Objective: This paper aimed to understand influences on EEG conducting acupuncture stimulation, by comparing the changes in the acupoints on the body before and after normal people are treated with acupuncture at PC9 and TE3, which are referred to as Wood points(木穴), and PC5 and TE1, which are referred to as the Metal points(金穴) among the five shu points of Yin pericardium Meridian and Yang Triple Energizer Meridian. Methods: The study was performed on 30 healthy female volunteers in their 20's. EEG was measured for 5 minutes before acupuncture stimulation was conducted on PC9, TE3, PC5 and TE1. During 20 minutes of acupuncture treatment, the same items were continuously measured to find out whether there were any changes in them, and they were measured for 5 minutes after removing the acupuncture needles in order to implement a comparative analysis. Results: Comparision of EEG data before and after the treatment at PC9 shows no significant differences in all wave. Compared with the pre-acupuncture period at TE3, $\delta-\theta$ wave decreased significantly (P<0.05) during the acupuncture stimulation periods. Compared with the pre-acupuncture period at PC5, $\delta-\theta$ wave and high $\alpha$ wave increased significantly (P<0.05) during the acupuncture stimulation periods. And Mid $\beta$ wave and high $\beta$ wave decreased significantly (P<0.05) during the acupuncture periods and the post acupuncture periods. Compared with the Pre-acupuncture period at TE1, $\delta-\theta$ wave, $\theta$ wave and high $\alpha$ wave increased significantly (P<0.05) during the acupuncture stimulation periods. And Low $\beta$ wave decreased significantly (P<0.05) during the acupuncture periods. Conclusion: When acupuncture stimulation was performed on PC9 and TE3, referred to as the "Wood points", brain waves were stabled, while when acupuncture was performed on PC5 and TE1, called the "Metal points", a brain was waked. From the findings of this study, we hypothesize that the wood properties, from which growing starts in all things, are related with fast waves of EEG, and the metal properties, which stabilize and converge in all things, are related with slow waves of EEG.
집적광학용 광도파전에 전기팡 효파 혹은 자기광 효과를 나타내는 이방성 매질을 사용할 때 매질정수 및 박막두께등 광학적 변수가 모드 변환에 미치는 영향괼 엄밀한 파동광학의 접근 방법으로 조사하여 어떠한 박막형 광도파관 구조에도 적용될 수 있는 일반적인 해석방법을 제시하였다. 균일한 이방성 매질에서의 고유 모드와 그 구성성분 및 위상속도를 먼저 결정하고 그 결과를 이용하여 박자형 광도파관에서의 고유 모드 성분에 대한 위상특성식을 구하였고 전자파의 진행방향에 대한 모드 성분의 변화를 Jones 행열 령태로 표시하여 박막형 광도파관에서 모드 젼환의 조건과 그 변환율이 Bulk 매질에서와는 다름을 나타내었다. Wave propagation in gyrotropic or anisotropic medium is analyzed in terms of the eigenmodes of the medium, which are admixture of TE and TM waves. The field composition and the phase velocity of the modes are also determined. The results of the analysis are applied to thin film optical waveguide using such medium as substrate and/or film. Based on the characteristic equations for phase constants of the waveguide, the condition for TE-TM mode convection is derived, and wave propagation in the guide is represented in the form of Jones matrix, which allows a new interpretation in the conversion efficiency of the thin-film optical waveguides.
밀리미터파 대역으로 주파수가 높아짐에 따라 도파관의 단면이 수 밀리미터 이내로서 작아져서 공간결합 전력증폭기를 구현하기에 공간적으로 어려움을 겪게 된다. 본 논문에서는 혼 안테나 원리로 도파관의 폭을 확장하여 이 문제를 극복하고자하였다. 60GHz ISM 대역(57-64GHz)의 공간결합 전력 증폭기에 활용하기 위한 확장된 구형 도파관을 설계하고 확장된 도파관 내에 공간결합을 위한 안티포달 변환기를 설치하여 공간결합 전력 증폭기로서의 특성을 분석하였다. WR15 표준 구형 도파관과의 호환을 위해 WR15 도파관에서 H면 부채꼴 혼 안테나 원리를 이용하여 도파관 폭(a)을 7mm로 확장하여 3개의 백투백 구조의 안티포달 변환기 슬롯을 설치하였다. 설계한 공간결합 전력 증폭기는 사용하고자 하는 대역(57-64GHz)에서 반사손실은 -22.4dB이하이고 삽입손실은 0.53dB 이하로서 매우 양호한 특성을 나타냈다. 한편, 도파관의 폭을 확장함에 따라 WR15 대역폭 내에 $TE_{10}$ 모드 외에도 $TE_{20}$, $TE_{30}$ 모드 등 추가적인 모드들이 발생하게 되었고 이로 인해 대역폭을 제한하여 도파관의 폭 확장을 제한하였다.
Multi-port($2{\times}2$port, 1port) rectangular waveguide discontinuity problem has been analyzed by use of $TE^x_{mn}$ (mono)mode matching method. Matrix size can be reduced significantly in comparison with $TE_{mn}&TM_{mn}$(full-wave)mode matching method. the present results is compared with those by CST MicroWave Studio to validate the presint method.
Electrical resistivity and switching phenomena in glass semiconductor of AsTe and AsTeGa is studied. Samples sliced from ingot which is air quenched or water quenched, show high resistivity at room temperature. The resistivity of the AsTe and AsTeGa is 1*10$^{6}$ .ohm.-cm and 5*10$^{6}$ .ohm.-cm at 27.deg. C. Switching phenomena take place in thin the thick samples. Holding voltage is different with the thickness of the samples and the characteristics of switching in the thin and thick samhles are similar. When square wave pulse voltage is applied, delay time is detected to 5.mu.sec by oscilloscpoe.
인쇄 및 소결법으로 제조한 Te-rich CdTe 소스를 근접 승화시켜 CdTe막을 Cd 기판 위에 증착하였다. 기판온도, 태양전지의 유효면적, 그리고 CdTD막과 ITO막의 두께를 변화시켜 CdTe 박막제조한 후 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성을 연구하였다. 최적기판온도와 CdTe 두께는 각각 $600^{\circ}C$와 5-6${\mu}m$이다. 근접승화 동안 기판온도를 변화시키는 경우는 Cds와 접합부에 CdTe의 입자크기를 증가시키기 위하여 CdTe 증착초기에 기판온도를 62$0^{\circ}C$로 유지한 후, 이로 인해 발생될수 있는 핀홀을 줄이기 위하여 $540^{\circ}C$로 낮게 기판의 온도를 떨어뜨린후 기존의 막질을 유지하기 위하여 추가적으로 $620^{\circ}C$에서 어닐링 시키는 "two-wave"온도 곡선을 사용하였을 때 단락전류밀도가 증가하였다. CdTe 막의 두께가 $6\mu\textrm{m}$보다 커지면 CdTe 의 벌크 저항이 커져 태양전지의 피라미터를 감소시켰다. 이때 CdTe 막의 비저항은 3$\times$$10^{4}$$\Omega$cm이었다. 태양전지의 유효면적이 증가함에 따라, 개방 전압은 일정하나 ITO면저항의 증가에 의해 단락 전류밀도와 충실도가 감소하였다. 본 연구에 ITO의 최적 두께는 300-450nm 이었다. 유효면적 0.5$\textrm{cm}^2$에서 9.4%의 효율을 얻을수 있었으며 충실도와 효율 증가를 위해서는 직결저항의 감소가 필수적임을 알았다.
A method for suppressing unwanted resonance modes by attaching an electromagnetic wave absorber onto a metal case was studied to prevent performance deterioration of electronic devices. The electromagnetic wave absorber fabricated for this study had an attenuation characteristics above 20dB in the frequency band from 450MHz, 1150MHz. A rectangular cavity resonator whose resonance frequencies of TE$_{101}$, TE$_{102}$ modes were 900MHz, 1250MHz, respectively, was made to measure attenuation for the electromagnetic wave absorber-metal assembly. The result showed that the resonance mode for high attenuation was sensitive to the location of electromagnetic wave absorber, and the attenuation characteristics above 20dB could be obtained when electromagnetic wave absorber was properly positioned.
A guided-wave TE to TM mode converter was demonstrated by using of the off-diagonal electrooptic coefficients in LiTaO$_{3}$. The input mode is coupled to the other orthogonal mode by the electrooptically induced off-diagonal polarizability. Compared with LiNbO$_{3}$, LiTaO$_{3}$ provides a smaller birefringence and thus a larger phase match period and larger optical bnadwidth. A novel electrode structure allowed a first-order Bragg-coupling phase matching. TE/TM mode conversion efficiency of 90% at 25 [V] was demonstrated with ${\lambda}$=0.63$\mu$m He-Ne laser.
접지돈 유전체슬랩 위에 주기적으로 스트립이 놓여 있는 격자구조에 대한 전자파 산란특성을 TE 편파의 경우에 대하여 반사격자(reflection grating)관점과 누설파안테나(leaky wave antenna)관점에서 조사하였다. 수치해석 결과로 Bragg blazing현상을 두가지 형태(공진형과 비공진형)로 구분하였으며 그 특성(복소전파상수, 산란특성, 전류밀도분포)에 대하여 논의하였다.
암염구조를 가진 SiTe에서 일부 Si를 Cr로 치환한 화합물에 대한 전자구조와 자성을 교환상관퍼텔셜에 일반기울기 근사를 쓴 full potential linearized augmented plane wave 에너지 띠 계산방법을 이용하여 연구하였다. Si 대신 25 %의 Cr을 치환한 $CrSi_3Te_4$ 및 50 %를 치환한 $CrSiTe_2$를 고려하였다. 총에너지 계산으로 $CrSi_3Te_4$는 11.64 a.u, $CrSiTe_2$는 a = 7.89 a.u., c = 11.13 a.u.의 평형격자상수를 가짐을 알았다. $CrSiTe_2$는 단위부피당 정수인 $4{\mu}_B$의 자기모멘트를 가지는 반쪽금속성을 나타냈으며, $CrSi_3Te_4$는 단위부피당 자기모멘트가 $4{\mu}_B$보다 미세하게 컸다. 두 화합물 모두에서 치환되어 들어간 Cr은 $3.6{\mu}_B$ 정도의 자기모멘트를 가졌으며, Si나 Te는 약하게 자기화되었다. 계산된 스핀분극 상태밀도를 이용하여 이 두 화합물의 자성을 논의하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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