The oxygen barrier films were formed on poly(ethylene terephthalate) (PET) substrate by a sol-gel process using aminoalkoxysilanes. The coating layers were characterized by FT-IR and SEM. The oxygen permeability coefficients of coating films were measured by variable volume method, and then the influences of solvent ratio in sol and film drying temperature on the oxygen barrier properties were investigated. The aminoalkoxysilane coating films exhibited much higher oxygen barrier properties than PET film. The oxygen permeability coefficient of the film coated with each of APTEOS and APTMOS was measured to be $2.96{\times}10^{-6}$ and $3.05{\times}10^{-5}\;GPU$, respectively, while that of PET film was $1.16{\times}10^{-4}\;GPU$.
Fabrication and crystallization characteristics of yttria($T_2O_3$) stabilized zirconia(YSZ) thin film by sol-gel process were studied. YSZ sol was synthesized with zirconium n-propoxide($Zr(OC_3H_7)_4)$) and yttrium nitrate pentahydrate ($Y(NO_3)_3.5H_2O$). YSZ film was prepared by depositing the polymeric sol on porous $Al_2O_3$ substrate by spin-coating, and the film characteristics were investigated by FRIR, TG-DTA, XRD, DSC, optical microscopy and SEM. The film topology was uniform and cracks were not found. It was found that the annealing temperature and the concentration of stabilizer affect the crystallization of YSZ film. The YSZ film began to crystallize from amorphous to tetragonal phase at 40$0^{\circ}C$, and it was not converted to cubic structure until $1100^{\circ}C$. It seemed that the grains were formed over $700^{\circ}C$and the average grain size was obtained about 0.2$\mu\textrm{m}$.
Self-patterning of thin films using photosensitive sol solution has advantages such as simple manufacturing process compared to photoresist/dry etching process. In this study,$La_{0.5}SR_{0.5}CoO_3$(LSCO) thin films as an electrode material for ferroelectric memories have been prepared by spin coating method using photosensitive sol solution. La-2methoxyethoxide, Sr-ethoxide, Co-2methoxyethoxide were used as starting materials. As UV exposure time to the LSCO gel thin film increased, the UV absorption peak intensity of metal${beta}$-diketonate decreased due to reduced solubility by M(metal)-O-M bond formation. Solubility difference by UV irradiation on LSCO gel thin film allows to obtain a fine patterning of thin film. The LSCO thin films annealed over$680{\circ}C$ in air showed perovskite phase and the lowest resistivity$(4{ imes}10^{-3}{Omega}cm)$ of the thin films were obtained by annealing at$740{\circ}C$.
Cost-effective functional phosphor nanoparticles are prepared by introducing low-cost $SiO_2$ spheres to rare-earth phosphor ($YVO_4:Eu^{3+}$, $YVO_4:Er^{3+}$, and $YVO_4:Nd^{3+}$) shells using a sol-gel synthetic method. These functional nanoparticles are characterized by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, transmission electron microscopy, and general photoluminescence spectra. The $SiO_2$ sphere occupying the interior of the conventional phosphor is advantageous in significantly reducing the cost of expensive rare-earth phosphor nanoparticles. The sol-gel process facilitates the core-shell structure formation; the rare-earth shell phosphor has strong interactions with chelating agents on the surfaces of $SiO_2$ nanoparticles and thus forms layers of several nanometers in thickness. The photoluminescence wavelength is simply tuned by replacing the active materials of $Eu^{3+}$, $Er^{3+}$, and $Nd^{3+}$. Moreover, the photoluminescent properties of the core-shell nanoparticles can be optimized by manipulating the specific contents of active materials in the phosphors. Our simple approach substitutes low-cost $SiO_2$ for expensive rare-earth-based phosphor materials to realize cost-effective phosphor nanoparticles for various applications.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.05c
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pp.93-96
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2002
In this study, PZT thin films were fabricated using sol-gel processing onto Si/$SiO_2$/Ti/Pt substrates. PZT sol with different Zr/Ti ratio(20/80, 30/70, 40/60, 52/48) were prepared, respectively. The films were fabricated by using the spin-coating method on substrates. The films were heat treated at $450^{\circ}C$, $650^{\circ}C$ by rapid thermal annealing(RTA). The preferred orientation of the PZT thin films were observed by X-ray diffraction(XRD), and Scanning electron microscopy(SEM). All of the resulting PZT thin films were crystallized with perovskite phase. The fine crystallinity of the films were fabricated. Also, we found that the ferroelectric properties from the dielectric constant of the PZT thin films were over 600 degrees, P-E hysteresis constant. And the leakage current densities of films were lower than $10^{-8}A/cm^2$. It is concluded that the PZT thin films by sol-gel process to be convinced of application for ferroelectric memory device.
ZrO2 gel was prepared under pH 10 alkaline condition by sol-gel process and was investigated as a function of calcination temperature and effect of calcination temperature on cobalt adsorption capacity. The ZrO2 powder prepared by sol-gel process was calcined at 600, 800, 1000, 1200, 140$0^{\circ}C$ and analyzed by X-ray diffractometry. SEM specific surface area by BET nitrogen adsorption FT-IR and TG-DTA technique. It was shown that cobalt adsorption capacity of ZrO2 prepared under pH 10 alkaline condition and then calcined at $600^{\circ}C$ in high temperature was determined to be larger than that of ZrO2 at various calcination temperature. The specific surface area of ZrO2 calcined at $600^{\circ}C$ was 24.03m2/g and cobalt adsorption capacity at 25$0^{\circ}C$ high-temperature water was 0.16m-eq/g.
In this study we investigated the gelation time of sol which containing mixtures of TEOS with H2O, ethanol, HCl in the preparation of monolithic silica glass through Sol-Gel method. In this case apparent activation energies were observed by Arrhenius equation. We investigated the conversion from gel to glass in drying and heat treatment stages using DT-TG, FT-IR, XRD analysis and dried gel conversed to glass by heat treatment up to 85$0^{\circ}C$. The results of this experiment showed that the gelation time of solutions were promoted when increasing the amount of addition of H2O and HCl catalyst for TEOS and high reaction temperature of solution.
The effect of ultrasonic radiation is reported for silica-poly(ethylene glycol) system prepared without the solvent using sol-gel processing by varying various parameters such as ultrasonic irradiation time, PEG content and HCl/TEOS molar ratio. The property of sonogel is compared with classic gel which has been prepared with ethanol as a solvent by traditional sol-gel processing. SEM, BET, DTA-TGA, density and Vickers hardness measurements are carried out for analyzing the samples. The gelation time is found strongly dependent on radiation time, PEG content and pH value, and has been discussed on the basis of existing theories. The $SiO_2-10$ & 20 wt% PEG sonogel exhibited superior optical, physical and gel properties as compared to the classic gel, hence, found suitable for device applications. The ultrasonic radiation increased the density and surface area, and also reduced the pore size which is well supported by the shift in the peak of DTA curve. The DTA thermogram was found similar to that of pure silica gel.
The submicron $YBa_2Cu_3O_x$ powder was prepared by the sol-gel method. The particle size is distributed from 0.2 to 1.0 ${\mu}m$, which benefits to eliminate the micro-cracks formed in the $YBa_2Cu_3O_x$ films deposited by electrophoresis. The powder was single phase of $YBa_2Cu_3O_x$ examined by X-ray diffraction. In the sol-gel process the citrate gel was formed from citric acid and nitrate solution of $Y_2O_3$, $Ba(NO_3)_2$ and CuO. When pH values were adjusted to 6.4-6.7, $Ba(NO_3)_2$ could be dissolved in the citrate solution completely. Appropriate evaporative temperature of the sol-gel formation is discussed. Acetone is used as electrophoreticsolution, in which some water and iodine (0.2 g/1) and polyethylene glycol (2 vol. %) are added. The concentrations of $YBa_2Cu_3O_x$ powders is 20g/l. The thickness of deposited film could be more than 50 ${\mu}m$ in 3 minutes of depositing time. The most EPD films could be 90K zero resistance and the Jc values were over 1000A/cm2 (0 H, 77 K).
${\beta}$-SiC powders were synthesized by a carbothermal reduction process using $SiO_2$-C precursors fabricated by a sol-gel process using phenol resin and TEOS as starting materials for carbon and Si sources, respectively. The C/Si molar ratio was selected as an important parameter for synthesizing SiC powders using a sol-gel process, and the effects of the C/Si molar ratio (1.4-3.0) on the particle size, particle size distribution, and yield of the synthesized ${\beta}$-SiC powders were investigated. It was found that (1) the particle size of the synthesized ${\beta}$-SiC powders decreased with an increase in the C/Si molar ratio in the $SiO_2$-C hybrid precursors, (2) the particle size distribution widened with an increase in the C/Si molar ratio, and (3) the yield of the ${\beta}$-SiC powder production increased with an increase in the C/Si molar ratio.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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