• 제목/요약/키워드: Single-ended receiver

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3~5 GHz 광대역 저전력 Single-Ended IR-UWB CMOS 수신기 (A Low Power Single-End IR-UWB CMOS Receiver for 3~5 GHz Band Application)

  • 하민철;박병준;박영진;어윤성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제20권7호
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    • pp.657-663
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    • 2009
  • 본 논문에서는 IR-UWB 통신에 적합한 저전력, 저복잡도의 CMOS RF 수신기를 제작하였다. 제안된 IR-UWB 수신기는 비교적 구조가 간단한 non-coherent demodulation 방식으로 설계, 제작되었다. 설계된 IR-UWB 수신기는 single-ended 2-stage LNA, S2D, envelop detector, VGA, comparator로 구성되어 있으며, 0.18 ${\mu}m$ CMOS 공정 기술을 이용하여 단일 칩으로 설계, 제작하였다. 측정 결과 data rate이 1 Mbps 일 때 BER값이 $10^{-3}$ 조건에서 sensitivity는 -80.8 dBm이다. 제작된 단일 칩 CMOS IR-UWB 수신기의 전류 소모는 전압이 1.8 V 일 때, 13 mA이며 23.4 nJ/bit 의 성능을 갖는다.

기준 전압 발생기와 연속 시간 선형 등화기를 가진 6 Gbps 단일 종단 수신기 (6-Gbps Single-ended Receiver with Continuous-time Linear Equalizer and Self-reference Generator)

  • 이필호;장영찬
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권9호
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    • pp.54-61
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    • 2016
  • 본 논문에서는 6 Gbps 고속 double data rate(DDR) 인터페이스를 위한 기준 전압 발생기와 선형 등화기를 포함하는 단일 종단 수신기를 제안한다. 제안하는 단일 종단 수신기는 낮은 전압 레벨의 입력 신호에 대해 전압 이득을 증가시키기 위해 공통 게이트 증폭기를 사용한다. 저주파의 이득을 줄이고 고주파 피킹 이득을 발생시키는 연속 시간 선형 등화기가 공통 게이트 증폭기에서의 구현을 위해 제안된다. 또한, 공통 게이트 증폭기의 오프셋 노이즈를 줄임으로 전압이득을 극대화하기 위해 기준 전압 발생기가 구현된다. 제안하는 기준 전압 발생기는 디지털 평준화 기법에 의해 2.1 mV의 해상도로 제어된다. 제안된 단일 종단 수신기는 공급전압 1.2 V의 65 nm CMOS 공정에서 설계되었으며 6 Gbps의 동작속도에서 15 mW의 전력을 소모한다. 설계된 등화기는 저주파에서의 이득 대비 3 GHz 주파수에서의 피킹 이득을 5 dB 이상 증가시킨다.

DVB-S2 수신기 튜너용 IC의 광대역 CMOS 단일신호-차동신호 변환기 (Broadband CMOS Single-ended to Differential Converter for DVB-S2 Receiver Tuner IC)

  • 신화형;김남영
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.185-185
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    • 2008
  • This paper describes the broadband SDC (Single-ended to Differential Converter) for Digital Video Broadcasting-Satellite $2^{nd}$ edition (DVB-S2) receiver tuner IC. It is fabricated by using $0.18{\mu}m$ CMOS process. In order to obtain high linearity and low phase mismatch, the broadband SDC (Single-ended to Differential Converter) is designed with current mirror structure and cross-coupled capacitor and current source binding differential structure at VDD. The simulation result of SDC shows IIP3 of 11.9 dBm and IIP2 of 38 dBm. It consumes 5mA current with 2.7V supply voltage.

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Impact of Receiver on In-Band Crosstalk-Induced Penalties in Differentially Phase-Modulated Signals

  • Hu, Qikai;Kim, Hoon;Kim, Chul Han
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제20권2호
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    • pp.223-227
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    • 2016
  • The impact of optical receiver configuration on in-band crosstalk-induced penalty has been investigated in both theoretical and experimental analyses, for differential phase-shift keying (DPSK) and differential quadrature phase-shift keying (DQPSK) signals. Previously it has been shown that DPSK signals are ~6 dB more tolerant to in-band crosstalk than on-off keying (OOK) signals. However, we find that the tolerance difference between the two signals is reduced to ~3 dB when the decision threshold of the receiver is optimized to minimize the bit-error rate for each signal. Then we derive simple equations for the in-band crosstalk-induced penalty in DPSK and DQPSK signals with two different optical receiver configurations: balanced and single-ended direct-detection receivers. We confirm that the penalties obtained from our simple equations agree well with the measured results.

A 3.1 to 5 GHz CMOS Transceiver for DS-UWB Systems

  • Park, Bong-Hyuk;Lee, Kyung-Ai;Hong, Song-Cheol;Choi, Sang-Sung
    • ETRI Journal
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    • 제29권4호
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    • pp.421-429
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    • 2007
  • This paper presents a direct-conversion CMOS transceiver for fully digital DS-UWB systems. The transceiver includes all of the radio building blocks, such as a T/R switch, a low noise amplifier, an I/Q demodulator, a low pass filter, a variable gain amplifier as a receiver, the same receiver blocks as a transmitter including a phase-locked loop (PLL), and a voltage controlled oscillator (VCO). A single-ended-to-differential converter is implemented in the down-conversion mixer and a differential-to-single-ended converter is implemented in the driver amplifier stage. The chip is fabricated on a 9.0 $mm^2$ die using standard 0.18 ${\mu}m$ CMOS technology and a 64-pin MicroLead Frame package. Experimental results show the total current consumption is 143 mA including the PLL and VCO. The chip has a 3.5 dB receiver gain flatness at the 660 MHz bandwidth. These results indicate that the architecture and circuits are adaptable to the implementation of a wideband, low-power, and high-speed wireless personal area network.

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고속 인터페이스를 위한 원단누화 보상 기술 동향 (Far-End Crosstalk Compensation for High-Speed Interface)

  • 이원병;공배선
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권3호
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    • pp.1046-1053
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    • 2019
  • 멀티채널 단일 종단(single-ended) 환경에서 채널 사이의 상호인덕턴스 및 상호캐패시턴스에 의한 원단누화 현상(FEXT)은 결정적으로 채널의 대역폭 감소를 일으킨다. 원단누화에 의해 누화-유발 지터(CIJ)와 누화-유발 글리치(CIG)가 생기며 이들은 각각 타이밍 마진 감소와 전압 마진 감소를 일으킨다. 따라서 아이 오프닝 증가와 높은 데이터 전송속도를 얻기 위해서는 원단누화 현상을 보상해야 한다. 원단누화 보상은 송신단에서 타이밍 조절 또는 파형 변형을 통해 보상할 수 있다. 또한, 수신단에서 고역-필터를 사용하여 유사 원단누화 잡음을 만들어 보상하는 방법도 있다. 본 논문에서는 원단누화 보상의 최근 기술 동향을 소개하며, 이들의 장점과 단점을 논의한다.

Fin-Line 구조의 Ku대역 추적레이더 수신단용 평형 믹서 설계 (Fin-Line Balanced Mixer Design for Ku-band Tracking Radar Receiver)

  • 나재현;노돈석;김동길
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제13권4호
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    • pp.685-694
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    • 2018
  • 본 논문에서는 Ku대역 추적레이더의 핵심부품인 고주파 헤드 내 주파수 믹서(혼합기)의 설계 및 제작 결과에 대해서 다룬다. 단일종단(Single-Ended) 및 단일평형(Single-Balanced) 믹서의 단점을 보완하기 위해서, Fine-Line 구조의 평형(Balanced) 믹서를 설계하여 낮은 변환손실 특성을 가지도록 하였으며, Ku대역 RF신호를 입력받아 L밴드 IF신호를 생성하도록 하였다. 제작된 믹서에 대해서 Ku밴드 5개 샘플주파수를 대상으로 실험한 결과, 최대 잡음지수(Noise Figure Max) 6.823dB, 이득(Gain) 4.159dB ~ 4.676dB, 통과대역(Band Pass) 61MHz의 값을 확인하였다.

A Single-ended Simultaneous Bidirectional Transceiver in 65-nm CMOS Technology

  • Jeon, Min-Ki;Yoo, Changsik
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권6호
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    • pp.817-824
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    • 2016
  • A simultaneous bidirectional transceiver over a single wire has been developed in a 65 nm CMOS technology for a command and control bus. The echo signals of the simultaneous bidirectional link are cancelled by controlling the decision level of receiver comparators without power-hungry operational amplifier (op-amp) based circuits. With the clock information embedded in the rising edges of the signals sent from the source side to the sink side, the data is recovered by an open-loop digital circuit with 20 times blind oversampling. The data rate of the simultaneous bidirectional transceiver in each direction is 75 Mbps and therefore the overall signaling bandwidth is 150 Mbps. The measured energy efficiency of the transceiver is 56.7 pJ/b and the bit-error-rate (BER) is less than $10^{-12}$ with $2^7-1$ pseudo-random binary sequence (PRBS) pattern for both signaling directions.

다수의 병렬 입.출력 환경을 위한 높은 노이즈 마진을 갖는 LVDS I/O 회로 (High Noise Margin LVDS I/O Circuits for Highly Parallel I/O Environments)

  • 김동규;김삼동;황인석
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제44권1호
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    • pp.85-93
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    • 2007
  • 본 논문에서는 다수의 병렬 입.출력 환경을 위한 높은 노이즈 마진을 갖고 있는 LVDS I/O 회로를 소개한다. 제안된 LVDS I/O회로는 송신단과 수신단으로 구성되어 있으며 송신단 회로는 차동위상 분할기와 공통모드 피드백(common mode feedback)을 가지고 있는 출력단으로 이루어져 있다. 차동위상 분할기는 SSO(simultaneous switching output) 노이즈에 의해 공급전압이 변하더라도 안정된 듀티 싸이클(duty cycle)과 $180^{\circ}$의 위상차를 가진 두 개의 신호를 생성한다. 공통모드 피로백을 가지고 있는 출력단 회로는 공급전압의 변화에 상관없이 일정한 출력전류를 생성하고 공통모드 전압(common mode voltage)을 ${\pm}$0.1V 이내로 유지한다. LVDS 수신단 회로는 VCDA(very wide common mode input range differential amplifier)구조를 사용하여 넓은 공통 입력전압 범위를 확보하고 SSO 노이즈에 의한 공급 전압의 변화에도 안정된 듀티 싸이클(50% ${\pm}$ 3%)을 유지하여 정확한 데이터 복원이 가능하다. 본 논문에서 제안한 LVDS I/O 회로는 0.18um TSMC 라이브러리를 기본으로 하여 설계 되었으며 H-SPICE를 이용하여 시뮬레이션 하였다.

A Feedback Wideband CMOS LNA Employing Active Inductor-Based Bandwidth Extension Technique

  • Choi, Jaeyoung;Kim, Sanggil;Im, Donggu
    • 스마트미디어저널
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    • 제4권2호
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    • pp.55-61
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    • 2015
  • A bandwidth-enhanced ultra-wide band (UWB) CMOS balun-LNA is implemented as a part of a software defined radio (SDR) receiver which supports multi-band and multi-standard. The proposed balun-LNA is composed of a single-to-differential converter, a differential-to-single voltage summer with inductive shunt peaking, a negative feedback network, and a differential output buffer with composite common-drain (CD) and common-source (CS) amplifiers. By feeding the single-ended output of the voltage summer to the input of the LNA through a feedback network, a wideband balun-LNA exploiting negative feedback is implemented. By adopting a source follower-based inductive shunt peaking, the proposed balun-LNA achieves a wider gain bandwidth. Two LNA design examples are presented to demonstrate the usefulness of the proposed approach. The LNA I adopts the CS amplifier with a common gate common source (CGCS) balun load as the S-to-D converter for high gain and low noise figure (NF) and the LNA II uses the differential amplifier with the ac-grounded second input terminal as the S-to-D converter for high second-order input-referred intercept point (IIP2). The 3 dB gain bandwidth of the proposed balun-LNA (LNA I) is above 5 GHz and the NF is below 4 dB from 100 MHz to 5 GHz. An average power gain of 18 dB and an IIP3 of -8 ~ -2 dBm are obtained. In simulation, IIP2 of the LNA II is at least 5 dB higher than that of the LNA I with same power consumption.