• 한국해양학회지
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• 제26권4호
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• pp.340-349
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• 1991

1987년 8월 24일부터 9월 28일까지 경기만에 발달한 조류 기원 사퇴위에서 측정한 조류 자료를 분석하여 해저면 상부 1.0 m 에서의 조류 속도(U /SUP 100/) 및 경계면에 서의 전단 속도(U /SUP */)를 구하였다. 전 조사기간 동안 평균 조류 속도는 중충(해 저면 상부 9.0 m)에서 창조시 56.3 cm/sec, 낙조시 63.7 cm/sec 의 지수는 0.15로 추 정된다. 해저 경계층에서의 유속 구조가 대수적 속도 구조 (logarithmix velocity profile) 가정을 이용하여 구한 U /SUP 100/, U /SUP */의 평균값은 각각 41.4 cm/sec로 계산되었다. 본 연구에서 계산된 평균 U /SUP */ 값은 (2.39 cm/sec)동일 지 역에서 최(1990)가 보고한 경계면에서의 임계전단 속도 U /SUP *c/ 보다 상당히 크며, 따라서 본 연구지역의 모래는 대부분의 조석 기간중 쉽게 침식 운반되는 것으로 보여 진다.

• 한국해안해양공학회지
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• 제5권2호
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• pp.143-150
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• 1993

이중 주파수(Dual Frequency)를 사용한 Prototype형 천해 지층 탐사기를 사용하여 얻은 탐사 기록지가 제시되었다. 이중 주파수로는 3.5/100KHz 혹은 15/100KHz를 이용해서 고주파수에 의한 고해상도(High Resolution)을 얻고 동시에 저주파수(3.5~15KHz)에 의한 심층 투과력을 높이는데 본 연구의 목적이 있다. 특히 탐지하는 목표물이 Fresnel 반경에 비해서 매우 작을 때는 쌍곡선형 회절무늬(Hyperbolic Diffraction)가 나타나기 때문에 쉽게 목표물을 찾을 수 있다. 감쇠상수가 큰 모래층은 작은 감쇠상수를 갖고 있는 점토보다 지진파의 투과력을 약하게 만든다. 이와같이 이중 주파수의 동시 운용은 해저 지질. 모래와 점토(Silt/Clay) 분포 오니토 및 해양고고학 유물 탐사에 크게 활용할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.389-395
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• 2005

The etching technology of the high aspect ratio contact(HARC) is necessary at the critical contact processes of semiconductor devices. Etching the $SiO_{2}$ contact hole with the sub-micron design rule in manufacturing VLSI devices, the unexpected phenomenon of 'profile tilting' or 'bottom distortion' is often observed. This makes a short circuit between neighboring contact holes, which causes to drop seriously the device yield. As the aspect ratio of contact holes increases, the high C/F ratio gases, $C_{4}F_{6}$, $C_{4}F_{8}$ and $C_{5}F_{8}$, become widely used in order to minimize the mask layer loss during the etching process. These gases provide abundant fluorocarbon polymer as well as high selectivity to the mask layer, and the polymer with high sticking yield accumulates at the top-wall of the contact hole. During the etch process, many electrons are accumulated around the asymmetric hole mouth to distort the electric field, and this distorts the ion trajectory arriving at the hole bottom. These ions with the distorted trajectory induce the deformation of the hole bottom, which is called 'profile tilting' or 'bottom distortion'. To prevent this phenomenon, three methods are suggested here. 1) Using lower C/F ratio gases, $CF_{4}$ or $C_{3}F_{8}$, the amount of the Polymer at the hole mouth is reduced to minimize the asymmetry of the hole top. 2) The number of the neighboring holes with equal distance is maximized to get the more symmetry of the oxygen distribution around the hole. 3) The dual frequency plasma source is used to release the excessive charge build-up at the hole mouth. From the suggested methods, we have obtained the nearly circular hole bottom, which Implies that the ion trajectory Incident on the hole bottom is symmetry.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권1호
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• pp.1-6
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• 2004

Dry etch characteristics of polysilicon with HBr/O$_2$ inductively coupled plasma (ICP) have been investigated. We determined etch late, uniformity, etch profiles, and selectivity with analyzing the cross-sectional scanning electron microscopy images obtained from top, center, bottom, right, and left positions. The etch rate of polysilicon was about 2500 $\AA$/min, which meets with the mass production for devices. The wafer level etch uniformity was within $\pm$5 ％. Etch profile showed 90$^{\circ}$ slopes without notches. The selectivity over photoresist was between 2:1∼4.5:1, depending on $O_2$ flow rate. The HBr-ICP etching showed higher PR selectivity, and sharper profile than the conventional Cl$_2$-RIE.

• 지구물리
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• 제9권4호
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• pp.427-441
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• 2006

광역적인 망간단괴 분포상과 미세한 지형변화와의 상관관계를 해석하고 발달경향에 대한 규칙성을 지배하는 요인을 규명하는 것은 망간단괴 개발을 위한 채광등급설정에 있어서 가장 중요한 근접해저면 평가기법중의 하나이다. 본 연구에서는 망간단괴 개발을 위해 대한민국이 UN으로부터 할당받은 한국심해연구(Korea Deep Ocean Study, KODOS) 지역에서 획득된 천부지층자료와 예인형 심해영상시스템 자료를 대상으로 망간단괴 성장에 직접적으로 관련된 천부퇴적층의 분포를 파악함으로써 망간단괴의 분포를 고찰하고, 격자형 해저영상자료를 이용하여 미세 지형에서의 망간단괴 발달경향과 분포특성에 대한 공간적 해석을 실시하였다. 최상부 음파투명층의 두께와 총 부존율은 상관성이 거의 없어 보이지만, r형 및 t형 단괴와는 역의 상관관계가 뚜렷하게 나타난다. 연구지역에서 획득된 자료 분석을 통해 부존율, 산출경향, 연속성, 지형요소 등을 대비하였을 때, 4개 요소 간에는 일정한 관련성을 보이는 것으로 나타났다.

• 지구물리
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• 제6권4호
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• pp.269-276
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• 2003

충주 조정지댐 저면의 조사대상 지역은 면적이 약 100만$m^2$ 측선길이가 약 5 km이상의 지역으로 이 지역에 대해 수중시추조사 및 하천 종단 및 횡단측량을 포함한 저면형태 및 골재분포 형태를 레이다탐사 및 GPS에 의한 위치 확인을 통하여 정밀 측심 및 저면조사를 수행하였으며 50cm 이내의 정밀 현장 위치 확인을 하였다 지하 투과 레이다를 활용한 조사 결과 저면의 모래 자갈 및 실트질 지층을 부분적으로 조사해 낼 수 있었다

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권5호
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• pp.519-525
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• 2015

Positive bias stress-induced instability in amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) bottom-gate thin-film transistors (TFTs) was investigated under high $V_{GS}$/low $V_{DS}$ and low $V_{GS}$/high $V_{DS}$ stress conditions through incorporating a forward/reverse $V_{GS}$ sweep and a low/high $V_{DS}$ read-out conditions. Our results showed that the electron trapping into the gate insulator dominantly occurs when high $V_{GS}$/low $V_{DS}$ stress is applied. On the other hand, when low $V_{GS}$/high $V_{DS}$ stress is applied, it was found that holes are uniformly trapped into the etch stopper and electrons are locally trapped into the gate insulator simultaneously. During a recovery after the high $V_{GS}$/low $V_{DS}$ stress, the trapped electrons were detrapped from the gate insulator. In the case of recovery after the low $V_{GS}$/high $V_{DS}$ stress, it was observed that the electrons in the gate insulator diffuse to a direction toward the source electrode and the holes were detrapped to out of the etch stopper. Also, we found that the potential profile in the a-IGZO bottom-gate TFT becomes complicatedly modulated during the positive $V_{GS}/V_{DS}$ stress and the recovery causing various threshold voltages and subthreshold swings under various read-out conditions, and this modulation needs to be fully considered in the design of oxide TFT-based active matrix organic light emitting diode display backplane.

• 한국음향학회지
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• 제34권6호
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• pp.444-454
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• 2015

한국해양과학기술원과 한양대학교가 2013년 5월 서해 경기만 남부의 연안해역에서 공동으로 수행한 해양음향 실험에서 주파수 6 ~ 14 kHz에 대한 해저면 후방산란강도 측정이 실시되었다. 실험해역의 지질 환경 특성은 다중빔 음향측심기, 스파커, 그랩을 이용하여 조사되었으며, 이로부터 정밀 해저지형 및 해저면 하부지층 구조, 표층 퇴적물 구성성분에 대한 자료를 획득하였다. 본 논문에서는 수평입사각 $28^{\circ}{\sim}69^{\circ}$에 대한 해저면 후방산란강도 결과를 도출하여 람베르트 법칙(Lambert's law) 및 APL-UW 산란 모델과 비교하였다. 또한 실험해역의 해양물리/지형학적 특성을 고려하여 해저면 후방산란 특성에 영향을 미치는 지음향 인자들에 대한 토의를 수행하였다.

• 한국재료학회지
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• 제21권10호
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• pp.550-555
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• 2011

A high-quality CIGS film with a selenization process needs to be developed for low-cost and large-scale production. In this study, we used $Cu_2In_3$, CuGa and $Cu_2Se$ sputter targets for the deposition of a precursor. The precursor deposited by sputtering was selenized in Se vapor. The precursor layer deposited by the co-sputtering of $Cu_2In_3$, CuGa and $Cu_2Se$ showed a uniform distribution of Cu, In, Ga, and Se throughout the layer with Cu, In, CuIn, CuGa and $Cu_2Se$ phases. After selenization at $550^{\circ}C$ for 30 min, the CIGS film showed a double-layer microstructure with a large-grained top layer and a small-grained bottom layer. In the AES depth profile, In was found to have accumulated near the surface while Cu had accumulated in the middle of the CIGS film. By adding a Cu-In-Ga interlayer between the co-sputtered precursor layer and the Mo film and adding a thin $Cu_2Se$ layer onto the co-sputtered precursor layer, large CIGS grains throughout the film were produced. However, the Cu accumulated in the middle of CIGS film in this case as well. By supplying In, Ga and Se to the CIGS film, a uniform distribution of Cu, In, Ga and Se was achieved in the middle of the CIGS film.

• Ocean and Polar Research
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• 제24권4호
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• pp.483-490
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• 2002

Detailed investigations on both submarine and subaerial volcaniclastic deposits around Dokdo were carried out to identify geomorphologic characteristics, stratigraphy, and associated depositional processes of Dokdo caldera. Dokdo volcano has a gently sloping summit (about 11km in diameter) and relatively steep slope (basal diameter is about 20-25 km) rising above sea level at about 2,270m. We found ragged, elliptical-form of Dokdo caldera with a diameter of about 2km estimated by Chirp (3-11 kHz) sub-bottom profile data and side scan sonar data for the central summit area of Dokdo volcano. We interpreted that the volcaniclastic deposits of Dokdo unconformably consist of the Seodo (west islet) and the Dongdo(east islet) formations based on internal structure, constituent mineral composition, and bedding morphology. The Seodo Formation mainly consisted of massive or inversely graded trachytic breccias (Unit S-I), overlain by fine-grained tuff (Unit S-II), which is probably supplied by mass-wasting processes resulting from Dokdo caldera collapse. The Dongdo Formation consists of alternated units of stratified lapilli tuff and inversely graded basaltic breccia (Unit D-I, Unit D-III, and Unit D-V), and massive to undulatory-bedded basaltic tuff breccias (Unit D-II and Unit D-IV) formed by a repetitive pyroclastic surge and reworking processes. Although, two islets of Dokdo are geographically near each other, they have different formations reflecting their different depositional processes and eruptive stages.