• 한국전자파학회논문지
• /
• 제27권10호
• /
• pp.917-925
• /
• 2016

슈미트 트리거 로직(Schmitt Trigger Logic)은 디지털 회로의 노이즈에 대한 내성을 향상시키기 위해 히스테리시스 특성을 보이는 게이트를 제안한 설계 방법이다. 슈미트 트리거 특성을 보이는 설계 방법 중 최근에 제안된 substrate bias를 조정하여 구현하는 Dynamic Threshold voltage MOS(DTMOS) 방법을 사용할 경우, 게이트 수를 늘이지 않고 내성을 향상 시킬 수 있는 설계방법이나, 범용 CMOS 공정에서 구현하여 시뮬레이션으로 예상하는 성능을 얻을 수 있는지는 검증되지 않았다. 본 연구에서는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정에서 DTMOS 설계 방법을 구현하여 히스테리시스 특성을 측정하여 검증하였다. DTMOS 슈미트 트리거 버퍼, 인버터, 낸드, 노어 게이트 및 간단한 디지털 로직 회로를 제작하였으며, 히스테리시스 특성, 전력 소모, 딜레이 등의 특성들을 관찰하고, 일반적인 CMOS 게이트로 구현된 회로와 비교하였다. 노이즈에 대한 내성이 향상되는 것을 Direct Power Injection(DPI) 실험을 통해 확인하였다. 본 논문을 통해 제작된 DTMOS 슈미트 트리거 로직은 10 M~1 GHz 영역에서 전자파 내성이 향상된 것을 확인할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2005년도 심포지엄 논문집 정보 및 제어부문
• /
• pp.148-151
• /
• 2005

This paper proposes a high speed interface using redundant multi-valued logic for high speed communication ICs. This circuit is composed of encoding circuit that serial binary data are received and converted into parallel redundant multi-valued data, and decoding circuit that convert redundant multi-valued data to parallel binary data. Because of the multi-valued data conversion, this circuit makes it possible to achieve higher operating speeds than that of a conventional binary logic. Using this logic, a 1:4 demultiplexer (DEMUX, serial-parallel converter) IC was designed using a 0.35${\mu}m$ standard CMOS Process. Proposed demultiplexer is achieved an operating speed of 3Gb/s with a supply voltage of 3.3V and with power consumption of 48mW. Designed circuit is limited by maximum operating frequency of process. Therefore, this circuit is to achieve CMOS communication ICs with an operating speed greater than 3Gb/s in submicron process of high of operating frequency.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제19권11호
• /
• pp.994-999
• /
• 2006

For low-cost embedded EEPROM, in this paper, single polysilicon EEPROM and n-channel high-voltage LDMOST device are developed in a $0.25{\mu}m$ standard CMOS logic process. Using these devices developed, the EEPROM chip is fabricated. The fabricated EEPROM chip is composed of 1 Kbit single polysilicon EEPROM away and high voltage driver circuits. The program and erase characteristics of the fabricated EEPROM chip are evaluated using 'STA-EL421C'. The fabricated n-channel high-voltage LDMOST device operation voltage is over 10 V and threshold voltage window between program and erase states of the memory cell is about 2.0 V.

• Journal of Information Display
• /
• 제5권1호
• /
• pp.28-33
• /
• 2004

A high voltage NMOSFET is proposed to drive top emission organic light emitting device (OLED) used in the organic electroluminescent (EL) display on the single crystal silicon substrate. The high voltage NMOSFET can be fabricated by utilizing a simple layout technique with a standard CMOS logic process. It is clearly shown that the maximum supply voltage ($V_{DD}$) required for the pixel-driving transistor could reach 45 V through analytic and experimental methods. The high voltage NMOSFET was fabricated by using a standard 1.5 ${\mu}m$, 5 V CMOS logic process. From the measurements, we confirmed that the high voltage NMOSFET could sustain the excellent saturation characteristic up to 50 V without breakdown phenomena.

• 정보처리학회논문지A
• /
• 제15A권3호
• /
• pp.135-140
• /
• 2008

본 논문은 중복 다치논리(redundant multi-valued logic)를 이용하여 초고속 디멀티플렉서(demultiplexer)를 CMOS 회로로 설계하였다. 설계한 회로는 중복 다치논리를 이용하여 직렬 이진 데이터를 병렬 다치 데이터로 변환하고 이를 다시 병렬 이진 데이터로 변환한다. 중복 다치논리는 중복된 다치 데이터 변환으로써 기존 방식 보다 더 높은 동작속도를 얻을 수 있다. 구현한 디멀티플렉서는 8개의 적분기로 구성되어 있으며, 각 적분기는 누적기, 비교기, 디코더, D 플립플롭으로 구성된다. 설계한 회로는 0.18um 표준 CMOS 공정으로 구현하였으며 HSPICE 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 본 논문의 디멀티플렉서의 최대 데이터 전송률은 20 Gb/s이고 평균 전력소모는 58.5 mW이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -2
• /
• pp.937-940
• /
• 2000

This paper describes expandable 4 bit ALU IC using adiabatic and dynamic CMOS circuit technique. It was designed so that the integrated circuit may have the function which is equivalent to HC181 which is CMOS standard logic IC for the comparison, and it was fabricated using a standard 1.2${\mu}$ CMOS process. As the result, the IC has shown that it operates perfectly on all function modes. The power dissipation is 2 order lower than that of HC 181.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제23권6호
• /
• pp.988-994
• /
• 1986

We present an automated CMOS standard cell design mehtodology which generates a mask description in the CIF (Caltech Intermediate Form)from a user-given logic description and design rule. The resultant layout reflects the user's choice among N-well, P-well and twin-well process and user's decision whether the guard band is to be included or not. Noise margin of each cell was improved by carefully adjusting the channel width of P-FET.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제8권1호
• /
• pp.47-53
• /
• 2004

본 논문에서는 3치 논리 게이트를 바탕으로 하는 3치 데이터 처리를 위한 3치 flip-flop을 설계하였다. 제안한 flip-flop들은 3치 전압 모드 NMAX, NMIN, INVERTER 게이트를 사용하여 설계하였다. 또한 CMOS 기술을 사용하였고 다른 게이트들 보다 낮은 공급 전압과 낮은 전력소모 특성을 포함하고 있다. 제안한 회로는 0.35um 표준 CMOS 공정에서 설계되었고 3.3v의 공급 전압원을 사용하였다. 제안된 3치 flip-flop 구조는 3치 논리 게이트를 사용하여 VLSI 구현에 적합하고 높은 모듈성의 장점을 갖고 있다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제10권2호통권19호
• /
• pp.128-133
• /
• 2006

본 논문에서는 고속 통신용 인터페이스 회로를 RMVL(redundant multi-valued logic)을 이용하여 CMOS 회로로 설계하였다 설계한 1:4 디멀티플렉서 (demuitiplexer, serial-parallel convertor)는 직렬 데이터를 병렬 redundant 다치 데이터로 변환하는 부호화 회로와 redundant 다치 데이터를 병렬 이진 데이터로 변환하는 복호화 회로로 구성된다. 이 회로는 0.35um 표준 CMOS 공정을 이용하여 구현하였으며, 기존의 이진 논리회로보다 고속 동작을 한다. 이 회로는 3.3V의 공급전원에서 4.5Gb/s 이상의 동작속도와 53mW의 전력소모를 가지며, 동작속도는 0.35um 공정이 가지는 최대 주파수에 의해 제한된다. 설계한 회로가 높은 동작 주파수를 가지는 미세공정상에서 사용될 경우 100b/s 이상의 고속 통신용 인터페이스 구현이 가능하다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제18권3호
• /
• pp.397-409
• /
• 1993

본 논문은 전류 모드 COMS 다치논리회로를 이용하여 CLA 방식에 의한 8비트 2진 병렬 가산기의 설계를 제안하였고, $5{\mu}m$의 표준 반도체 기술을 이용하여 시뮬레이션하였다. m치의 다치논리회로에 의한 CLA 방식의 가산기 설계시 필요한 발생캐리 $G_K$와 전달캐리 $P_K$의 검출조건을 유도하였고, 이를 4치에 적용하였다. 또한 4치 논리회로와 2진 논리회로의 결합에 의한 연산시 필요한 엔코더, 디코더, mod-4 가산회로, G_k및 P_k 검출회로, 전류-전압 변환회로를 CMOS로 설계하였다. 또한 시뮬레이션을 통해 각 회로의 동작을 검증하였으며, 다치회로의 장점을 이용한 2진 연산에 응용을 보여주었다. 순수한 2진 및 CCD-MVL에 의한 가산기와의 비교를 통해, 제안한 가산기는 1개의 LAC 발생기를 사용하여 1 level로 구성가능하며, 표준 CMOS 기술에 의한 4차 논리회로가 실현 가능하므로 다치논리회로의 유용성을 보였다.