• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권2호
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• pp.136-147
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• 2005

A theoretical design evaluation based on a hydrodynamic transport simulation of strained Si-SiGe on insulator (SSOI) type nMOSFETs is reported. Although, the net performance improvement is quite limited by the short channel effects, simulation results clearly show that the strained Si-SiGe type nMOSFETs are well-suited for gate lengths down to 20 nm. Simulation results show that the improvement in the transconductance with decreasing gate length is limited by the long-range Coulomb scattering. An influence of lateral and vertical diffusion of shallow dopants in the source/drain extension regions on the device performance (i.e., threshold voltage shift, subthreshold slope, current drivability and transconductance) is quantitatively assessed. An optimum layer thickness ($t_{si}$ of 5 and $t_{sg}$ of 10 nm) with shallow Junction depth (5-10 nm) and controlled lateral diffusion with steep doping gradient is needed to realize the sub-50 nm gate strained Si-SiGe type nMOSFETs.

• 한국결정학회지
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• 제11권3호
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• pp.151-156
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• 2000

Yb/YAG single crystals were grown from the melt composition of Y/sub 1-x/Yb/sub x/)₃Al/sub 5/O/sub 12/ where x equal to 5, 10, 15, 20, 25, 33, 50, 75 and 100 at % by floating zone method. Optimum growth parameters to get high quality single crystals were 3.5 mm/h of growth rate and 20 rpm of rotation rate under the N₂ atmosphere. After the growth, color of crystals was appeared with pale blue due to the lack of oxygen, but it was disappeared after annealing at 1450℃ for 2 hr. Absorption coefficients were linearly increased depending on the concentration of Yb/sup 3+/ ions. Broad emission band was measured in the range of 1020 to 1050 nm with the peak intensity at 1031 nm and 1051 nm because of ²F/sub 5/2/(1)→²F/sub 7/2/(3) and ²F/sub 5/2/(1)→²F/sub 7/2/(4) transition respectively. When Yb/sup 3+/ ions were substituted with high rates, there were tendency to decrease the measured fluorescent lifetime for Yb ions depending on the concentration of Yb/sup 3+/ ions.

• 대한화학회지
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• 제53권5호
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• pp.560-564
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• 2009

용액침전법에 의해 ZnO 및 $Zn_{0.95}Mn_{0.05}O$를 제조하였다. Mn이 5% 치환된 ZnO 시료는 순수한 ZnO의 띠 간격인 3.37 eV (380 nm 흡광)로부터 1.50 eV (800 nm 흡광)까지 띠 간격이 줄어들게 되어 자외선 영역 뿐 아니라 가시광선 전체 영역에서도 흡광이 발생하였다. 가시광선에서의 광촉매 활성에서도 $Zn_{0.95}Mn_{0.05}O$ 시료는 P-25보다도 더 높은 활성도를 나타냈다.

• 한국분말재료학회지
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• 제14권5호
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• pp.281-286
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• 2007

Ordered $L1_0$ to FePt nanoparticles are strong candidates for high density magnetic data storage media because the $L1_0$ phase FePt has a very high magnetocrystalline anisotropy $(K_u{\sim}6.6-10{\times}10^7erg/cm^3)$, high coercivity and chemical stability. In this study, the ordered $L1_0$ FePt nanoparticles were successfully fabricated by chemical vapor condensation process without a post-annealing process which causes severe particle growth and agglomeration. The $Fe_{50}Pt_{50}$ nanopowder was obtained when the mixing ratio of Fe(acac) and Pt(arac) was 2.5 : 1. And the synthesized FePt nanoparticles were very fine and spherical shape with a narrow size distribution. The average particle size of the powder tended to increase from 5 nm to 10 nm with increasing reaction temperature from $800^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$. Characterisitcs of FePt nanopowder were investigated in terms of process parameters and microstructures.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제14권1호
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• pp.40-44
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• 2016

The device coupling between the stacked top/bottom field-effect transistors (FETs) in two types of monolithic 3D inverter (M3INV) with/without a metal layer in the bottom tier is investigated, and then the regime of the thickness T_ILD and dielectric constant ε_r of the inter-layer distance (ILD), the doping concentration N_d (N_a), and length L_g of the channel, and the side-wall length L_SW where the stacked FETs are coupled are studied. When N_d (N_a) < 10¹⁶ cm^-3 and L_SW < 20 nm, the threshold voltage shift of the top FET varies almost constantly by the gate voltage of the bottom FET, but when N_d (N_a) > 10¹⁶ cm^-3 or L_SW > 20 nm, the shift decreases and increases, respectively. M3INVs with T_ILD ≥ 50 nm and ε_r ≤ 3.9 can neglect the interaction between the stacked FETs, but when T_ILD or ε_r do not meet the above conditions, the interaction must be taken into consideration.

• 한국표면공학회지
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• 제50권3호
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• pp.212-218
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• 2017

$Mg_xNi_yZn_{1-x-y}Fe_2O_4$ ferrite powders were prepared by self-propagating high temperature synthesis followed by classifying with an ultrasonic wet-magnetic separation unit to get high pure nano-sized particles. The $Mg_xNi_yZn_{1-x-y}Fe_2O_4$ ferrites were well formed by using several powders like iron, nickel oxide, zinc oxide and magnesium oxide at 0.1 MPa of oxygen pressure. The ultrasonic wet-magnetic separation of pre-mechanical milled ferrite powders resulted in producing the powders with average size of 800 nm. The addition of a surfactant during the wet-magnetic separation process improved productivity more than twice. The coercive force, maximum magnetization and residual magnetization of the $Mg_xNi_yZn_{1-x-y}Fe_2O_4$ nano-powders with 800 nm size were 3651 A/m, $53.92Am^2/kg$ and $4.0Am^2/kg$, respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권12호
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• pp.1197-1201
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• 2003

대기 중에서 침전이 생기지 않고 코팅에 적합한 나노크기 Au 미립자가 분산된 ZrO$_2$ 용액을 제조하여, 딥-코팅법으로 SiO$_2$ 유리기판 위에 박막을 제조했다. 이 박막을 열처리하여 열분석, 엑스선 회절분석, 분광분석, 원자력간 현미경, 주사전자현미경 및 투과전자현미경 관찰 등을 통하여 박막의 특성을 조사하였다. ZrO$_2$ 박막은 50$0^{\circ}C$에서 정방정상으로 결정전이가 관찰되었고, 박막의 두께는 약 100nm였다. 분산된 입자의 크기는 약 15∼40nm이며, 표면 거칠기는 0.84nm로 우수한 막질을 나타냈다. 그리고 Au 입자의 표면플라즈마 공명에 의한 흡수피크를 630∼670nm 파장범위에서 확인할 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
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• pp.261-263
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• 2002

CMOS 소자들은 고속 동자 및 고집적을 위해 50nm이하로 작아지고 있다. 소자 scaling에서 중요한 것은 스케일 되지 않은 문턱 전압($V^{th}$ ), 고 전계, 기생 소스/드레인 저항과 임의의 dopant 분배에 의한 $V^{th}$ 변화율이다. 이런 일반적인 소자의 scaling down 문제들을 해결하기 위해 새로운 소자의 구조가 제안된다. 본 논문에서는 이런 문제들을 해결하기 위해 main-gate와 side-gates를 갖는 double-gate MOSFET에 대해 조사하였다.

• 한국자기학회지
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• 제11권5호
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• pp.179-183
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• 2001

Glass/Ni$_{83}$Fe$_{17}$(2 nm)/[Cu(2 nm)Ni$_{83}$Fe$_{17}$(20 nm)]$_{50}$ 다층박막의 평면 홀 효과를 측정하였다. 평면 홀 효과에서 반복된 톱니모양의 홀 효과 신호가 관측되었다. 그 원인으로 갑작스러운 자벽의 이동이 홀 효과로 관측된 것이라는 가설을 세울 수 있다. 이러한 톱니모양의 평면 홀 효과는 모든 측정방향에서 관측되었다. 각 자성층의 전체 자화만이 자기저항을 결정하므로 자기저항의 특성곡선에서는 이러한 톱니모양에 해당하는 신호가 관측되지 않았다. 톱니모양의 근본 원인에 대한 연구는 더욱 수행되어야할 것이다.것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.217.2-217.2
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• 2015

본 연구에서는 ITZO를 용액으로 제작하여, $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 표면 및 광학적 특성을 분석하였다. 열처리 전 처리시간(0초~70초)을 가변하여 $O_2$ 플라즈마 처리하였다. 박막의 표면 상태를 RMS (Root Mean Square)로 비교하였다. 처리 전 표면의 거칠기는 1.38 nm이고, 50초에서 0.67nm로 표면의 상태가 좋아지며, 이후에는 RMS가 증가하여 표면 상태가 안 좋아짐을 확인하였다. 50초까지는 $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 표면 상태의 개선된 효과를 얻을 수 있지만, 70초 이후에는 표면이 에칭되어 저하된 특성을 보이는 것을 확인하였다. 광학적 특성은 투과도와 밴드갭으로 차이를 확인하였다. 가시광선 영역 (380 nm~770 nm)에서의 투과도는 92%에서 90%로 감소하였고, 밴드갭은 3.64eV에서 3.57eV로 줄어들었다. $O_2$ 플라즈마 처리 시간에 따라 개선효과를 얻을 수 있지만, 70초 이후에는 표면에 결함을 야기하여 표면 및 광학적 특성의 저하를 보였다.