Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.17
no.2
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pp.104-108
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2016
To research the correlation between oxygen vacancy and the electrical characteristics of ZTO, which is made by using a target mixed ZnO:SnO2=1:1, the ZnO, SnO2 and ZTO were analyzed by PL, XPS, XRD patterns and electrical properties. It was compared with the electron orbital spectra of O 1s in accordance with the electrical characteristics of ZnO, SnO2 and ZTO. The electrical characteristics of ZTO were improved by increasing the annealing temperatures, due to the high degree of crystal structures at a high temperature, and the physical properties of ZTO was similar to that of ZnO. The amorphous structure of SnO2 was increased with increasing the temperature. The Schottky contact of oxide semiconductors was formed using the depletion region, which is increased by the electron-hole combination due to the annealing processes. ZnO showed the Ohmic contact in spite of a high annealing temperature, but SnO2 and ZTO had Schottky contact. As such, it was confirmed that the electrical properties of ZTO are affected by the molecules of SnO2.
The low-temperature sinterability of TiO2-CuO systems was investigated using a solid solution of SnO2. Sample powders were prepared through conventional ball milling of mixed raw powders. With the SnO2 content, the compositions of the samples were Ti1-xSnxO2-CuO(2 wt.%) in the range of x ≤ 0.08. Compared with the samples without SnO2 addition, the densification was enhanced when the samples were sintered at 900℃. The dominant mass transport mechanism seemed to be grain-boundary diffusion during heat treatment at 900℃, where active grain-boundary diffusion was responsible for the improved densification. The rapid grain growth featured by activated sintering was also obstructed with the addition of SnO2. This suggested that both CuO as an activator and SnO2 dopant synergistically reduced the sintering temperature of TiO2.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.33
no.2
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pp.83-90
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2023
The β-Ga2O3 has the most thermodynamically stable phase, a wide band gap of 4.8~4.9 eV and a high dielectric breakdown voltage of 8MV/cm. Due to such excellent electrical characteristics, this material as a power device material has been attracted much attention. Furthermore, the β-Ga2O3 has easy liquid phase growth method unlike materials such as SiC and GaN. However, since the grown pure β-Ga2O3 single crystal requires the intentionally controlled doping due to a low conductivity to be applied to a power device, the research on doping in β-Ga2O3 single crystal is definitely important. In this study, various source powders of un-doped, Sn 0.05 mol%, Sn 0.1 mol%, Sn 1.5 mol%, Sn 2 mol%, Sn 3 mol%-doped Ga2O3 were prepared by adding different mole ratios of SnO2 powder to Ga2O3 powder, and β-Ga2O3 single crystals were grown by using an edge-defined Film-fed Growth (EFG) method. The crystal direction, crystal quality, optical, and electrical properties of the grown β-Ga2O3 single crystal were analyzed according to the Sn dopant content, and the property variation of β-Ga2O3 single crystal according to the Sn doping were extensively investigated.
Ji Yeon Shin;Chan Gyu Kim;Ji Myeong Park;Hong Nhung Le;Jeong Yun Hwang;Myung Sik Choi
Journal of Sensor Science and Technology
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v.33
no.2
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pp.105-111
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2024
In this study, the H2S gas sensing characteristics were evaluated using surface-modified SnO2 microparticles by tip sonication. The surface-modified SnO2 microparticles were synthesized using the following sequential process. First, bare SnO2 microparticles were synthesized via a hydrothermal method. Then, the surfaces of bare SnO2 microparticles were modified with Ti nanoparticles during tip sonication. The sensing characteristics of SnO2 microparticles modified with Ti were systematically investigated in the range of 100-300℃, compared with the bare SnO2 microparticles. In this study, we discuss in detail the improved H2S sensing characteristics of SnO2 microparticles via Ti nanoparticle modification.
Pure SnO2 has proven very difficult to densify. This poor densification can be useful for the fabrication of SnO2 with a porous microstructure, which is used in electronic devices such as gas sensors. Most electronic devices based on SnO2 have a porous microstructure, with a porosity of > 40%. In pure SnO2, a high sintering temperature of approximately 1300℃ is required to obtain > 40% porosity. In an attempt to reduce the required sintering temperature, the present study investigated the low-temperature sinterability of a current system. With the addition of TiO2, the compositions of the samples were Sn1-xTixO2-CoO(0.3wt%)-CuO(2wt%) in the range of x ≤ 0.04. Compared to the samples without added TiO2, densification was shown to be improved when the samples were sintered at 950℃. The dominant mass transport mechanism appears to be grain-boundary diffusion during heat treatment at 950℃.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.56
no.3
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pp.201-207
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2023
Eu3+-doped SnO2 (SnO2:Eu3+) phosphor thin films were grown on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering. The deposition temperature was varied from 100 to 400 ℃. The X-ray diffraction patterns showed that all the thin films had two mixed phases of SnO2 and Eu2Sn2O7. The 880 nmthick SnO2:Eu3+ thin film grown at 100 ℃ exhibited numerous pebble-shaped particles. The excitation spectra of SnO2:Eu3+ thin films consisted of a strong and broad peak at 312 nm in the vicinity from 250 to 350 nm owing to the O2--Eu3+ charge transfer band, irrespective of deposition temperature. Upon 312 nm excitation, the SnO2:Eu3+ thin films showed a main emission peak at 592 nm arising from the 5D0→7F1 transition and a weak 615 nm red band originating from the 5D0→7F2 transition of Eu3+. As the deposition temperature increased, the emission intensities of two bands increased rapidly, approached a maximum at 100 ℃, and then decreased slowly at 400 ℃. The thin film deposited at 200 ℃ exhibited a band gap energy of 3.81 eV and an average transmittance of 73.7% in the wavelength range of 500-1100 nm. These results indicate that the luminescent intensity of SnO2:Eu3+ thin films can be controlled by changing the deposition temperature.
Luminescence of $Eu^{3+}$ has been studied in $Sr_{2-2x}Eu_xK_xSnO_4$ with two-dimensional $K_2NiF_4$ structure. The $^5D_o$ → $^7F_o$$Eu^{3+}$ ion represents the J=0 → J=0 transition which is forbidden by a Judd-Ofelt selection rule for electric dipole transition in 4f shell of $Eu^{3+}$ ions. However, the emission line of $^5D_o$ → $^7F_o$$Eu^{3+}$ emission spectra of Sr2-2xEuxKxSnO4$Sr_{2-2x}Eu_xK_xSnO_4$structure around $Eu^{3+}$ ions.
A transparent dielectric of the $PbO-B_2O_3-SiO_2-A1_2O_3$ system which was a low melting glass has been used for PDP (Plasma Display Panel), but it has a problem which is a reaction to be occurred between a transparent dielectric layer and electrodes (Ag, ITO) after firing. This research was conducted for ion migration of $Ag^+\$ and $Sn^ {2+}$ during firing three different frits of low melting glass. The result showed that yellowing phenomena occurred through a chemical reaction between $Ag^+\$and $Sn^ {2+}$ at 550~58$0^{\circ}C$ for 20~60 min. In addition, it was confirmed that the migration of $Sn^{2+}$ from ITO electrode made a strong effect on the yellowing phenomena.
Jung, Dong Geon;Lee, Junyeop;Kwon, Jinbeom;Maeng, Bohee;Kim, Young Sam;Yang, Yi Jun;Jung, Daewoong
Journal of Sensor Science and Technology
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v.31
no.5
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pp.348-352
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2022
Hydrogen gas (H2) which is odorless, colorless is attracting attention as a renewable energy source in varions applications but its leakage can lead to disastrous disasters, such as inflammable, explosive, and narcotic disasters at high concentrations. Therefore, it is necessary to develop H2 gas sensor with high performance. In this paper, we confirmed that H2 gas detection ability of SnO2 based H2 gas sensor along with thermal treatment effect of SnO2. Proposed SnO2 based H2 gas sensor is fabricated by MEMS technologies such as photolithgraphy, sputtering and lift-off process, etc. Deposited SnO2 thin films are thermally treated in various thermal treatement temperature in range of 500-900 ℃ and their H2 gas detection ability is estimatied by measuring output current of H2 gas sensor. Based on experimental results, fabricated H2 gas sensor with SnO2 thin film which is thermally treated at 700 ℃ has a superior H2 gas detection ability, and it can be expected to utilize at the practical applications.
The research was performed to find out the optimum firing condition for the $SnO_2-TiO_2-V_2O_5$ system yellow pigment. The pigment based on $SnO_2-V_2O_5$ system showed very intense yellow color and it was used widely in ceramics industry. Synthesized pigment, with partial substitutions of $SnO_2\;by\;TiO_2$, was fired at $1300{^{\circ}C}$ soaking 1h and it showed bright yellow color. $SnO_2-TiO_2-V_2O_5$ system was very more intensive changes in yellow color by colorimetric value $b^*$ than $SnO_2-V_2O_5$ system. Synthesized yellow pigments were characterized by X-ray diffraction (XRD), FT-IR, and UV-vis spectroscopy. The best composition for yellow pigment was 93:7:0.5(mole%) for $SnO_2-V_2O_5-TiO_2$. The measurement of CIE $L^*a^*b^*$ of pigment was $L^*(78.82),\;a^*(-4.88)\;and\;b^*$(59.25).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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