Indium doped $SnO_2$ thick films for gas sensors were fabricated by a screen printing method on alumina substrates. The effects of indium concentration on the structural and morphological properties of the $SnO_2$ were investigated by X-ray diffraction and Scanning Electron Microscope. The structural properties of the $SnO_2$:In by X-ray diffraction showed a (110) dominant $SnO_2$ peak. The size of $SnO_2$ particles ranged from 0.05 to $0.1\;{\mu}m$, and $SnO_2$ particles were found to contain many pores, according to the SEM analysis. The thickness of the indium-doped $SnO_2$ thick films for gas sensors was about $20\;{\mu}m$, as confirmed by cross sectional SEM image. Sensitivity of the $SnO_2$:In gas sensor to 2000 ppm of $CO_2$ gas and 50 ppm of H2S gas was investigated for various indium concentrations. The highest sensitivity to $CO_2$ gas and H2S gas of the indium-doped $SnO_2$ thick films was observed at the 8 wt% and 4 wt% indium concentration, respectively. The good sensing performances of indium-doped $SnO_2$ gas sensors to $CO_2$ gas were attributed to the increase of oxygen vacancies and surface area in the $SnO_2$:In. The $SnO_2$:In gas sensors showed good selectivity to $CO_2$ gas.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제15권4호
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pp.217-220
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2014
We studied the plating properties of Sn-Pb solder according to the shape of the Cu wire's cross-section for photovoltaic ribbon. The thickness of the Sn-Pb layer largely decreased to 29% on a curved Cu surface, compared to a flat Cu surface. This phenomenon is caused by the geometrical decrease in the contact angle of the liquid Sn-Pb solder and an increase in the surface energy of the solid/vapor on the curved Cu surface. We suggest a new ribbon's design where the Cu wire's cross-section is a semi-ellipse. These semi-ellipse ribbons can decrease the use of Sn-Pb solder to 64% and increase the photovoltaic efficiency, by reducing the contact area between the ribbon and cell, to 84%. We also see an improvement of reflectivity in the curved surface.
인터넷과 sns를 이용한 일반인들의 마약거래가 급증하고 있어 사회문제가 되고 있다. 일반인들의 마약수요를 억제하기 위하여 사전에 마약 관련 정보를 제공하여 마약범죄를 예방하는 것이 가장 중요하다. 일반인들은 인터넷과 sns를 이용한 마약거래를 하더라도 적발가능성이 낮다고 판단하여 인터넷과 sns를 이용한 마약거래를 하게 된다. 따라서 인터넷과 sns를 이용한 마약거래의 적발가능성이 높다고 일반인들이 인식하게 한다면 인터넷과 sns를 이용한 마약거래는 감소될 수 있을 것으로 생각된다. 통제배달기법규정의 구체화와 위장수사제도의 도입을 통해 인터넷과 sns를 이용한 마약거래의 적발가능성을 높인다면 일반인들이 쉽게 인터넷과 sns를 이용한 마약거래를 할 수는 없을 것으로 본다. 이와 함께 마약범죄 처벌규정을 세분화하여 단순마약구매자에 대하여는 처벌보다는 치료위주의 처우를 통해 마약수요를 억제하고 마약공급자에 대한 처벌규정은 강화해야 한다. 마약류 대부분이 해외에서 밀반입되므로 외국에서 마약이 공급될 수 없도록 마약정보의 공유시스템을 구축하고 마약공급국가와 공조와 검색체계의 강화를 통해 인터넷과 sns를 이용하여 국내이용자가 해외에서 들여오는 마약공급을 사전에 차단해야 할 필요가 있다.
Cu-based sulfides have recently emerged as promising thermoelectric (TE) materials due to their low cost, non-toxicity, and abundance. In this research, point defect structure of Cu2-xZnSnS4 (x=0.1, 0.2, 0.3) samples were synthesized by the mechanical alloying method. Mixed powders of Cu, Zn, Sn and S were milled using high energy ball milling at a rotation speed of 300 rpm in Ar atmosphere. The milled Cu2-xZnSnS4 powders were heat-treated at 723 K for 24 h, and subsequently consolidated using spark plasma sintering (SPS) under an applied pressure of 60 MPa for 15 min. The thermal conductivity of the sintered Cu2-xZnSnS4 samples was evaluated. A well-defined Cu2-xZnSnS4 powders were successfully formed after milling for 16 h, with the particle sizes mostly distributed in the range of 60-100 nm. The lattice constants of aand cdecreased with increasing composition value x. The thermal conductivity of sintered x=0.1 sample exhibited the lowest value and attained 0.93 W/m K at 673 K.
본 연구에서는 SnO2 nanoparticles (NPs) 위에 TiO2 NPs를 코팅하여 Quantum Dots Light Emitting Diodes (QLEDs)를 제작하였다. TiO2 NPs는 SnO2 NPs보다 conduction band minimum (CBM) 준위가 낮다. 따라서 SnO2 층과 발광층의 CBM 준위 사이에 위치해 에너지 장벽을 감소시키고, 전자의 이동을 원활하게 할 것으로 예상하였다. QLEDs는 inverted 구조로 제작되었으며, SnO2 단일층을 사용한 경우보다 발광 특성이 향상된 것을 확인하였다. 이중 전자수송층을 적용한 이번 연구를 통해 SnO2를 QLEDs에 전자수송층으로 적용할 수 있을 것으로 기대한다.
The effect of a sputter deposition sequence of Cu, Zn, and Sn metal layers on the properties of $Cu_2ZnSnS_4$ (CZTS) was systematically studied for solar cell applications. The set of Cu/Sn/Zn/Cu multi metal films was deposited on a Mo/$SiO_2$/Si wafer using dc sputtering. CZTS films were prepared through a sulfurization process of the Cu/Sn/Zn/Cu metal layers at $500^{\circ}C$ in a $H_2S$ gas environment. $H_2S$ (0.1%) gas of 200 standard cubic centimeters per minute was supplied in the cold-wall sulfurization reactor. The metal film prepared by one-cycle deposition of Cu(360 nm)/Sn(400 nm)/Zn(400 nm)/Cu(440 nm) had a relatively rough surface due to a well-developed columnar structure growth. A dense and smooth metal surface was achieved for two- or three-cycle deposition of Cu/Sn/Zn/Cu, in which each metal layer thickness was decreased to 200 nm. Moreover, the three-cycle deposition sample showed the best CZTS kesterite structures after 5 hr sulfurization treatment. The two- and three-cycle Cu/Sn/Zn/Cu samples showed high-efficient photoluminescence (PL) spectra after a 3 hr sulfurization treatment, wheres the one-cycle sample yielded poor PL efficiency. The PL spectra of the three-cycle sample showed a broad peak in the range of 700-1000 nm, peaked at 870 nm (1.425 eV). This result is in good agreement with the reported bandgap energy of CZTS.
SNS 사용자들이 많은 시간을 투자하여 적극적으로 이용함으로써 SNS는 괄목할만한 높은 성장으로 이어지고 있다. SNS의 적극적인 이용으로 인해 점점 스트레스를 경험하거나 중독으로 이르는 부정적 영향도 함께 나타나고 있다. 개인이나 소비자와 기업을 연결해 주는 새로운 매체로써 SNS 사용자들의 이용률이 증가하면서 중독경향성 즉, 중독을 보이는 경우들이 발생하는데, 이에 이용자들이 어떻게 중독에 이르게 되는지에 관심을 기울일 필요가 있다고 본다. 본 연구는 20대 대학생들을 대상으로 하여 SNS 중독에 영향을 미치는 스트레스의 매개효과에 대해 실증적으로 규명하기 위한 목적으로 진행되었다. 본 연구의 분석결과를 요약하면 다음과 같다. 첫째, SNS 특성으로 인한 과다사용에 대한 부정적 평가가 높을수록 SNS 스트레스는 높아지는 것으로 나타났다. 둘째, SNS 스트레스와 중독과의 관계를 분석한 결과, SNS 스트레스와 SNS 중독에는 유의적인 영향력이 있는 것으로 나타났다. 이는 SNS 스트레스를 받게 되면 이를 해소하기 위해 SNS를 중단하는 것이 아니라 지속적으로 다른 SNS로 이동하여 계속 SNS를 이용하게 된다. SNS를 사용함으로 인해 스트레스를 경험하게 된 사용자들은 또 다른 SNS로 이동하여 계속 SNS를 이용함으로써 스마트폰이나 SNS의 중독을 경험하게 되는 것으로 볼 수 있다. 셋째, SNS 특성으로 인한 과다사용은 SNS 중독에 통계적으로 유의하지 않은 것으로 나타났다. 이는 SNS 특성으로 인해 과다사용하는 것은 직접적으로 SNS 중독에 영향을 미치지 않는다고 볼 수 있다. 본 연구는 개인수준뿐만 아니라 소비자-브랜드 간의 관계에서 SNS에 대한 중독적인 행동과 같은 SNS의 부정적 측면을 연구하는 데 도움을 제공하고자 한다.
The H2S sensing mechanism of CuO-SnO2 was confirmed by analyzing the electrical-resistance variation with temperature under an H2S atmosphere. While the resistance of CuO-SnO2 thick film at N2+H2S atmosphere was almost invariant with change in temperature it increased with increasing temperature for air +H2S atmos-phere. This behavior was analyzed using an equation derived from a basic assumption based on the H2S sensing mechanism proposed before. the experimental results are sufficiently explained with the equation derived which showed that the H2S sensing mechanism was reasonable. The equation also gave a detailed analysis and physical meaning to the behavior of the resistance variation with change in H2S concentration.
본 연구는 선행연구와 이용 충족이론에 근거하여 SNS의 주요한 이용 동기를 사회형, 정보형, 유희형으로 구분하고, 사회적 관계 자본 이론의 개념을 적용하여 SNS의 이용동기가 SNS에서의 관계 연결과 관계 결속 그리고 지속적 사용의도에 미치는 영향을 실증적으로 검정하였다. 연구 결과 SNS의 사회형, 정보형, 유희형 동기 모두 SNS의 관계 연결과 관계 결속에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났으며, SNS의 관계 연결과 관계 결속 역시 지속적 사용의도에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타나, 본 연구의 가설은 모두 채택되었다. SNS의 사회형, 정보형, 유희형 동기 모두 다른 사람들과 소통하고 관계를 맺고, 흥미 있는 분야가 비슷한 타 이용자들과 새로운 그룹을 생성하거나, 관계를 확대하는 중요한 요인임이 입증되었다. 또한, SNS를 통해 상호간 강한 유대감을 형성하는 관계를 형성하고 필요시 정서적 지지를 받을 수 있는 가치 있는 관계를 형성해 나가기 위해 그리고, SNS를 하는 과정에서 다른 사용자들과의 새로운 관계 형성을 통해 자신의 네트워크를 확장시킴으로써 SNS를 지속적으로 사용하게 된다는 것을 확인 할 수 있었다.
Park, J.Y.;Ha, J.S.;Kang, C.S.;Kim, M.I.;Shin, K.S.;Jung, J.P.
한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
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pp.81-86
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2000
To evaluate the possibility of the partial melting soldering. wettability of partial melted solders was measured using wetting balance. Off eutectic Sn-Pb allows are wettable in their partial melting zone. Especially, Pb rich alloys showed excellent wettability while wettability of Sn rich alloys were adequate or poor. It is found that wettability increases over $200^{\circ}C$ regardless of composition liquid fraction and phases of the original alloy Sn-7Ag alloy showed good wettability in their partial melting zone, while Sn-65Bi alloy was non-wettable under their melting points.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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