Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.36
no.1
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pp.99-107
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2003
The diffusion coefficient of Xe-133 was obtained from an annealing test. The specimens were made from a UO$_2$ single crystal powder with natural enrichment. Weight and grain size were 300mg and ($23\mu\textrm{m}$, respectively. Oxygen potentials were obtained from an oxygen sensor. Released fractions were obtained from both results of gamma scans and quantitative analysis with MCNP code, The annealing test was performed at three temperatures at once. Diffusion coefficients of Xe-133 were calculated using slope of Booth theory in each O/M ratios. Activation energy and the pre-exponential factor of the diffusion coefficient were obtained. The activation energy of near stoichiomeric $UO_2$ is 310 kJ/mol. The measured values of near stoichiometric $UO_2$ are very close to other data available. Diffusion coefficients increase with hyper-stoichiometry, due to higher concentration of cation vacancies.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.11a
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pp.167-167
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2015
SiC thin films made by vapor silicon infiltration into porous graphite can be obtained for shorter time than liquid silicon. Si diffusion coefficient is estimated by comparing experiment results with quadratic equation obtained by Fick's second law.
Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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v.23
no.6
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pp.18-25
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2019
The cracks occurred during service life of concrete structure should be considered in durability design, because of the concrete's material property which is weak in tensile strength. In this study, the fly ash concrete mixtures considering 2 levels of strength is designed and outdoor exposure tests are conducted for those concrete specimens. The exposure environment is set to a splash zone, and in order to evaluate the effect of crack width on the behavior of chloride diffusion, the crack width of up to 1.0 mm is generated at intervals of 0.1 mm at each concrete mixture. After that, apparent chloride diffusion coefficient and surface chloride contents are deducted considering 3 levels of exposure periods(180 days, 365 days, 730 days). The diffusion coefficients of two types of mixture increase with the increase of crack width, and the diffusion coefficients decrease with the increase of exposure periods. In addition, the effect of the crack width on the diffusion coefficient is reduced as the exposure periods increase, which is attributed to the extra hydrate by chloride ion reducing the diffusivity of concrete. The behavior of the surface chloride contents does not significantly change by the increase in crack width, compared to the behavior of apparent chloride diffusion coefficient. Also, In the high strength FA concrete mixture, the surface chloride contents are 78.9 % ~ 90.7 % than the normal FA strength concrete mixture. Thus, Surface chloride contents have correlation with the strength of concrete.
Copper is known as a replacement for aluminum wire which is used for semiconductor. Because specific resistance of Cu ($1.67{\mu}{\Omega}$-cm) is lower than that of Al ($2.66{\mu}{\Omega}$-cm), Cu reduce RC delay time. Although melting point of Cu($1085^{\circ}C$) is higher than melting point of Al, Cu have characteristic to easily react with Silicon(Si) in low temperature, and it isn't good at adhesive strength with Si. For above these reason, research of diffusion barrier to prevent reaction between Cu and Si and to raise adhesive strength is steadily advanced. Our study group have researched on W-C-N (tungsten-carbon-nitrogen) Diffusion barrier for preventing diffusion of Cu through semiconductor. By recent studies, It's reported that W-C-N diffusion barrier can even precent Cu and Si diffusing effectively at high temperature. In this treatise, we vaporized different proportion of N into diffusion barrier to research Cu's Electromigration based on the results and studied surface hardness in the heat process using nano scale indentation system. We gain that diffusion barrier containing nitrogen is more stable for Cu's electromigration and has stronger surface hardness in heat treatment process.
The feature scale model for selective chemical vapor deopsition process was proposed and the simulation was performed to study the selectivity and uniformity of deposited thin film using Monte Carlo method and string algorithm. The effect of model parameters such as sticking coefficient, aspect ratio, and surface diffusion coefficient on the deposited thin film pattern was improved for lower sticking coefficient and higher aspect ratio. It was revealed that the selectivity loss ascrives to the surface diffusion. Different values of sticking coefficients on Si and on SiO2 surface greatly influenced the deopsited thin film profile. In addition, as the lateral wall angle decreased, the selectively deposited film had improved uniformity except the vicinity of trench wall. The optimum eondition for the most flat selective film deposition pattern is the case with low sticking coefficient and slightly increased surface diffusion coefficient.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.318-321
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2002
This paper presents a proper condition to achieve high conversion efficiency using PC1D simulator on sri-crystalline Si solar cells. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer, BSF thickness and doping concentration were investigated. Optimized cell parameters were given as rear surface recombination of 1000 cm/s, minority carrier diffusion length in the base region 200 $\mu\textrm{m}$, front surface recombination velocity 100 cm/s, sheet resistivity of emitter layer 100 Ω/$\square$, BSF thickness 5 $\mu\textrm{m}$, doping concentration 5${\times}$10$\^$19/ cm$\^$-3/. Among the investigated variables, we learn that a diffusion length of base layer acts as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 19 %.
Proceedings of the Korean Society of Soil and Groundwater Environment Conference
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2005.04a
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pp.114-116
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2005
Natural attenuation has been actively studied and often selected as final clean-up process in remediation of contaminated ground-water and soil for the last decade. Accordingly, understanding of natural processes affecting the fate and transport of contaminants in the subsurface becomes important for a success of implementation of the natural remediation strategy, Contaminant advection and diffusion processes in the unsaturated zone are naturally related to environmental changes in the atmosphere. The atmospheric pressure changes affecting the transport of contaminants in the subsurface are investigated in this study. Moisture content, trichloroethylene (TCE) concentration, temperature, and pressure variations in the subsurface were measured for the July, August, November, and December 2001 at Picatinny Arsenal, New Jersey. These data were used for a one-phase flow and one-component transport model in simulating the soil-gas flow and accordingly the TCE transport in the subsurface in accordance with the atmosphere pressure variations at the surface. The soil-gas velocities during the sampling periods varied with a magnitude of $10^{-6}\;to\;10^{-7}\;m\;s^{-1}$ at land surface. The TCE advection fluxes at land surface were several orders of magnitude smaller than the TCE diffusion fluxes. A sensitivy analysis indicated that advection fluxes were more sensitive to changes in geo-environmental conditions compared to diffusion fluxes. Of all the parameters investigated in this study, moisture content has the most significant effect on TCE advection and diffusion fluxes.
Adatom kinetics on the surfaces of Co overlayers, prepared on the W(110) surface, was studied with scanning tunneling microscopy. By counting the number-density of the adatom-islands, we estimated the ratio of adatom diffusion coefficients. The ratio $D_{W(110)}:D_{1ML\;Co}:D_{2ML\;Co}$ was measured to be 1 : 125 : 33000 at room temperature, where $D_{W(110)},\;D_{1ML\;Co}$, and $D_{2ML\;Co}$ are the diffusion coefficients on bare W(110) surface, on one-monolayer Co overlayer, and on two-monolayers Co overlayers, respectively. An increased diffusion coefficient on two-ML Co overlayers, relative to that on one-ML Co overlayers, was explained with the heteroepitaxial strain effect.
This article covers the theoretical ac-impedance models for the analysis of oxygen reduction on the porous cathode electrode f3r solid oxide fuel cell (SOFC). Firstly, ac-impedance models were explained on the basis of the mechanism of oxygen reduction, which were classified into the rate-determining steps; (i) adsorption of oxygen atom on the electrode surface, (ii) diffusion of adsorbed oxygen atom along the electrode surface towards the three-phase (electrode/electrolyte/gas) boundaries, (iii) surface diffusion of adsorbed oxygen atom m ixed with the adsorption reaction of oxygen atom on the electrode surface and (iv) diffusion of oxygen vacancy through the electrode coupled with the charge transfer reaction at the electrode/gas interface. In each section for ac-impedance model, the representative impedance plots and the interpretation of important parameters attributed to the oxygen reduction reaction were explained. Finally, we discussed in detail the applications of the proposed theoretical ac-impedance models to the real electrode of SOFC system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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