• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제43권7호
• /
• pp.1-6
• /
• 2006

본 연구에서는 광 논리 및 광 접속에 응용할 수 있는 GaAs/AlGaAs 구조의 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor, DOT)에 VCSEL(vertical-cavity surface-emitting laser diode)을 응용하여, 활성층 위, 아래에 1/4 파장 거울층(quarter wavelength reflector stacks)을 제작함으로서 본 구조에서 최초의 레이징 특성을 구현하였고, 그 특성을 측정, 분석하였다. 스위칭 특성을 알아보기 위하여 순방향 전압에서는 비선형 s-자형의 전류-전압 특성을, 역방향 전압에서는 완전 공핍 전압을 모의실험으로 알아보았다. 모의실험을 바탕으로 설계, 제작한 VCL-DOT(Vertical Cavity Laser - Depleted Optical Thyristor)의 스위칭 전압과 전류는 5.24 V, $5{\mu}A$ 이고, 홀딩 전압과 전류는 각각 1.50 V, $100{\mu}A$가 나왔다. 측정된 레이징 문턱 전류는 0.65 mA 이고, 출력 파장은 854.5 nm의 레이징 특성을 확인하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2017년도 추계학술대회
• /
• pp.133-134
• /
• 2017

This paper analyzes switch Device losses and efficiency depending on SiC and Si devices. The switch devices loss is compared to Si and SiC-based elements through Threshold Voltage and Miller Platequ Voltage. And analyzed through comparison of each switching loss by experiment.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
• /
• 제12권7호
• /
• pp.3401-3420
• /
• 2018

Pixel expansion and contrast are two major performance parameters for visual cryptography scheme (VCS), which is a type of secret image sharing. Random Grid (RG) is an alternative approach to solve the pixel expansion problem. Chen and Tsao proposed the first (k, n) RG-based VCS, and then Guo et al., Wu et al., Shyu, and Yan et al. significantly improved the contrast in recent years. However, the investigations on improving the contrast of threshold RG-based VCS are not sufficient. In this paper, we develop a contrast-improved algorithm for (k, n) RG-based VCS. Theoretical analysis and experimental results demonstrate that the proposed algorithm outperformers the previous threshold algorithms with better visual quality and a higher accuracy of contrast.

• 수산해양기술연구
• /
• 제52권1호
• /
• pp.42-47
• /
• 2016

This study was conducted to investigate visual threshold of nigro (Cichlasoma nigrofasciatum) on white LED light. The visual threshold was obtained by analyzing electrocardiogram (ECG) of the nigro. 5 individuals (body weight: 15.62~45.49 g; TL: 8.9~12.4 cm) were trained for lights by an electric stimulus. And then the heart rate (beats/10s) before and after switching on the light were compared. Light intensity range was from 0.00 to 226.4 lux. Average heart rate was 10.36 beats/10s in the normal condition. When the fish perceived the light, the heart rate was decreased. Visual threshold of the fish was 2.59 lux.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.78.2-78.2
• /
• 2012

최근 PRAM의 집적도 향상 및 3차원 적층에 의한 메모리 용량 향상을 위해 셀 선택 스위치로서 박막형 Ovonic Threshold Switching (OTS) 소자를 적용한 Cross bar 구조의 PRAM이 제안된 바 있다. OTS 소자는 비정질 칼코지나이드를 핵심층으로 하는 2단자 소자로서 고저항의 Off 상태에 특정 값 (문턱스위칭 전압) 이상의 전압을 가해주면 저저항의 On 상태로 바뀌고 다시 특정 값 (유지전압) 이하로 전압을 감소시킴에 따라 고저항의 Off 상태로 복원하는 특성을 갖는다. 셀 선택용 스위치로 적용되기 위해서는 핵심적으로 On-Off 상태간의 가역적인 변화 중에도 재료가 비정질 구조를 안정하게 유지해야 하며 전기적으로는 Off 상탱의 저항이 크고 또한 전류값의 점멸비가 커야 한다. GeSe는 이원계 재료로서 단수한 구성에도 불구하고 OTS 소자가 갖추어야할 기본적인 특성을 가지는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 GeSe로 구성된 OTS 재료에 경원소인 질소를 첨가하여 비정질 상태의 안정성과 소자특성의 개선 효과를 조사하였다. RF-puttering 시 Ar과 $N_2$의 혼합 Gas를 사용하여 조성이 $Ge_{62}Se_{38}$ ($N_2$ : 3%)인 박막을 제작하여 DSC를 통해 결정화온도(Tx)를 확인하였고, $N_2$ gas의 함유량이 각각 1 %, 2 %, 3 %인 $Ge_{62}Se_{38}$인 박막을 전극의 접촉 부 면적이 $10{\times}10\;{\mu}m^2$인 cross-bar 구조의 소자로 제작하여 Threshold switching voltage ($V_{th}$), Delay time ($t_d$), $I_{on}/I_{off}$ 그리고 Endurance 특성을 평가하였다. DSC 분석 결과 $N_2$ 가 3 % 첨가된 GeSe 박막은 Tx가 $371^{\circ}C$에서 $399^{\circ}C$로 증가되었다. $N_2$가 1% 첨가된 GeSe 소자를 측정한 결과 $V_{th}$의 변화 없는 가운데 $I_{on}/I_{off}$이 약 $2{\times}10^3$에서 $5{\times}10^4$로 향상되었다. Endurance 특성 역시 $10^4$에서 $10^5$번으로 향상되었다. $t_d$의 경우 비정질 상태의 저항 증가로 인해 약 50% 증가되었다. 이러한 $N_2$의 첨가로 인한 비정질 GeSe 박막의 변화 원인에 대한 분석 결과를 소개할 예정이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.234-237
• /
• 1996

The amorphous chalogenide semiconductors are new material in semiconductor physics. Their properties, especially electronic and optical properties are main motives for device application. Amorphous As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$material has the stable ac conductivity at high frequency and the dc memory switching property. At higher frequency than 10MHz, ac conductivity of As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$ thin film is much higher than below frequency and independent of temperature and frequency. If the dc voltages are applied between edges of thin film, one can see the dc memory switching phenomenon, in other words the dc conductivity increases quite a few of magnitude after the threshold voltage is applied. Using the stable ac conductivity at high frequency and the increase of conductivity after dc memory switching, As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$thin film is considered as new material for microwave switch devices.vices.es.vices.

• 대한전기학회논문지:전기기기및에너지변환시스템부문B
• /
• 제52권4호
• /
• pp.154-160
• /
• 2003

The switched reluctance motor(SRM) has a considerable potential for industrial applications because of its high reliability as a result of the absence of rotor windings. In some applications with SRM, a parallel switching strategy is often used for cost saving, increasing of current capacity and system reliability. This paper proposes a new parallel switching strategy of SRM using parallel winding. While conventional parallel switching devices are connected in a phase winding, power devices are connected in the parallel windings wound in each pole of stator in the proposed method. Paralleling strategy for current sharing in the proposed method can be easily determined without considerations of any nonlinear characteristics of power devices such as conduction resistance, threshold voltage and gain factor. The proposed paralleling strategy is verified by the mathematical analysis and experimental results.

• 대한전기학회논문지:전력기술부문A
• /
• 제52권4호
• /
• pp.154-154
• /
• 2003

The switched reluctance motor(SRM) has a considerable potential for industrial applications because of its high reliability as a result of the absence of rotor windings. In some applications with SRM, a parallel switching strategy is often used for cost saving, increasing of current capacity and system reliability. This paper proposes a new parallel switching strategy of SRM using parallel winding. While conventional parallel switching devices are connected in a phase winding, power devices are connected in the parallel windings wound in each pole of stator in the proposed method. Paralleling strategy for current sharing in the proposed method can be easily determined without considerations of any nonlinear characteristics of power devices such as conduction resistance, threshold voltage and gain factor. The proposed paralleling strategy is verified by the mathematical analysis and experimental results.

• 한국정보처리학회논문지
• /
• 제7권11S호
• /
• pp.3684-3693
• /
• 2000

본 논문에서는 다양한 트래픽을 수용해야 하는 차세대 인터넷에서 핵심적인 기능을 담당하는 고속 패킷스위치를 위한 동적우선권제어함수(Dynamic Priority Control Function)이 개념을 도입하고 TBPJ(Threshold-based Bernoulli Priority Jump) 방식에 대한 성능분석을 하였다. 동적우선권제어함수(Dynamic Priority Control Function)는 시스템의 상태에 따라 각 트래픽에 우선권을 동적으로 할당하여 패킷의 스케쥴링(scheduling)을 제어하는 함수 f(.)이다. 클래스 1의 손실민감(loss-sensitive) 트래픽과 클래스 2의 지연민감(delay-sensitive) 트래픽이 고속 패킷스위치의 모든 입력포트에 동일하게 입력되고 스위칭속도(switching capacity)가 m인 $N\timesN$용량의 고속 패킷스위치에 TBPJ 방식의 DPCF 함수를 적용하여 성능을 분석하였다. 이때 스위치는 유한한 크기의 입력 버퍼와 무한크기의 출력버퍼로 구성되어 있고 슬롯 단위로 동기방식(synchronous)으로 동작한다고 가정하였다. TBPJ 방식은 각 입력버퍼에 대기하고 있는 현재 트래픽의 양과 시스템 버퍼의 문턱값(threshold)에 따라 서비스 순위를 동적으로 할당하여 효율적인 스케쥴링이 이루어지도록 한다. 성능분석을 통하여 TBPJ 제어방식이 기존의 우선권 제어 방식보다 성능 및 효율성에 있어서 우수함을 입증하였다. 즉 TBPJ 방식을 적용하여 성능을 분석한 결과 손실민감 트래픽의 QoS(Quality of Service)를 만족시키기 위하여 패킷스위치를 스위치플랜으로 구현하는 경우 병렬로 (즉 m=2) 구성하면 충분하다는 것을 확인하였다.

• Journal of Communications and Networks
• /
• 제16권1호
• /
• pp.56-66
• /
• 2014

We propose a novel opportunistic access scheme for cognitive radios in an interweave cognitive system, that considers the channel gain as well as the predicted idle channel probability (primary user occupancy: Busy/idle). In contrast to previous work where a cognitive user vacates a channel only when that channel becomes busy, the proposed scheme requires the cognitive user to switch to the channel with the next highest idle probability if the current channel's gain is below a certain threshold. We derive the threshold values that maximize the long term throughput for various primary user transition probabilities and cognitive user's relative movement.