• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제20권11호
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• pp.1750-1758
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• 2017

In super-resolution, various methods with Convolutional Neural Network(CNN) have recently been proposed. CNN based methods provide much higher image quality than conventional methods. Especially, VDSR outperforms other CNN based methods in terms of image quality. However, it requires a high computational complexity which prevents real-time processing. In this paper, the method to apply a deconvolution layer to VDSR is proposed to reduce computational complexity. Compared to original VDSR, the proposed method achieves the 4.46 times speed-up and its degradation in image quality is less than -0.1 dB which is negligible.

• 한국통신학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.40-52
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• 1997

OFDM을 사용하는 지상 중계 시스템은 단일 반송파를 사용하는 중계 시스템보다 고출력 증폭기에서 발생하는 비선형 왜곡에 매우 민감한 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 이러한 OFDM 시스템의 고출력 증폭기에서 발생하는 비선형 왜곡의 영향을 보상할 수 있는 적응 사전 보상기를 제안한다. 제안된 사전 보상기는 메모리(RAM)에 의해 구현되는 보상 테이블과 "broadcasting" 기법을 사용하여 효율적으로 보상 테이블의 값을 갱신하는 적응 알고리듬으로 구성되어 있다. 제안된 훈련 신호를 사용하여 제안된 적응 사전 보상기의 수렴속도를 향상시킬 수 있음을 부이고, 고출력 증폭기의 비선형 왜곡 영향을 받는 OFDM 시스템의 성능을 향상시킬 수 있음을 컴퓨터 모의 실험을 통해서 확인한다. 통해서 확인한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.285-285
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• 2011

최근 반도체 소자의 미세화에 따라, 단채널 효과에 의한 누설전류 및 소비전력의 증가 등이 문제되고 있다. 대표적인 휘발성 메모리인 dynammic random access memory (DRAM)의 경우, 소자의 집적화가 진행됨에 따라 저장되는 정보의 양을 유지하기 위해 캐패시터영역의 복잡한 공정을 요구하게 된다. 하나의 캐패시터와 하나의 트랜지스터로 이루어진 기존의 DRAM과 달리, single transistor (1T) DRAM은 silicon-on-insulator (SOI) 기술을 기반으로 하여, 하나의 트랜지스터로 DRAM 동작을 구현한다. 이러한 구조적인 이점 이외에도, 우수한 전기적 절연 특성과 기생 정전용량 및 소비 전력의 감소 등의 장점을 가지고 있다. 또한 strained-Si 층을 적용한 strained-Silicon-On-Insulator (sSOI) 기술을 이용하여, 전기적 특성 및 메모리 특성의 향상을 기대 할 수 있다. 본 연구에서는 sSOI 기판위에 1T-DRAM을 구현하였으며, impact ionization과 gate induced-drain-leakage (GIDL) 전류에 의한 메모리 구동 방법을 통해 sSOI 1T-DRAM의 메모리 특성을 평가하였다. 그 결과 strain 효과에 의한 전기적 특성의 향상을 확인하였으며, GIDL 전류를 이용한 메모리 구동 방법을 사용했을 경우 낮은 소비 전력과 개선된 메모리 윈도우를 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.2233-2235
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• 1999

The ac plasma display panel(PDP) is a flat light-emitting gas discharge device. Discharge gases directly take effects to the discharge phenomena of ac PDP. Therefore it is necessary to understand the characteristics of the discharge gases. In this paper, we have studied the effects of discharge gases by voltage transfer curves which show the discharge characteristics of ac PDP and the change of the effective wall capacitance during a discharge which depends on lateral spreading of charge distribution and the strength of discharge. As gas pressure increases, memory margins increases. and the firing voltage of a mixed gas is lower than that of a single gas such as He gas. The minimum sustain voltage and the maximum sustain voltage or firing voltage increases with decrease in the frequency. The effective wall capacitance increases as the discharge strength that is, the gap voltage between discharge electrodes increases.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 제5회 영호남 학술대회 논문집
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• pp.98-102
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• 2003

$Ba_2NaNb_5O_{15}$, hereafter BNN, thin films are attractive candidates for nonvolatile memory and electro-optic devices. In the present work, thin films that have different contents of Ba, Na and Nb have been prepared by H-MOD technique on silicon and Pt substrates. XRD and SEM were used to investigate the phase evolution behavior and the microstructure of the films. It was found that the films of about 450nm thick were crack-free and uniform in microstructure. Nb content strongly influenced the phase formation of the films, where low temperature phase was always formed at the stoichiometric BNN composition. However, the amount of low temperature phase decreased with the increase of excess Nb content, and the single phase (orthorhombic tungsten bronze structure) BNN thin film was obtained at the temperature as low as $750^{\circ}C$ for samples with excess niobium. From this study, the sub-solidus phase diagram below $850^{\circ}C$ for $BaO-Na_2O-Nb_2O_5$ ternary system is proposed.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제10권5호
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• pp.942-946
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• 2009

ISP와 JPEG 인코더 사이에는 라스터 스캔 순서의 데이터를 $8{\times}8$ 블록 스캔 순서로 변환하는 스캔 순서 변환기가 위치한다. 최근에 단일 라인 메모리를 사용함으로써, 하드웨어 규모를 감축한 스캔 순서 변환기가 제안되었으나 매 사이클마다 기입과 독출 동작을 수행함에 따라서 전체 전력 예산의 대부분을 SRAM이 소모하는 문제점을 야기했다. 본 논문에서는 SRAM에 대한 억세스 빈도를 술이기 위하여 데이터 packer와 unpacker를 스캔 순서 변환 과정에 삽입함으로써, SRAM에 대한 억세스 빈도를 1/8로 줄이는 구조를 제안한다. 실험결과, 제안한 구조를 적용할 경우 SXGA 해 상도에서의 SRAM 전력소모량을 16% 이하로 줄어든다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1463-1465
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• 1994

The electrical characteristics of $Al/Ta_2O_5/Si$ metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were studied. $Ta_2O_5$ films on p-type silicon had been prepared by ionized cluster beam epitaxy technique (ICBE). This $Ta_2O_5$ films have low leakage current, high breakdown strength and low flat band shift. In this research, a single crystalline cpitaxial film of $Ta_2O_5$ has been grown on p-Si wafer using an ICBE technique. The native oxide layer ($SiO_2$) on the silicon substrate was removed below $500^{\circ}C$ by use of an accelerated arsenic ion beam, instead of a high temperature deposition. $Ta_2O_5$ films formed by ICBE technique can be received considerable attention for applications to coupling capacitors, gate dielectrics in MOS devices, and memory storage capacitor insulator because of their high dielectric constants above 20 and low temperature process.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권3호
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• pp.31-36
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• 2002

PBGA에 비해 상대적으로 큰 칩을 실장하는 고속 SRAM용 153 FC-BGA을 대상으로 2차 솔더접합부의 신뢰성을 평가하였다. 실험은 열사이클 시험에서 발생하는 단면과 양면 실장, 패키지 구조, 언더 필 재료, 기판의 종류와 두께, 솔더 볼의 크기에 따른 영향을 분석하였다. BT기판의 두께가 0.95mm에서 1.20mm로 증가하고, 낮은 영률 의 언더 필 재료에서 솔더접합부의 피로 수명이 30% 향상됨을 확인하였다. 또한 솔더 볼의 크기가 0.76 mm에서 0.89mm로 증가하면, 솔더접합부에서 균열에 대한 저항성은 2배 정도 증가하였다.

• 한국컴퓨터그래픽스학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.11-16
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• 2010

본 논문에서는 그래픽스 하드웨어를 이용한 스윕 곡면의 효율적인 렌더링 알고리즘을 제안한다. 스윕 곡면은 스플라인 모션을 따라 움직이는 단면 곡선으로 표현된다. 이러한 표현은 행렬과 벡터의 곱으로 계산되며, 이는 프로그래밍이 가능한 그래픽스 하드웨어에 쉽게 적용될 수 있다. 스플라인 모션과 단면 곡선의 정보는 텍스쳐 메모리에 저장된다. 그래픽스 하드웨어의 정점 프로세서는 두 개의 곡면 매개변수를 2차원 정점으로 입력받아 한 번의 행렬 곱셈으로 스윕 곡면의 정점 좌표와 법선 벡터를 계산한다. 제안한 GPU 기반 스윕 곡면의 렌더링은 CPU 기반 렌더링에 비해 10배에서 40배 정도의 속도 향상을 보였다.

• Journal of Communications and Networks
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• 제17권6호
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• pp.592-601
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• 2015

Multitenancy has gained growing importance with the development and evolution of cloud computing technology. In a multitenant environment, multiple tenants with different demands can share a variety of computing resources (e.g., CPU, memory, storage, network, and data) within a single system, while each tenant remains logically isolated. This useful multitenancy concept offers highly efficient, and cost-effective systems without wasting computing resources to enterprises requiring similar environments for data processing and management. In this paper, we propose a novel approach supporting multitenancy features for Apache Hadoop, a large scale distributed system commonly used for processing big data. We first analyze the Hadoop framework focusing on "yet another resource negotiator (YARN)", which is responsible for managing resources, application runtime, and access control in the latest version of Hadoop. We then define the problems for supporting multitenancy and formally derive the requirements to solve these problems. Based on these requirements, we design the details of multitenant Hadoop. We also present experimental results to validate the data access control and to evaluate the performance enhancement of multitenant Hadoop.