result the origin of the switching is the Joule's heating.

• 한국방사선학회논문지
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• 제5권6호
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• pp.401-407
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• 2011

TE를 변화시킨 정상인 대뇌의 MR spectrum에서 주요 대사물질의 면적과 SNR을 측정하여 PRESS 펄스파형과 STEAM 펄스파형 그리고 1.5T와 3.0T간의 자장세기에 따른 spectrum 간의 차이를 알아보고자 하였다. Phantom 실험을 통하여 적절한 TR을 정한 후, 정상인 지원자 10명(3.0T 5명, 1.5T 5명 ; 남 22~30세 : 평균 26세)을 대상으로 단일용적기법의 STEAM과 PRESS 기법을 시행하였다. 사용된 장비는 3.0T MR scanner(Magnetom Trio, SIEMENS, Germany)와 1.5T MR scanner(Signa Twinspeed GE, USA)이였다. 영상변수는 TR은 2000ms, TE는 30ms, 40ms, 50ms, 60ms, 90ms, 144ms, 288ms, NA는 96, 용적 크기는 $20{\times}20{\times}20mm3$로 하였으며, spectrum 획득시간은 3분 20초였다. 획득한 데이터는 후처리과정을 통하여 PRESS와 STEAM, 그리고 1.5T와 3.0T system 간의 NAA, Cho, Cr 등의 단순면적값과 SNR을 비교하였다. 또한 육안적 관찰을 통하여 각 대사물질들의 관찰정도를 비교하였다. 1.5T와 3.0T MR spectrum을 분석한 결과, STEAM과 PRESS의 주요 대사물질의 단순 면적값과 SNR은 TE가 증가함에 따라 감소하는 경향을 보였으며, PRESS는 STEAM보다 1.5T에서 1.4배, 3.0T에서 1.3배 높은 SNR을 보였다. 자장의 세기에 따른 SNR 비교에서는 TE가 30ms에서 3.0T가 1.5T보다 약 2배 정도 높은 SNR을 보였으나 TE값이 증가함에 따라 3.0T에서의 SNR 감소율이 1.5T에서의 SNR 감소율보다 커서 TE가 90ms 이상부터는 큰 차이가 없었다. 반면 3.0T의 spectrum에서는 1.5T에서 구분할 수 없었던 ${\alpha}$-Glx, ${\beta}{\cdot}{\gamma}$-Glx, NAA complex등 작은 대사물질들을 보다 정확히 감별 할 수 있었고 short TE의 PRESS일 때 short TE의 STEAM보다 작은 대사물질들이 잘 관찰 되었다. 3.0T spectrum의 해상도와 SNR이 1.5T spectrum에 비하여 우수함을 알 수 있었다. 그러나 90ms이상의 long TE에서는 3.0T와 1.5T spectrum간의 SNR은 차이가 없었다. 따라서 고자장하에서의 자기공명분광법은 30ms 이하의 짧은 TE를 이용한 PRESS 펄스 파형을 사용하는 것이 임상적으로 유용하게 사용될 수 있을 것이라 사료된다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 춘계학술강연 및 발표대회강연 및 발표논문 초록집
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• pp.33-34
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• 2006