• 한국통신학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.80-90
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• 1996

ATM(Asyncronous Transfer Model)의 효과는 셀이라고 부르는 고정 길이 패킷의 통계적 다중화에 기인한다. ATM 교환 망을 실현하기 위한 가장 중요한 핵심 기술은 버퍼와 스위치의 배열이다. 현재 대부분의 스위칭 망은 $8{\times}8$ 150Mb/s 또는 $16{\times}16$ 150Mb/s의 단위 ATM 스위치를 이용한 성장 모듈 방식으로 구현해 오고 있으며 $32{\times}32$ 150Mb/s의 단위 스위치는 각국에서 개발 중에 있다. 본 논문에서는 셀 손실, 지연 및 처리율 성능에 있어서 보다 우수한 트래픽 특성과 쉬운 LSI(Large Scale Intergrated circuit)가 가능한 공유 버퍼 메모리 스위치를 채용한 $32{\times}32$(4.9Gb/s 처리율) ATM 단위 스위치 구조를 고찰하고, 버퍼 용량을 해석적으로 평가하고 컴퓨터 시뮬레이션 하였다. 그리고 비충돌 같은 링크 속도를 개선하는 대용랑($M{\times}M$. M>1.000)의 ATM 교환 비충돌(non-blocking) 교환망 구성 방안을 고찰하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제10권5호
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• pp.245-249
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• 2010

현재 차량에서 일반적으로 많이 쓰이고 있는 변속 스위치의 방법은 전위차를 신호로하는 접촉식이다. 접촉식은 신호전달에 있어서 정확한 방식의 하나이지만 장시간 사용 시 접촉면의 노후화로 인하여 수명이 짧아진다. 비 접촉 방식으로 사용될 수 있는 자기센서를 사용 한다면 접촉면의 노후화를 해결 할 수 있다. 본 논문에서는 자기센서의 특징을 살려서 비 접촉식 방법으로 차량용 변속스위치에 적용 하여 기존 접촉식 방법의 문제를 해결하였다. 센서 출력 전압은 가변적인 전위차를 가지는데 스위치의 각동에 따라 통상 0mV에서 150mV의 값을 가진다. 본 연구에서는 5개의 상태 신호에 대한 두 개의 사인 신호를 사용 하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제48권1호
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• pp.97-101
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• 2011

개인 휴대통신의 서비스 대역에 대응하는 4중 대역 p-HEMT SP6T 스위치를 구현하였다. 낮은 삽입손실과 높은 격리특성을 달성하기 위하여, 트랜지스터 단위소자의 최적화를 통해 On-Off간 상호 보완적 관계를 고려하였으며, 특히 송수선간 격리 특성의 경우, 큰 커패시터 삽입을 통하여 우수한 격리 특성을 달성하는 동시에 단일의 전압제어와 백비아를 사용한 접지를 통해 소형화를 달성하였다. 구현된 SP6T 스위치는 $950um{\times}100um$의 크기를 가지며 공정상 게이트 우물의 오류를 감안할 때, 각 주파수 대역에서 우수한 삽입손실 및 격리특성을 확인 할 수 있었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2002년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.707-710
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• 2002

A 120kV/70A high voltage switch has been installed at Korea Atomic Energy Research Institute in Taejon to supply power with Korea Superconducting Tokamak Advanced Research (KSTAR) Neutral Beam Injection (NBI) system. NBI system requires fast cutoff of the power supply voltage for protection of the grid when arc detected and fast turn-on the voltage for sustaining the beam current. Therefore the high voltage switch and arc current detection circuit are important part of the NBI power supply and there are much need for high voltage solid state switches in NBI system and a broad area of applications. This switch consisted of 100 series connected MOSFETs and adopted the proposed simple and reliable gate drive circuit without bias supply, Various results taken during the commissioning phase with a 100kW resistive load and NBI source are shown. This paper presents the detailed design of 120kV/70A high voltage MOSFETs switch and simple gate drive circuit. Problems with the high voltage switch and gate driver and solutions are also presented.

• 한국통신학회논문지
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• 제31권2A호
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• pp.201-206
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• 2006

다중 빔 위성중계기 부품중의 하나인 MSM(Microwave Switch Matrix)에 필요한 SPST 스위치 MMIC를 설계 및 제작하였다. 설계된 스위치 MMIC는 3GHz 대역에서 동작하며, 새로운 구조를 채택하여 기존의 FET 스위치보다 전력 특성과 격리도를 개선하였으며, 스위치의 On/Off 상태에서의 입출력 반사손실 특성이 우수하다. MMIC는 0.15um GaAs pHEMT 공정으로 제작되었으며, 3$\∼$4GHz 대역에서 2.0dB 이하의 삽입손실과, 63dB 이상의 격리도 성능을 가지는 것으로 측정되었다. 또한 사용된 단위 pHEMT 소자가 0.2mm Gate Width 임에도 불구하고 320dBm 이상의 OIP3 특성을 가지고 있는 것으로 측정되었으며, 이 결과는 기존의 발표된 FET 스위치에 비해 높은 전력 특성이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.159-162
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• 2001

AAL2 is an adaptation layer that is supposed to support delay-sensitive applications with low bit-rate, short, variable packet length in a bandwidth-efficient way. For the switching of AAL2 service channels, AAL2 network is needed, which consists of AAL2 switching nodes. In this paper, The architecture of the unit AAL2 switch is proposed and the performance is analyzed in the CDMA environment.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 1999년도 학술대회논문집-국제 전기방전 및 플라즈마 심포지엄 Proceedings of 1999 KIIEE Annual Conference-International Symposium of Electrical Discharge and Plasma
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• pp.23-28
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• 1999

The manufactured pulsed power system with 500kA current is described in this paper. The capacitor bank, control cabinent, dec charging unit, closing switch and dumping box, cable system etc. employed with the system components are described. Especially the development of the inverse pinch switch controlled by gas puffing enabled the generation of the very high voltage and current.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.2179-2181
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• 1999

This paper describes the composition technology of pulsed power system with high current. The capacitor bank, control cabinet, dc charging unit, closing switch and cable system etc. employed with the system components are described. Especially the development of the inverse pinch switch enabled the generation of the very high current.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권1호
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• pp.22-30
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• 2002

ln this paper, it was reported the developed results of the monitoring unit for 72.5kY GIS which it is one part of the monitoring system for the substation that Korea Railway Company is promoting. In order to monitor the operational status of GIS, four parameters were chosen: the number of times of the circuit breaker switching, tightness of the gas-sealed units (circuit breaker / disconnecting switch / earthing switch), the number of times of the lightning arrestor operating and the leakage current of the lighting arrester. We constructed the monitoring system that can be judged the operating condition of the GIS from the signal of the suitable sensor for the purpose. Therefore, it is possible to on line monitoring for the condition of the GlS without efforts of the Periodic inspection.

• ETRI Journal
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• 제33권6호
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• pp.880-886
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• 2011

With the introduction of high-current 8-inch solar cells, conventional Schottky bypass diodes, usually adopted in photovoltaic (PV) panels to prevent the hot spot phenomenon, are becoming ineffective as they cause relatively high voltage drops with associated undue power consumption. In this paper, we present the architecture of an active circuit that reduces the aforementioned power dissipation by profitably replacing the bypass diode through a power MOS switch with its embedded driving circuitry. Experimental prototypes were fabricated and tested, showing that the proposed solution allows a reduction of the power dissipation by more than 70% compared to conventional Schottky diodes. The whole circuit does not require a dedicated DC power and is fully compatible with standard CMOS technologies. This enables its integration, even directly on the panel, thereby opening new scenarios for next generation PV systems.