This study was carried out to investigate the formation of precipitates between lead ion and the essential anions of plants, the effects of lead concentration on seed germination and plant growth in water and soil culture, and the germinating and growing recovery of inhibited seed germination and plant growth by lead. Four kinds of the seeds (Glycine max M., Triticum vulgare V., Setaria viridis (L) P. De Beauvois, and Digitoria sanguinalis (L) Scopoli var) were germinated and growth in water and soil culture included the different concentrations of lead for five days. The seeds and plants inhibited germination and growth by lead were transferred to lead free Hoagland solution and the growing recovery was observed. The precipitates of lead ion were observed in the solution of both acidity and alkalinity included each anion of $H_2PO_4^-, HPO_4^{2-}, PO_4^{3-}, SO_4^{2-} and MoO_4^{2-}$ in a room temperature, whereas the precipitates between lead ion and other anions were observed largely in the solution of alkalinity, so that it seemed that lead could be remained in the state of non-soluble in plant and soil. The inhibition of germination and growth in the water culture was observed in 100ppm of lead, whereas the inhibition in the case of the soil culture was observed in 10000ppm of lead. The difference of the effected concentration between water and soil culture in germination and the growth was 100 times. When the seed and plant inhibited the growth in 5000ppm or 10000ppm of lead for five days were transferred to lead free Hoagland solution, the recovery of germination and growth was observed in three days. This growing recovery was different according to the kinds of plant and concentrations of lead. It seemed that plant growth could be inhibited by the inhibition of the metabolism concerned with the precipitates between lead iion and other anions.
Indole-3-acetic acid (IAA) biosynthesis by bacteria occurs widely in rhizospheres. Bacterial species able to synthesize IAAmay be exploited for beneficial interactions in crop management systems. The objective of this study was to determine the response of ivyleaf morningglory (Ipomoea hederacea) seedlings to IAA and to an IAA-producing rhizobacterum, Bradyrhizobium japonicum isolate GD3. IAA solution and isolate GD3 suppression of seedling growth measured as radicle length and biomass depended on IAA concentration. Seedling radicle length was significantly reduced by ca. 29% with more than $1.0{\mu}M$ of IAA solution, compared to the control, 48 h after application. The cell concentration at 50% growth reduction ($GR_{50}$) of the seedling radicle was IAA production by isolate GD3 at $10^{4.82}\;cfu$, the cell concentration for 50% growth reduction ($GR_{50}$) of seedling radicle was 0.24 iM, which was much lower than the IAA solution concentration ($117.48{\mu}M$) required for $GR_{50}$. Therefore, excess IAA production by isolate GD3 may be more detrimental to morningglory radicle growth than standard IAA solution. Results confirmed involvement of IAA in suppressive effects of isolate GD3 on morning-glory seedlings grown in a hydroponic system.
Double-layered ZnO nanostructures have been synthesized by aqueous solution method on (001) plane of ZnO nanorod. A stepwise changing of aqueous solution concentration gave rise to a new nano-structured layer consisting of either multiple of nanorods or nanowires with much smaller radii than that of the ZnO nanorod on which the new layer was grown. As the first step the ZnO nanorods have been grown to have the (001) preferential orientation in the aqueous solution consisting of 0.1M zinc nitrate and 0.1 M HMT. This preferentially aligned ZnO nanorods have been regrown in either a less diluted solution of 0.01M zinc nitrate and 0.01 M HMT or a more diluted solution of 0.005M zinc nitrate and 0.01 M HMT. A new nano-layer consisting of numerous aligned nanorods or nanowires has been produced on the (001) planes of ZnO nanorods. The growth mechanism for this double layered ZnO nanostructure is ascribed to the (001) polar surface energy instability and inhibition of (001) plane growth due to the step-wise change of aqueous solution concentration; ZnO nuclei formed on the (001) plane grow preferentially in (010) plane instead of (001) plane to reduce the total surface energy. Surface area of ZnO nanostructure can be increased in orders of magnitudes by forming a new layer consisting of smaller nanorods/nanowires on (001) plane of ZnO nanorods.
용액성장법에 의한 SiC 단결정 성장은 Si 또는 Si-금속합금의 융액으로부터 SiC를 성장시키는 방법으로서, 통상의 상부종자 용액성장법(Top Seeded Solution Growth)에서는 Si 융액을 담는 흑연도가니로부터 C가 Si 융액에 용해되고 용해된 C이 상부에 위치한 종자결정으로 이동하여 종자결정상에 SiC 형태로 재결정화하는 단계를 거쳐 SiC의 단결정을 성장시키는 과정을 거치게 된다. SiC 용액성장에 있어서는 SiC의 단결정성장을 위하여 흑연도가니의 형상, 크기, 재질 및 상대적 위치 배열 등 온도제어와 유체흐름 제어를 위해 다양한 공정변수를 선정해야한다. 본 연구에서는 용액성장공정의 설계를 위해 상용의 유한요소해석 패키지인 COMSOL Multiphysics를 이용하여 전자기장해석, 열전달해석, 유체해석에 대한 다중물리해석모델을 구축하고 이 모델을 이용하여 결정성장공정을 설계하였다. 해석결과에 기초하여 2 inch off-axis 4H-SiC 단결정을 종자결정으로 적용하여 $1700^{\circ}C$에서 상부종자 용액성장법에 의하여 SiC 단결정을 성장시켰다. 광학현미경 및 고분해능 X선회절분석을 통해 결정성을 분석한 결과 해당 성장조건에서 양호한 품질의 단결정이 성장함을 확인하였다. 이로써 본 연구에서 구축된 다중물리해석모델이 SiC의 용액성장 공정설계에 유효함을 확인하였다.
Ha, Minh-Tan;Shin, Yun-Ji;Bae, Si-Young;Park, Sun-Young;Jeong, Seong-Min
한국세라믹학회지
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제56권6호
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pp.589-595
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2019
The top-seeded solution growth (TSSG) method is an effective approach for the growth of high-quality SiC single crystals. In this method, the temperature gradient in the melt is the key factor determining the crystal growth rate and crystal quality. In this study, the effects of the aperture at the top of the hot-zone on the growth of the SiC single crystal obtained using the TSSG method were evaluated using multiphysics simulations. The temperature distribution and C concentration profile in the Si melt were taken into consideration. The simulation results showed that the adjustment of the aperture at the top of the hot-zone and the temperature gradient in the melt could be finely controlled. The surface morphology, crystal quality, and polytype stability of the grown SiC crystals were investigated using optical microscopy, high-resolution X-ray diffraction, and micro-Raman spectroscopy, respectively. The simulation and experimental results suggested that a small temperature gradient at the crystal-melt interface is suitable for growing high-quality SiC single crystals via the TSSG method.
목본식물에 대한 Al독성에 관한 기초자료를 얻고자, 이농도별(1.0, 2.5 및 5.0mM)수용액과 대조구로 지하수를 모래를 채운 화분에 삽목한 개나리와 플라타너스의 삽수에 1993년 4월 28일부터 6월 16일까지 주 3회씩 처리하였다. 6월 16일 삽목묘를 굴취하여 생장관련형질(신초의 생장, 엽수 및 엽록소함량)과 뿌리의 길이를 처리간 비교하였다. 모든 생장관련형질들(신초의 생장, 엽수 및 엽록소함량)에서 처리간 고도의 통계적 유의차가 인정되었으며, 뿌리생장의 경우 개나리삽목묘에서는 처리간 통계적 유의차가 인정되었으나, 플라타너스삽목묘에서는 처리간 유의차가 인정되지 않았다.
본 실험은 초화류인 코레우스의 삽목시 삽수의 발근율을 높이기 위하여 배양액과 NAA 및 IBA처리 효과를 조사하였다. 모래삽목보다는 배양액을 이용한 것이 발근소요일이나 생육면에서 월등히 효과적이었다. 특히 배양액 농도는 일본 원시표준액보다는 표준액의 1/4 배양액 농도에서 재배한 것이 가장 발근이 빨리 되었으므로 삽목초기에는 낮은 양액농도가 경제적일 것으로 보인다. 생장조절제의 농도별로는 NAA나 IBA 0.01mg/$\ell$처리가 효과적이었으며 IBA처리보다는 NAA처리시의 발근소요일이 더 짧았다. 또한 NAA 및 IBA을 처리한 수돗물을 사웅하여 삽수의 발근을 유도할 경우 NAA와 IBA를 삽수에 침지처리한 후 수돗물에 재배하는 것보다 발근에 효과적이었으며, 무엽지삽보다는 유엽지삽이 효과적이었다. 또한 배양액이나 생장조절제를 단용처리한 것보다 배양액과 생장조절물질의 혼용처리가 발근소요일이 단축되었고 생육상태가 양호하였다.
To study the corrosion fatigue begavior of T.M.C.P. steel, the rotary bending fatigue test with the change of concentration of NaCl solution was carried out. Fatigue life in the corrosion environment is decreased markedly in comparision with that in the air. Fatigue limit in the air was about 225 MPa. In case of 3.5% NaCl solution fatigue life could be expressed as .sigma./sub f/=10,392 * (N/sub f/)/sup -o.2923 . According to the paris's rule, crack growth rates could be expressed as da/dN=2.62.*10/sup -7/ .DELTA. K/sup 1.09/(3.5% NaCl solution), da/dN=1.95 *10/sup -7 .DELTA. K/sup 1.05/(1% NaCl solution), da/dN=2.62 * 10/sup -7/.DELTA./sup 0.72/(0.01% NaCl solution) with da/dN expressed in mm/cycle and .DELTA.K in MPa.GAMMA.m. The crack growth rate in the corrosion environment was highest under 3.5% NaCl solution.
The subcritical crack growth of sintered SiC is investigated under various corrosive atmospheres such as distilled water Murakami solution and saturated KOH solution. The KI-V diagrams are obtained by the load relaxation method and incremental displacement rate method using the double torsion technique. The obtained fracture mechanics parameters (n) of sintered SiC are 79 in Murakami solution and 39 in saturated KOH solution. These data indicate that the subcritical crack growth of sintered SiC is taking place in these two conditions and the stress-corrosion cracking is suggested to be the mechanism. With these KI-V diagrams the life of sintered SiC in these conditions is predicted.
$CuInSe_2$ thin films which have been widely used for thin solar cells as a light absorber were prepared by hydrazine solution processing, and their microstructural properties were investigated. Hydrazine $CuInSe_2$ precursor solutions were prepared by dissolving $Cu_2S$, S, $In_2Se_3$ and Se powder in hydrazine solvent. Multilayer $CuInSe_2$ chalcopyrite phase thin films were prepared by repeating spin-coating process using the precursor solution. Unfortunately, the presence of the interfaces between each $CuInSe_2$ layer formed by multi-layer coating impeded grain growth across the interface. Here, by doing simple interface engineering to solve the limited grain growth issue, the large grained (${\sim}1{\mu}m$) $CuInSe_2$ thin films were obtained.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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