• 제목/요약/키워드: Surface roughness

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Print Mottle : Causes and Solutions from Paper Coating Industry Perspective

  • Lee, Hak-Lae
    • 펄프종이기술
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    • 제40권5호
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    • pp.60-69
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    • 2008
  • The principal reasons for applying a pigment coating to paper are to improve appearance and printability. The pigment coating provides a surface that is more uniform and more receptive to printing ink than are the uncoated fibers and, in turn, both facilitates the printing process and enhances the graphic reproduction. The improvement in print quality is readily apparent, especially in image areas or when multiple colors are involved. Although pigment coating of paper is to improve the printability, coated paper is not completely free from printing defects. Actually there are a number printing defects that are observed only with the coated papers. Among the printing defects that are commonly observed for coated papers, print mottle during multi-color offset printing is one of the most concerned defects, and it appears not only on solid tone area but also half dot print area. There are four main causes of print mottle ranging from printing inks, dampening solution, paper, and printing press or its operation. These indicates that almost every factors associated with lithographic printing can cause print mottle. Among these variation of paper quality influences most significantly on print mottle problems in multicolor offset printing, and this indicates that paper is most often to be blamed for its product deficiency as far as print mottle problems are concerned. Furthermore, most of the print mottle problems associated with paper is observed when coated papers are printed. Uncoated papers rarely show mottling problems. This indicates that print mottle is the most serious quality problems of coated paper products. Overcoming the print mottle is becoming more difficult because the operating speeds of coating and printing machines are increasing, coating weights are decreasing, and the demands on high-quality printing are increasing. Print mottle in offset printing is caused by (a) nonuniform back trap of ink caused by a nonuniform rate of ink drying, referred as "back trap mottle, and (b) nonuniform absorption of the dampening solution. Furthermore, both forms of print mottle have some relationship to the structure of the coated layer. The surest way of eliminating ink mottling is to eliminate unevenness in the base paper. Coating solutions, often easier to put into practice, should, however, be considered. In this paper the principal factors influencing print mottle of coated papers will be discussed. Especially the importance of base paper roughness, binder migration, even consolidation of coating layers, control of the drying rate, types of binders, etc. will be described.

개수로에서 소유사의 영향을 고려한 부유입자 유동에 관한 수치적 연구 (A Numerical Analysis of Sediment-laden Flow in Open Channel with Bed-load Effect)

  • 윤준용;강승규;강시환
    • 한국수자원학회논문집
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    • 제33권4호
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    • pp.461-469
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    • 2000
  • 본 연구에서는 부유입자를 포함하는 유동을 입자크기와 입자량을 달리한 몇 가지 경우에 대하여 수치적으로 해석하고 Coleman(1981, 1986)의 실험결과와 비교하였다. 완전 난류 유동장을 해석하기 위하여 k-$\omega$난류모형을 사용하였으며, 농도장 해석을 위해서는 침강속도를 고려한 일반화된 농도방정식을 적용하였다. 유동과 입자의 상호작용은 Einstein과 Chien(1955)의 모형을 도입하여 수치계산하였다. 기존의 대부분 연구에서는 소유사의 두께를 고려하지 않은 연구를 수행하였으나, 입자량이 많아지거나 입자크기가 클 경우 이를 무시할 수 없는 것으로 밝혀졌다. 소유사의 두께와 하상에 의한 표면 거칠기 효과를 고려하여 본 연구를 수행하였는데, 여기서 농도분포를 결정짓게 되는 $\beta$값이 입자의 크기와 입자량에 관련되어 있다는 사실을 확인할 수 있었다. 기존 연구결과는 $\beta$가 1.0보다 큰 값을 가진다고 보고되었으나, 본 연구를 통해 1.0보다 작아질수 있음이 확인되었고, 이는 최근에 보고된 연구 결과와 일치되는 결과이다.

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RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 Multiferroic BiFeO3 박막의 미세구조 및 자기적 특성 (Microstructures and Magnetic Properties of Multiferroic BiFeO3 Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering Method)

  • 송종한;남중희;강대식;조정호;김병익;최덕균;전명표
    • 한국자기학회지
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    • 제20권6호
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    • pp.222-227
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    • 2010
  • RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) 기판위에 $BiFeO_3$ 박막을 증착하였고, 스퍼터링 공정에서 산소량이 $BiFeO_3$ 박막에 미치는 영향을 조사하였다. $BiFeO_3$ 박막은 XRD 회절패턴의 결과를 통하여 소량의 불순물상이 존재하는 페로브스카이트 구조로 결정화되었다. $O_2$ 가스의 유량은 박막의 미세구조 및 자기적 특성에 많은 영향을 끼친다. $O_2$ 가스의 유량이 증가함에 따라 박막의 표면 거칠기 및 grain size가 증가하였다. $BiFeO_3$ 박막은 상온에서 약자성적인 거동을 보였으며, PFM 측정을 통하여 박막의 미세구조와 압전계수와의 상관관계를 조사하였다.

투명감 측정을 통한 제형의 미백 효능 평가와 투명감에 관여하는 요소들에 대한 분석 (Evaluating the Efficacy of Whitening Products by Using Luminescence Measurement and Revealing Correlation between Luminescence and Other Parameters)

  • 정춘복;김한곤;남개원
    • 대한화장품학회지
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    • 제36권4호
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    • pp.253-258
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    • 2010
  • 현재까지 피부 미백에 대한 평가는 피부 반사광 전체에 대한 분석이 주를 이루어 왔다. 그 예로 SHV (Saturation, Hue, Value), $L^*$ $a^*$ $b^*$ (CIELAB color space system) 등 색차계를 사용하여 검출된 빛을 몇 가지 기준으로 나누어 분석하는 방법이 이용되어왔으며, 밝기나 채도 변화를 기준으로 피부 미백을 평가해왔다. 하지만 이러한 기존의 미백 평가법들은 빛의 전체 피부 반사량을 통한 측정이라는 한계를 가지고 있어 투명감, 화사함, 윤기 등 소비자들이 원하는 새로운 미백 효능의 평가에는 사용하기 힘든 단점이 있었다. 이번 연구에서는 이전까지 정량적으로 표현하기 힘들었던 투명감에 대한 새로운 측정법을 활용하여 8주 동안 자사의 2가지 미백 제형 효능 평가에 사용하였으며, 이를 위해 루미스캔(Lumiscan$^{TM}$)이라고 명명된 편광을 활용한 각도별 반사광 측정 장치를 제작하여 실험에 활용하였다. 또한, 투명감 측정 이외에도 15가지 측정치에 대한 실험을 병행하여 투명감에 주요한 영향을 미치는 요소를 분석하고자 하였으며 결과적으로 자사의 2가지 미백 제형은 각각 4, 8주에 5 ~ 9 %의 투명도 개선을 보여주었다. 그리고 피부결(-28 %), 멜라닌(-17 %), 홍반(-7 %), 수분량(15 %), 피부 밝기(6 %) 등이 피부 투명감에 주요한 영향을 주는 요소라는 사실을 보여주었다.

절연층인 CeO$_2$박막의 제조 및 Pt/$SrBi_2$$Ta_2$$O_9$/$CeO_24/Si MFISFET 구조의 전기적 특성 (Preparation of CeO$_2$ Thin Films as an Insulation Layer and Electrical Properties of Pt/$SrBi_2$$Ta_2$$O_9$/$CeO_24/Si MFISFET)

  • 박상식
    • 한국재료학회지
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    • 제10권12호
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    • pp.807-811
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    • 2000
  • MFISFET (Metal-ferroelectric-nsulator-semiconductor-field effect transistor)에의 적용을 위해 CeO$_2$와 SrBi$_2$Ta$_2$O$_{9}$ 박막을 각각 r.f. sputtering 및 pulsed laser ablation법으로 제조하였다. CeO$_2$ 박막은 증착시 스퍼터링개스비 (Ar:O$_2$)에 따른 특성을 고찰하였다. Si(100) 기판 위에 $700^{\circ}C$에서 증착된 CeO$_2$ 박막들은 (200)방향으로 우선방향성을 가지고 성장하였고 $O_2$ 개스량이 증가함에 따라 박막의 우선방향성, 결정립도 및 표면거칠기는 감소하였다. C-V특성에서는 Ar:O$_2$가 1 : 1인 조건에서 제조된 박막이 가장 양호한 특성을 보였다. 제조된 박막들의 누설전류값은 100kV/cm의 전계에서 $10^{-7}$ ~$10^{-8}$ A의 차수를 보였다. CeO$_2$/Si 기판위에 성장된 SBT는 다결정질상의 치밀한 구조를 가지고 성장을 하였다 80$0^{\circ}C$에서 열처리된 SBT박막으로 구성된 MFIS구조의 C-V 특성에서 memory window 폭은 0.9V를 보였으며 5V에서 4$\times$$10^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$의 누설전류밀도를 보였다.

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공정 압력이 HfO2 박막의 구조적 및 광학적 특성에 미치는 영향 (Effects of Working Pressure on Structural and Optical Properties of HfO2 Thin Films)

  • 정양희;강성준
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제12권6호
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    • pp.1019-1026
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    • 2017
  • $HfO_2$ 박막은 공정압력을 조정함으로써 박막의 질을 향상시켜 그 구조적 특성을 개선시킬 수 있다. 본 연구에서는 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 유리 기판 위에 $HfO_2$ 박막을 증착하였으며, 이때의 기저 진공 압력은 $4.5{\times}10^{-6}Pa$ 이하였으며 RF 파워는 100 W, 기판의 온도는 $300^{\circ}C$ 이었다. 해당 박막 증착 공정의 공정 압력은 1 mTorr 에서 15 mTorr 로 변화되었다. 그 후, 해당 박막의 구조적 및 광학적 특성들을 조사하였다. 특히, 1 mTorr 의 공정 압력으로 증착된 $HfO_2$ 박막이 다른 박막들과 비교하여 가장 우수한 특성을 가진 것으로 나타났으며, 이때의 결정립의 크기는 10.27 nm, 표면 거칠기는 1.173 nm, 550 nm 파장에서의 굴절률은 2.0937, 그리고 550 nm 파장에서의 투과율은 84.85 % 의 우수한 특성을 나타내었다. 이러한 결과들을 통해 1 mTorr 의 공정 압력으로 증착된 $HfO_2$ 박막은 투명 전자 소자에 적용하기에 적합함을 알 수 있다.

화학적기계적연마 공정으로 제조한 BLT Capacitor의 Polishing Damage에 의한 강유전 특성 열화 (Degradation from Polishing Damage in Ferroelectric Characteristics of BLT Capacitor Fabricated by Chemical Mechanical Polishing Process)

  • 나한용;박주선;정판검;고필주;김남훈;이우선
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.236-236
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    • 2008
  • (Bi,La)$Ti_3O_{12}$(BLT) thin film is one of the most attractive materials for ferroelectric random access memory (FRAM) applications due to its some excellent properties such as high fatigue endurance, low processing temperature, and large remanent polarization [1-2]. The authors firstly investigated and reported the damascene process of chemical mechanical polishing (CMP) for BLT thin film capacitor on behalf of plasma etching process for fabrication of FRAM [3]. CMP process could prepare the BLT capacitors with the superior process efficiency to the plasma etching process without the well-known problems such as plasma damages and sloped sidewall, which was enough to apply to the fabrication of FRAM [2]. BLT-CMP characteristics showed the typical oxide-CMP characteristics which were related in both pressure and velocity according to Preston's equation and Hernandez's power law [2-4]. Good surface roughness was also obtained for the densification of multilevel memory structure by CMP process [3]. The well prepared BLT capacitors fabricated by CMP process should have the sufficient ferroelectric properties for FRAM; therefore, in this study the electrical properties of the BLT capacitor fabricated by CMP process were analyzed with the process parameters. Especially, the effects of CMP pressure, which had mainly affected the removal rate of BLT thin films [2], on the electrical properties were investigated. In order to check the influences of the pressure in eMP process on the ferroelectric properties of BLT thin films, the electrical test of the BLT capacitors was performed. The polarization-voltage (P-V) characteristics show a decreased the remanent polarization (Pr) value when CMP process was performed with the high pressure. The shape of the hysteresis loop is close to typical loop of BLT thin films in case of the specimen after CMP process with the pressures of 4.9 kPa; however, the shape of the hysteresis loop is not saturated due to high leakage current caused by structural and/or chemical damages in case of the specimen after CMP process with the pressures of 29.4 kPa. The leakage current density obtained with positive bias is one order lower than that with negative bias in case of 29.4 kPa, which was one or two order higher than in case of 4.9 kPa. The high pressure condition was not suitable for the damascene process of BLT thin films due to the defects in electrical properties although the better efficiency of process. by higher removal rate of BLT thin films was obtained with the high pressure of 29.4 kPa in the previous study [2].

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열전달 향상 장치에 따른 평판형 태양열 집열기의 압력강하 및 열전달 특성 (Pressure drop and heat transfer characteristics of a flat-plate solar collector with heat transfer enhancement device)

  • 안성후;신지영;손영석
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제37권5호
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    • pp.453-460
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    • 2013
  • 평판형 태양열 집열기의 효율을 높이기 위한 방법으로 열전달 향상 장치의 삽입, 표면 거칠기의 변화 등 다양한 방법들이 알려져 있다. 본 연구는 실험을 통해 다양한 열전달 향상 장치를 제작하고 이를 덕트에 삽입해 실험을 수행하였다. 실험은 기본적으로 덕트 윗 평판에 일정한 열유속을 가하였고, 삽입된 모델은 매끈한 덕트 형상(Base case)과 Chamfered rib $10^{\circ}$, Chamfered rib $20^{\circ}$, Rib & Groove, Rib & Dimple 모델이다. 실험은 Reynolds 수가 2,300~22,000의 범위에서 이루어졌으며 이는 난류영역에 해당한다. 열전달 향상 장치를 삽입하면 면적의 증가와 2차 유동으로 인하여 열전달이 향상되고, Reynolds 수가 증가할수록 열전달이 향상되었으며 압력강하도 증가하였다. 열전달 측면에서는 Rib & Dimple 모델이 열전달 향상 효과가 가장 좋았으며, 압력강하는 Chamfered rib $10^{\circ}$ 모델이 가장 낮았으며, 성능계수 측면에서도 Chamfered rib $10^{\circ}$ 모델이 가장 높은 것으로 나타났다.

공정 압력과 산소 가스비가 투명 플라스틱 기판에 성장시킨 AZO 박막에 미치는 영향 (Influence of AZO Thin Films Grown on Transparent Plastic Substrate with Various Working Pressure and $O_2$ Gas Flow Rate)

  • 이준표;강성준;정양희;윤영섭
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제47권2호
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    • pp.15-20
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    • 2010
  • 본 연구에서는 RF magnetron sputtering법으로 기판온도 $200^{\circ}C$에서 공정 압력 (5~20 mTorr)과 산소 가스비 (0~3%)를 변화시켜가며 PES 플라스틱 기판 위에 AZO (Al:3wt%) 박막을 제작하여 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 공정 조건에 관계없이 모든 AZO박막이 c 축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, 표면 거칠기 값은 공정압력 5 mTorr, 산소 가스비 3%에서 제작한 박막에서 가장 낮은 값 (3.49 nm) 을 나타내었다. 모든 AZO 박막이 가시광 영역에서 80% 정도의 투과율을 보였으며, 공정 압력과 산소 가스비가 감소할수록 에너지 밴드갭이 증가하는 Burstein-Moss 효과를 관찰할 수 있었다. Hall 측정 결과, 공정 압력 5 mTorr와 산소 가스비 0%에서 제작한 AZO 박막에서 가장 높은 캐리어 농도 $2.63\;{\times}\;10^{20}\;cm^{-3}$ 값과 가장 낮은 비저항 $4.35\;{\times}\;10^{-3}\;{\Omega}cm$ 값을 나타내었다.

리모트 수소 플라즈마를 이용한 Si 표면 위의 Fe 불순물 제거 (Removal of Fe Impurities on Silicon Surfaces using Remote Hydrogen Plasma)

  • 이종무;박웅;전부용;전형탁;안태항;백종태;신광수;이도형
    • 한국재료학회지
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    • 제8권8호
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    • pp.751-756
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    • 1998
  • 리모트 수소 플라즈마에 의한 Si 웨이퍼 표면 위의 Fe 불순물의 제거효과를 조사하였다. 세정시간 10분 이하와 rf-power 100W이하의 범위에서 최적 공정조건은 각각 1분과 100W이였으며, 플라즈마 노출시간이 짧을수록, rf-power가 증가할수록 Fe제거 효과가 더 향상되는 것으로 나타났다. 또한, 고압보다는 저압 하에서 Fe 제거효과가 더 우수하였는데, 저압 하에서는 $\textrm{H}_2$ 유량이 20sccm, 고압 하에서는 60sccm일 때 Fe 제거효과가 가장 우수하였다. 플라즈마 세정 직후의 열처리는 금속오염의 제거효과를 향상시켰으며, $600^{\circ}C$에서 최상의 효과를 얻을 수 있었다. AFM 분석결과에 의하면 표면 거칠기는 플라즈마 세정에 의하여 30-50% 향상되었는데, 이것은 Fe 오염물과 더불어 Si 표면의 particle이 제거된 데 기인하는 것으로 생각된다. 또한 본 논문에서는 수소 플라즈마에 의한 Si 웨이퍼 표면의 Fe 제거기구에 관해서도 자세히 고찰하였다.

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