• 한국의류산업학회지
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• 제16권4호
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• pp.564-579
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• 2014

Packaging of shopping bag is a 'silent salesman' which plays an important role in marketing communication due to the increase of self-service outlets and changing lifestyles of customers. Retail shopping bags, which are defined as bags provided by retailers to customer as a means of transporting merchandise, are a type of secondary packaging. This study explored the effect of a fashion product's shopping bag types in sense of shopping value, customers' response, attitude toward advertising, and purchase intention. Data was analyzed by factor analysis, frequency analysis, correlation, structural equation modeling using SPSS 18.0 and AMOS 18.0. The results of this study were as follows. Consumers' responses about shopping bags show that there are some differences between consumers who have either hedonic or utilitarian shopping value. Hedonic shopping value influences on consumers' response as unique, interesting, and attention; however utilitarian value affects prestige in addition to those four significant factors. Therefore, this study shows that consumer response is different in accordance with shopping value. Thus, using the various types of shopping bags can be influenced on effective advertising. It will also great effect on marketing activity with lower cost. The significant result from this study has proven that the shopping bag is correlates to the definition of pop art today because it can offer an opportunity to look at, play with and buy sophisticated visual stimulus. Therefore, retail and brands have to concern about shopping bag considering their decisive role in the apparel market.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권3호
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• pp.1-7
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• 2003

잉크젯 헤드의 발열체에 적용하기 위해 $poly-Si/SiO_2/Si$ 다층기판 위에 결정화된 안정한 코발트실리사이드$(CoSi_2)$ 박막을 형성하여 오메가 형태의 발열체를 제작하고 발열체의 구조적 형상과 온도저항계수 등 전기적 특성을 조사, 연구하였다 $(CoSi_2)$ 박막의 형성은 금속 Co 박막을 급속 열처리장치를 이용하여 $800^{\circ}C$에서 20초 동안 질소 분위기에서 열처리하여 실리사이드 박막을 형성하였다. 발열체의 온도 저항계수 값은 약 $0.0014/^{\circ}C$ 값을 얻을 수 있었다. 인가전압 10 V, 주파수 10KHz 및 펄스간격 $1{\mu}s$ 인가시 발열체의 순간전력은 최대 2W를 나타내었다. 반복된 전압인가에 따른 발열체의 피로특성을 조사한 결과 15 V 이하의 전압인가시 $10^8$ 펄스 cycle 까지 저항변화가 거의 없었으나 17 V 인가전압에서는 $10^6$ cycle에서 발열체의 저항이 급격히 증가하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
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• pp.43-55
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• 2000

In traditional electronic packages the die and the substrate are interconnected with fine wire. Wire bonding technology is limited to bond pads around the peripheral of the die. As the demand for I/O increases, there will be limitations with wire bonding technology. Flip chip technology eliminates the need for wire bonding by redistributing the bond pads over the entire surface of the die. Instead of wires, the die is attached to the substrate utilizing a direct solder connection. Although several steps and processes are eliminated when utilizing flip chip technology, there are several new problems that must be overcome. The main issue is the mismatch in the coefficient of thermal expansion (CTE) of the silicon die and the substrate. This mismatch will cause premature solder Joint failure. This issue can be compensated for by the use of an underfill material between the die and the substrate. Underfill helps to extend the working life of the device by providing environmental protection and structural integrity. Flux residues may interfere with the flow of underfill encapsulants causing gross solder voids and premature failure of the solder connection. Furthermore, flux residues may chemically react with the underfill polymer causing a change in its mechanical and thermal properties. As flip chip packages decrease in size, cleaning becomes more challenging. While package size continues to decrease, the total number of 1/0 continue to increase. As the I/O increases, the array density of the package increases and as the array density increases, the pitch decreases. If the pitch is decreasing, the standoff is also decreasing. This paper will present the keys to successful flip chip cleaning processes. Process parameters such as time, temperature, solvency, and impingement energy required for successful cleaning will be addressed. Flip chip packages will be cleaned and subjected to JEDEC level 3 testing, followed by accelerated stress testing. The devices will then be analyzed using acoustic microscopy and the results and conclusions reported.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권1호
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• pp.25-28
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• 2000

분자선에피택시법에 의하여 GaAs(100)기판 위에 InAs 자발형성양자점을 성장하였다. InAs 양자점은 1, 3, 6, 10, 15 및 20층 등으로 다양하게 적층되어졌고, GaAs 층과 InAs 양자점 층은 각각 20 MLs와 2 MLs의 두께를 갖도록 하였다. 이 양자점의 나노구조적 특성은 PL과 STEM을 사용하여 분석하였다. 가장 높은 PL 강도는 6층의 적층구조를 갖는 시편에서 나타났고 PL 피크의 에너지가 적층회수가 증가함에 따라 분리됨을 알 수 있었다. STEM분석결과, 6충의 적층구조에서는 결함이 거의 없이 수직으로 형성된 구조를 보여준 반면에 10층 이상의 적층구조를 가질 때 그 성장 방향에 따라 volcano형상을 갖는 결함이 수직하게 성장되어졌다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권2호
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• pp.1-7
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• 2006

본 논문에서는 솔더 레지스트(solder resist)의 두께와 코어의 물성에 따른 인쇄회로기판의 철의 크기와 형상에 대하여 연구하였다. 인쇄회로기판의 굽힘 변형은 적층되는 재료의 열팽창계수의 차이에 의해 발생한다. 따라서 굽힘 변형의 감소를 위해서는 열팽창계수의 차이가 작은 적층 재료를 사용하는 것이 필요하며, 구조 형상에서도 상면과 하면의 불균일성을 완화시킬 필요가 있다. 또한, 적층 재료에서 코어의 강성을 높여 점의 발생을 억제할 수 있다. 코어를 이루는 복합재료는 적층 순서와 섬유 각에 따른 물성 특성의 방향성에 따라 굽힘과 비틀림이 연성되는 현상을 보이며, 이와 같은 성질을 이용하면 휨을 제어할 수 있다. 본 연구에서는 2층으로 구성된 chip scale package (CSP) 기판의 휨에 대한 연구로, 실험 및 유한 요소해석 툴을 이용하여 개선 결과를 도출하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권4호
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• pp.23-27
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• 2004

본 연구에서는 RF-Magnetron Sputtering 장치를 이용하여 $Al_xTa_{1-x} (x=0.0{\~}1.0)$ 합금박막을 성장하였고, XRD, AFM, 4탐침법 등을 사용하여 시료의 결정질과 표면형상, 그리고 전기적 특성을 분석하였다. Al 조성을 변화시켜서 Al-Ta 합금박막을 증착하고, 그에 따라 얻어진 결과를 토대로 하여 박막 두께별 ,박막의 폭 별로 합금박막을 성장하였다. 또한 heat controller를 사용하여 시료의 발열특성을 분석하였다. 본 연구의 결과 Al-Ta 합금박막은 Al 조성 $x=6.63at\%$에서 가장 높은 전기저항이 나타났고, 박막두께가 얇아지거나 패터닝된 박막의 폭이 좁을수록 더욱 높은 전기저항이 나타났다. 발열온도는 전기저항의 변화추이와 동일한 양상을 보였고, Al 조성 $x=6.63\%$, 박막두께 d=500 nm, 박막폭 w=1.5 mm에서 가장 높은 발열온도 ($400^{\circ}C$)와 출력 ($12.6W/cm^2$)을 나타냈다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권1호
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• pp.1-5
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• 2000

기판과의 동시소성에 의한 고주파 MCM-C (Multi Chip Module-Cofired)용 저항을 제작하고 DC 및 6 GHz 까지의 RF 특성을 측정하였다. 기판은 저온 소성용 기판으로서 총 8층으로 구성하였으며, 7층에 저항체 및 전극을 인쇄하고 via를 통하여 기판의 최상부까지 연결되도록 하였다. 저항체 페이스트, 저항체의 크기, via의 길이 변화에 따라서 저항의 RF 특성은 고주파일수록 더욱 DC 저항값에서 부터 변화되는 양상을 보였다. 측정결과로부터 내부저항은 저항용량에 관계없이 전송선로, capacitor, inductor성분이 저항성분과 함께 혼재되어 있는 하나의 등가회로로 표현할 수 있으며, 내부저항의 구조 변화에 의한 전송선로의 특성임피던스 $Z_{o}$의 변화가 RF 특성을 크게 좌우하는 것으로 보여진다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제18권1호
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• pp.49-53
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• 2011

Diamond-like carbon (DLC)은 $Sp^3$ 결합분율이 높은 준안정 상태의 비정질 탄소물질로 이루어진 박막이다. DLC는 기계적 특성, 화학적 특성, 윤활 특성뿐만 아니라 광학적, 전기적 특성 또한 우수한 물질이다. 본 연구에서는 DLC 박막을 그라파이트(graphite) 타깃을 출발 물질로 하여 고주파 마그네트론 스퍼터(RF magnetron sputter)로 $SiO_2$ 기판 상에 증착하였다. 증착된 DLC 박막은 후 열처리를 하였으며 열처리 온도에 따른 DLC 박막의 특성 변화를 관찰하였다. 열처리는 진공에서 급속가열법(rapid thermal process)으로 $300{\sim}500^{\circ}C$ 범위에서 시행하였다. 열처리된 DLC 박막은 전기적 특성 평가를 위하여 Hall 계수 측정기를 이용하여 상온 비저항을 측정하였으며 표면 변화를 확인하기 위하여 원자력 현미경(atomic force microscopy)을 이용하여 표면형상 변화를 관찰 하였다. 또한 표면특성, 비저항 특성 변화와 구조적 특성 변화와의 관계를 확인하기 위하여 X-선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy)과 라만 분광법을 이용하여 열처리에 따른 DLC 박막의 구조 변화를 관찰하였다.

• Smart Structures and Systems
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• 제6권3호
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• pp.225-238
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• 2010

We report on the development of a new technology for the fabrication of Micro-Electro-Mechanical-System (MEMS) strain sensors to realize a novel type of crackmeter for health monitoring of ageing civil infrastructures. The fabrication of micromachined silicon MEMS sensors based on a Silicon On Insulator (SOI) technology, designed according to a Double Ended Tuning Fork (DETF) geometry is presented, using a novel process which includes a gap narrowing procedure suitable to fabricate sensors with low motional resistance. In order to employ these sensors for crack monitoring, techniques suited for bonding the MEMS sensors on a steel surface ensuring good strain transfer from steel to silicon and a packaging technique for the bonded sensors are proposed, conceived for realizing a low-power crackmeter for ageing infrastructure monitoring. Moreover, the design of a possible crackmeter geometry suited for detection of crack contraction and expansion with a resolution of $10{\mu}m$ and very low power consumption requirements (potentially suitable for wireless operation) is presented. In these sensors, the small crackmeter range for the first field use is related to long-term observation on existing cracks in underground tunnel test sections.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권1호
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• pp.33-37
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• 2013

전구체의 농도가 ZnO 나노로드의 성장에 미치는 영향에 대하여 알아보았다. ZnO 나노로드는 수열합성법에 의하여 c-plane 사파이어 상에서 성장되었으며, 전구체 농도가 0.01M에서 0.025M로 증가할 때의 형태적, 구조적, 광학적 성질의 변화에 대하여 주사전자현미경, X-선 회절분석기, 그리고 Photoluminescence(PL) 분석을 통하여 알아보았다. 전구체의 몰 분율이 증가함에 따라서 나노로드의 두께와 길이가 모두 증가하는 경향을 보였으며, 성장 방향은 모두 c-axis 방향임을 알 수 있었다. PL 측정에서의 380 nm파장의 강한 emission으로부터, 수열합성법에 의하여 성장된 ZnO 나노로드는 결함의 영향이 적고 양호하게 성장되어 있음을 확인할 수 있었다.