• 한국콘크리트학회:학술대회논문집
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• 한국콘크리트학회 2010년도 춘계 학술대회 제22권1호
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• pp.165-166
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• 2010

내부공사 및 유지관리 기간 중 발생 가능한 충돌시나리오를 설정하여 갑문 및 교각의 충돌해석 및 손상도를 구조해석 하였다. 또한, 충돌해석은 재료비선형을 고려하여 시간이력해석을 수행하였으며 충돌해석에서 교각에 전달되는 충돌하중을 산정하여 구조해석한 후 손상도를 평가하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.13-16
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• 1984

본 논문에서는 NAND 또는 NOR 게이트와 같은 기본 셀로 구성되는 1차원 MOS LSI의 칩 면적을 최소화하기 위한 레이아웃 알고리즘을 제안하고 있다. 배열하고자 하는 MOS 게이트들의 최좌측단과 최우측단에 입·출력 신호선을 표시하는 가상 게이트를 각각 설정하여 각 게이트 통과선 수를 최소화함으로써 수평 트랙 수를 최소로 하는 휴리스틱 알고리즘을 제안하고 실제의 논리회로를 택하여 프로그램 실험을 행함으로써 본 논문에서 제안한 알고리즘이 유용함을 보였다.

• ETRI Journal
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• 제35권4호
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• pp.603-609
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• 2013

In this paper, we present a 600-V reverse conducting insulated gate bipolar transistor (RC-IGBT) for soft and hard switching applications, such as general purpose inverters. The newly developed RC-IGBT uses the deep reactive-ion etching trench technology without the thin wafer process technology. Therefore, a freewheeling diode (FWD) is monolithically integrated in an IGBT chip. The proposed RC-IGBT operates as an IGBT in forward conducting mode and as an FWD in reverse conducting mode. Also, to avoid the destructive failure of the gate oxide under the surge current and abnormal conditions, a protective Zener diode is successfully integrated in the gate electrode without compromising the operation performance of the IGBT.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권1호
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• pp.47-49
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• 2012

In this paper, we investigated the anomalous hump in the bottom gate staggered a-IGZO TFTs. During the positive bias stress, a positive threshold voltage shift was observed in the transfer curve and an anomalous hump occurred as the stress time increased. The hump became more serious in higher gate bias stress while it was not observed under the negative bias stress. The analysis of constant gate bias stress indicated that the anomalous hump was influenced by the migration of positively charged mobile interstitial zinc ion towards the top side of the a-IGZO channel layer.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2001년도 ICCAS
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• pp.86.4-86
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• 2001

This paper presents the results of a visualization analysis of the correlation between the fiber orientation and flow pattern in injection molding using the Gate-magnetization method developed for the precise visualization of melt flow. The results of the comparisons of the fiber orientation angles with the flow patterns by the Gate-Magnetization method for GPPS mixed with glass fibers show the strong correlation between the flow patterns and fiber orientation angles. According to forward movement of the flow, the fiber orientation patterns move toward the side walls following the flow patterns. These results elucidate that fibers are oriented in the expansion process of the melt, and ...

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2013년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.413-414
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• 2013

An LLC resonant converter is widely used due to many advantages over others. However, it is still not used in high current applications because it is difficult to drive the synchronous rectifiers. In this paper, a novel gate driving sheme for secondary-side synchronous rectifiers is introduced and its simulation results are also presented

• 물과 미래
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• 제29권2호
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• pp.209-219
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• 1996

1973년 팔당 수력발전소 준공 이래로 사용하여 온 수문조작기준은, 1985년 충주 다목적댐 건설에 따른 한강홍수예경보 프로그램 개선에 따라 일부 수정을 거쳐 사용하고 있다. 그 동안 한강 종합개발 사업의 하도정비사업결과로 팔당댐 하류지역의 수면저하가 가시적으로 발생하게 되었다. 이로 인해 댐 건설당시의 낙차에 변화가 생겼고 댐하류부의 수위가 평균 3m 정도 저하되어 잠수 오리피스식 여수로인 팔당댐의 방류량 산정식에 문제점이 발생하면서 수문개방방식별 방류량의 재산정이 불가피해졌다. 본 연구에서는, 이러한 문제점을 해결하고 수문조작기준을 결정하기 위하여 수리모형실험을 통해 세가지 수문조작 방식을 비교, 검토하였다. 댐우안에 위치한 발전소 설비 및 운영에 영향을 미치지 않는 안전범위를 최우선으로 하여 방류량별, 개도형태별로 하류부에서의 유황을 관찰하였으며, 또한 수치모형으로도 하류부유황을 모의하여 검토한 결과, 좌측 수문 5개씩을 순차적으로 개방하는 방식을 가장 적절한 수문조작기준으로 결정하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.239-242
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• 1998

Ca $F_2$ films have superior gate insulator properties than conventional gate insulator such as $SiO_2$, Si $N_{x}$, $SiO_{x}$, and T $a_2$ $O_{5}$ to the side of lattice mismatch between Si substrate and interface trap charge density( $D_{it}$). Therefore, this material is enable to apply Thin Film Transistor(TFT) gate insulator. Most of gate oxide film have exhibited problems on high trap charge density, interface state in corporation with O-H bond created by mobile hydrogen and oxygen atom. This paper performed Ca $F_2$ property evaluation as MIM, MIS device fabrication. Ca $F_2$ films were deposited at the various substrate temperature using a thermal evaporation. Ca $F_2$ films was grown as polycrystalline film and showed grain size variation as a function of substrate temperature and RTA post-annealing treatment. C-V, I-V results exhibit almost low $D_{it}$(1.8$\times$10$^{11}$ $cm^{-1}$ /le $V^{-1}$ ) and higher $E_{br}$ (>0.87MV/cm) than reported that formerly. Structural analysis indicate that low $D_{it}$ and high $E_{br}$ were caused by low lattice mismatch(6%) and crystal growth direction. Ca $F_2$ as a gate insulator of TFT are presented in this paper paperaper

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제21권4호
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• pp.19-30
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• 2020

본 연구는 하천 보축제체 내부를 관통하여 설치되는 배수통문 구조물 연결부에서 누수가 발생하는 경우 구조물 측면의 침투 특성을 파악하고 이러한 측면 침투 거동에 따른 파이핑 등이 제체 안정에 미치는 영향을 분석한 수치해석적 연구이다. 측면 침투 거동을 고려하기 위해 동일한 모델에 대해 2차원 및 3차원 수치해석을 수행하였다. 그리고 측면 침투의 영향을 분석하고 수치 해석의 타당성을 평가하고자 하였다. 연구 결과, 제외지에 수문이 위치한 조건에서 누수가 발생하고 측면 침투를 고려하는 경우 구조물 누수지점 인근의 최대간극수압은 누수가 발생하지 않는 정상적인 침투 상태에 비해 절반 정도로 감소하였다. 특히 측면 침투를 고려하지 않는 경우 구조물 하부에서 과도한 간극수압 변화를 보였다. 구조물 상부와 하부의 동수경사는 고수위로 수위가 상승하면서 한계동수경사보다 큰 동수경사를 나타내고 있어 장기간 파이핑에 취약할 것으로 판단된다. 제내지에 수문이 위치하고 측면침투를 고려하지 않는 경우 동수경사와 침투유속 등 침투수의 영향은 측면침투를 고려하는 경우에 비해 과소하게 해석되었다. 수문이 제외지에 위치하고 누수가 발생하여 파이핑 발생 또는 제체 재료 유실이 우려되는 경우 측면 침투를 무시하게 되면 최대 동수경사는 상대적으로 작게 나타났다. 그리고 한계동수경사를 초과하는 기간도 짧은 시간대로 해석되었다. 결과적으로 측면 침투를 무시하게 되면 파이핑 발생 가능성을 과소하게 평가할 수 있어 주의해야 할 것으로 판단된다.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2009년도 공동학술대회
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• pp.131-132
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• 2009

컨테이너 터미널은 크게 안벽과 야드, 게이트 부문으로 나눌 수 있다. 지금까지 컨테이너 터미널의 효율성 향상을 위한 많은 연구들은 안벽 생산성과 야드 계획에 중점을 두고 있다. 게이트에 관한 기존의 연구들도 주로 RFID나 OCR을 이용한 무정차 시스템 구축과 같이 하드웨어에 관한 연구들이 대부분이었다. 그렇기 때문에 게이트에서 반출입 처리 프로세스 개선에 관한 연구는 상대적으로 미흡한 실정이다. 본 논문에서는 하드웨어적인 개선이 아니더라도 게이트에서 터미널의 작업효율을 향상시킬 수 있는 방법을 제안하고 그 효율성을 검증하겠다.