We proposed a design method for constant current pyro squib circuit. The current method using N MOSFET for the stability problem has a weakness of the current change, requiring a new design. This paper identified the problem with conventional squib circuit where the current is reduced by 25 % when maximum resistance is 3 ohms. Thus, we proposed a stable constant current driving circuit using P MOSFET and PNP BJT. We confirmed stable constant circuit operation through simulations and measurements of the proposed circuit design where the current did not change until the resistance reached 3 ohms.
In this paper, by designing 20 W class driving circuit for driving high-power LED (Light Emitting Diode), we are going to comparatively carry out the analysis of characteristics for power circuit according to each design method. In this case, 200 V 60 Hz was performed as input data. The electrical characteristics such as voltage, current and ripple are checked for constant current circuit and constant voltage circuit in the LED module. In addition, as the ripple has an influence on illumination of LED light, low temperature working (-20 [$^{\circ}C$]) and high temperature working(80 [$^{\circ}C$]) are measured to make sure the ripple characteristics in accordance with temperature. In low temperature operation -20 [$^{\circ}C$] measurements, both constant current circuit and constant-voltage circuit were less impacted on input fluctuation, whereas in the high temperature operation 80 [$^{\circ}C$], current voltage in constant voltage circuit was surge after 430 [hour]. Voltage current ripple of constant current circuit was much less than constant voltage circuit, therefore we can show that constant current circuit is more stable.
원전해체 시 대용량 처분시스템을 구동하거나 운영 중 제어봉 구동장치 제어시스템과 같은 대규모 측정전류를 요하는 중요설비를 측정 및 테스트하기 위해서는 측정 매체로서 안정적으로 전류를 공급할 수 있는 전류원이 필요하다. 그러나, 흔히 말하는 전원공급기는 전압원으로서 전압만을 내기 때문에 측정부하에 관계없이 일정한 전류를 공급할 수 있는 전류원 역할을 하지 못한다. 전류원은 전압원과 달리 제품을 만들기가 쉽지 않다. 원전 부품의 전류-전압 변환시험과 같은 건전성을 평가하기 위해서는 정상전류치보다 몇십배 훨씬 큰 수십 mA나 암페어 수준의 전류를 인가하여 테스트를 수행해야 하기 때문에 암페어(ampere) 단위의 전류를 공급할 수 있는 전류원이 필수적이다. 따라서 본 개발품에서는 이러한 필요에 의하여 입력이 전압으로 나타나는 전압원을 이용하여 측정대상에 원하는 전류를 일정하게 공급할 수 있는 전압제어으로서 대용량 전류를 공급할 수 있는 직류전압제어 대전류원을 개발하였다. 개발된 제품의의 신뢰성을 확인하기 위하여 원전에서 사용되는 실제의 데이터값을 적용하여 테스트하였으며, 그 결과를 분석하여 선택회로의 정당성을 입증하였다.
There are many kinds of motors operating by rated voltage which is constant. In this paper, the characteristics of separately excited direct current motor is analyzed when its terminal voltage is varied as its load current. As for this source, direct current generator of a series field is used, and it is driven at constant speed by a primemover. The induced voltage of the generator is propotional to its load current but it saturates as its load current is large. The charateristics of motor is studied by analog computer because of the nonlinearity of generator. The results are as follows: (1) The load current and the rotor speed of motor increase as the load of motor increases. But the speed of rotor decreases for the influence of the saturation of the iron of generator field when its load current is large. (2) Decreasing the inertia of motor and increasing the inductance of the armature circuit improve the stability of motor and the region of stable state. (3) By changing the field current of the motor, the speed and the direction of rotor can be controlled in wide range.
본 논문에서는 2.5[kW]급 선박용 HID 탐사등 조명을 위한 Soft-start 개방회로 전압 및 정전류 순차 제어 방식을 제안한다. 제안된 제어회로는 HID 탐사등의 안정적인 점등을 위하여 개방회로 전압과 점등 전류를 순차적으로 제어하는 방식으로, 특히 전원투입 상태에서의 안정성을 위하여 일정한 입력전압에 대해서 Soft-start 기법을 적용하여 개방회로 전압 제어모드로 동작하도록 설계되었다. 또한, 점등개시 신호의 입력에 따라 제어모드를 전압제어에서 전류 제어모드로 변경하여 단일 PWM 제어소자에서 동시에 처리하도록 하였다. 한편, 입력 노이즈 및 개방회로 전압의 검출을 간단한 원칩 마이크로 프로세서로 구현하여, 오동작 및 점등 실패에 대한 강인성을 부가하도록 하였다. 제안된 제어기는 실제 선박용 HID 탐사등의 적용 시험을 통하여 그 안정성을 시험하였다.
Background: We investigated the current characteristics of a thin-film Ag electrode on a chemical vapor deposition (CVD) diamond. The CVD diamond is widely recognized as a radiation detection material because of its high tolerance against high radiation, stable response to various dose rates, and good sensitivity. Additionally, thin-film Ag has been widely used as an electrode with high electrical conductivity. Materials and Methods: Considering these properties, the thin-film Ag electrode was deposited onto CVD diamonds with varied deposition thicknesses (${\fallingdotseq}50/98/152/257nm$); subsequently, the surface thickness, surface roughness, leakage current, and photo-current were characterized. Results and Discussion: The leakage current was found to be very low, and the photo-current output signal was observed as stable for a deposited film thickness of 98 nm; at this thickness, a uniform and constant surface roughness of the deposited thin-film Ag electrode were obtained. Conclusion: We found that a CVD diamond radiation detector with a thin-film Ag electrode deposition thickness close to 100 nm exhibited minimal leakage current and yielded a highly stable output signal.
주위온도에 따른 레이저다이오드의 광출력의 변화는 정전류로 구동하는 경우와 정전압으로 구동하는 경우에 서로 다르다. 레이저다이오드를 정전류로 구동하는 경우에는 온도증가에 따라 밀도반전이 감소하므로 광출력이 감소한다. 그러나 정전압으로 구동하는 경우에는 이러한 열효과에 의한 광출력의 감소이외에 내부저항과 임계전압의 감소에 의한 주입전류의 증가효과가 있어서 열효과를 일부 상쇄하므로 광출력의 변화가 정전류로 구동할 때보다 적다. 특히 정전압으로 레이저다이오드를 구동하는 경우에 이 두가지 효과에 의한 광출력의 변화폭이 비슷하여 서로 상쇄되는 동작점 부근에서는 온도에 따른 광출력의 변화가 아주 적어져 정전류로 구동하는 때보다 훨씬 광출력이 안정함을 실험적으로 확인하였다.
This paper presents the two lossless auxiliary inducors-assisted voltage source type half bridge(single ended push pull:SEPP) series resonant high frequency inverter for induction heated fixing roller in copy and printing machines. The simple high-frequency inverter treated here can completely achieve stable zero current soft switching (ZCS) commutation forwide its output power regulation ranges and load variations under constant high frequency pulse density modulation (PDM) scheme. Its transient and steady state operatprinciple is originally described and discussed for a constant high-frequency PDM control strategy under a stable ZCS operation commutation, together with its output effective power regulation charactertics-based on the high frequency PDM strategy. The experimenoperating performances of this voltage source SEPP ZCS-PDM series resonant high frequency inverter using IGBTs are illustrated as compared with computer simulation results and experimenones. Its power losses analysis and actual efficiency are evaluated and discussed on the basis of simulation and experimental results. The feasible effectiveness of this high frequency inverter appliimplemented here is proved from the practical point of view.
In this study, (Ba, Sr)$TiO_3$ (BST) ceramics thin films were prepared by Sol-Gel method. BST solution was made and spin-coated on Pt/$TiO_2$/Si substrate at 4000 [rpm] for 10 seconds. Coated specimens were dried at 150[$^{\circ}C$] for 5 minutes. Coating process was repeated 3 times and then sintered at 750[$^{\circ}C$] for 30 minutes. Structure and electrical characteristics of specimen was analyzed by Fractal Process. Thickness of BST ceramics thin films are about 2800[$\AA$]. Dielectric constant and loss of thin films was little decreased at 1[kHz]~1[MHz]. Dielectric constant and loss to frequency were 250 and 0.02 in BST3. The property of leakage current as the relation between the current and the voltage was that change of the leakage current was stable when the applied voltage was 0~3[V].
To improve the leakage current, we developed two step sputtering method where PZT thin film in first deposited at room temperature followed by 600.deg. C deposition. The method used an amorphous PZT layer deposited at room temperature to keep a stable interface during sputtering at high temperature. PZT thin films were deposited on Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si substrate at room temperature and 600.deg. C sequentially. The effect of the layer deposited at room temperature was investigated with regard to I-V characteristics and P-E hysteresis loop. In the case of the sample with the layer deposited at room temperature, both leakage current and dielectric constant were decreased. The thicker the layer deposited at room temperature was, the lower dielectric constant was. However, leakage current was indepenent of the variation of the thickness ratio. The sample with 200$\AA$ of the layer deposited at room temperature showed the most promising results in both dielectric constant and leakage current.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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