• 제목/요약/키워드: Side gate

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인천항 갑문의 운영 수준에 관한 연구 (A Study on the Operational Utilization Levels of Lock Gates in Incheon Port)

  • 구자윤
    • 한국항해항만학회지
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    • 제26권2호
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    • pp.177-182
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    • 2002
  • 인턴항의 내항에는 10K 덴 50K 갑문중 10KT 갑문의 내측문짝만이 1련만 설치되어 있는 관계로 매 3년마다 시행되는 문짝의 정기 수리 기간중 10KT 사용이 전면 중단되고 있으므로, 정부에서는 갑문운영의 효율성을 증대시키기 위하여 10KT 갑문의 내측문짝을 1련 증설하는 공사를 시행중에 있다. 본 논문에서는 이들 갑문의 현재 및 장래 운영 수준을 평가함을 목적으로 하였다. 연구결과, 갑문의 1998년도 운영 수준은 10KT는 0.2119, 50KT는 0.2061이며, 이는 10KT의 정기수리로 매3년 46.5일간 폐쇄를 고려한 것이다. 2006년의 운영수준은 0.2246(10KT), 0.2539(50KT)이며, 2011년은 0.2241(10KT), 0.2560(50KT)로 추정되었으며, 특히 50KT 갑문의 운영수준이 2011년도에 1998년도보다 24.5%가지 더욱 급격히 증가될 것으로 평가되었다.

분황사 중문지 출토 치미 연구 (A Study on the Chimi Excavated from the Middle Gate Remains of Bunhwangsa Temple)

  • 김숙경
    • 건축역사연구
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    • 제26권5호
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    • pp.19-26
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    • 2017
  • This paper aimed to identify the architectural characteristics of the chimi excavated from ancient ruins, especially middle gate remains of Bunhwangsa Temple in the Unified Silla period. Middle gate had planned $3{\times}2$ with 295mm measuring unit and gabled building. Detailed study of the shape of chimi of the middle gate restored by related field experts reveals as follows. 1) Height of chimi is 4.5(130.6cm) of Tang's system of measurement classified as large one. 2) The front and back side square hole is made for transverse timber placement. 3) Position of chimi is not the end of the ridge of roof, it moved toward the center. 4) Construction method of chimi is structured with smaller beam and center column. 5) Width and height of the ridge is less than 38cm and 54cm to be approximately, Width and height of the gabled ridge is less than 38cm and 50cm. 6) This chimi is considered to be very unique when compared to existing ancient restored chimis, it is designed to be advantageous to the chimi construction.

태양광 분산형 최대전력점 추적 제어를 위한 고전압 게이트 드라이버 설계 (A Design of Gate Driver Circuits in DMPPT Control for Photovoltaic System)

  • 김민기;임신일
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제19권3호
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    • pp.25-30
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    • 2014
  • 본 논문에서는 태양광시스템의 분산형 최대 전력점 추적(DMPPT)을 제어하는 게이트 드라이버 회로를 설계하였다. 그림자가 생긴 모듈에서도 최대 전력점을 추적할 수 있는 분산형 방식(DMPPT) 방식을 구현 하였으며, 각각의 모듈 내부에 DC-DC 변환기를 구동하기 위한 고전압 게이트 구동회로를 설계하였다. 태양광 시스템의 내부는 12비트 ADC, PLL, 게이트 드라이버가 내장 되어 있다. 게이트 드라이버의 하이 사이드 레벨 쉬프터에 숏-펄스 발생기를 추가하여 전력소모와 소자가 받는 스트레스를 줄였다. BCDMOS 0.35um 공정을 사용하여 구현하였으며 최대 2A 전류를 감달 할 수 있고, 태양 광 전압 최대 50V까지 받을 수 있도록 설계하였다.

The Impact of Gate Leakage Current on PLL in 65 nm Technology: Analysis and Optimization

  • Li, Jing;Ning, Ning;Du, Ling;Yu, Qi;Liu, Yang
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제12권1호
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    • pp.99-106
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    • 2012
  • For CMOS technology of 65 nm and beyond, the gate leakage current can not be negligible anymore. In this paper, the impact of the gate leakage current in ring voltage-controlled oscillator (VCO) on phase-locked loop (PLL) is analyzed and modeled. A voltage -to-voltage (V-to-V) circuit is proposed to reduce the voltage ripple on $V_{ctrl}$ induced by the gate leakage current. The side effects induced by the V-to-V circuit are described and optimized either. The PLL design is based on a standard 65 nm CMOS technology with a 1.8 V power supply. Simulation results show that 97 % ripple voltage is smoothed at 216 MHz output frequency. The RMS and peak-to-peak jitter are 3 ps and 14.8 ps, respectively.

이중 일함수 구조를 적용한 N-채널 EDMOS 소자의 항복전압 및 온-저항 특성 (Breakdown Voltage and On-resistance Characteristics of N-channel EDMOS with Dual Work Function Gate)

  • 김민선;백기주;김영석;나기열
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제25권9호
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    • pp.671-676
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    • 2012
  • In this paper, TCAD assessment of 30-V class n-channel EDMOS (extended drain metal-oxide-semiconductor) transistors with DWFG (dual work function gate) structure are described. Gate of the DWFG EDMOS transistor is composed of both p- and n-type doped region on source and drain side. Additionally, lengths of p- and n-type doped gate region are varied while keeping physical channel length. Two-dimensional device structures are generated trough TSUPREM-4 and their electrical characteristics are investigated with MEDICI. The DWFG EDMOS transistor shows improved electrical characteristics than conventional device - i.e. higher transconductance ($g_m$), better drain output current ($I_{ON}$), reduced specific on-resistances ($R_{ON}$) and higher breakdown characteristics ($BV_{DSS}$).

조선초기 경복궁의 공간구조성과 6조대로 - 광화문 앞의 행사와 그 의미 - (The Spatial Organization of Gyeongbok Palace and The Six Ministries A venue in the Early Joseon Dynasty - The Ceremony at the Main Gate and its Meaning -)

  • 김동욱
    • 건축역사연구
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    • 제17권4호
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    • pp.25-42
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    • 2008
  • The Gyeongbok Palace was completed during the reign of King Taejo and King Sejong in the early Joseon Dynasty. The most remarkable spacious feature of the palace is that it has an inner palace wall without an outer palace wall. The absence of the outer palace wall had its origin in the palace of the late Goryeo Dynasty which did not provide the outer palace wall. Gwanghwamoon was the main gate of the palace, and the office buildings of the Six Ministries were arranged on the right side in front of the main gate. A wide road called Six Ministries Avenue was made between the builidings. The avenue was completed during the reign of the third king of Joseon, Taejong, and it was assumed that this arrangement was influenced by the government office arrangements of Nanjing, the early capital city of the Ming Dynasty. Gwanghwamoon held national rituals as well as the civic and military state examinations nations in front of the gate. The avenue was decorated with flowers and silks when kings and the royal families, or Chinese envoys enter the gate, and the civilians watched the parade, Because there was no outer palace wall, all the events held at Gwanghwamoon and the Six Ministries Avenue ware opened to the public, it was the unique feature of Gyeongbok Palace that the palaces of Goryeo dynasty and China did not have.

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상부 콘크리트 구조물이 없는 소형 수문 시스템 개발 (The Development of Small Sluice gate systems without Upper Concrete structure)

  • 국정한;김기선
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제12권11호
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    • pp.4738-4744
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    • 2011
  • 본 연구는 상부에 설치되는 콘크리트 구조물 없이 설치되어 작동하는 새로운 소형 수문 시스템을 제안하였다. 주요 메커니즘은 유압시스템, 수문 상하 이송 메커니즘, 수문 잠금 제어장치, 이물질이 감지되면 수문이 파손되지 않도록 하는 안전장치 등으로 구성하였다. 유압 펌프 및 제어 시스템은 수문 시스템의 위치에서 떨어진 장소에 설치하여 상부 구조물을 제거할 수 있도록 하여 제어 하였다. 수문 인양 장치는 유압 액추에이터가 달린 래크와 피니언이 측면에 설치되어 작동되며 그 결과 제품의 원가 절감, 작동시 안전성 확보 및 제품의 컴팩트화를 구현하였다.

화순 홍수조절지의 유입유출 구조물에 대한 수리모형실험 연구 (Experimental Study on the Inflow and Outflow Structures of Hwasun Flood Control Reservoir)

  • 이상화;진광호;류종현;김수근
    • 한국수자원학회논문집
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    • 제45권7호
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    • pp.675-684
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    • 2012
  • 최근 기상변화에 의한 집중호우는 하천의 통수능력을 초과하는 홍수를 발생시키고 있다. 하천의 폭이 제한된 상태에서 이러한 초과 홍수에 대비할 수 있는 관리방법은 제방증고, 저류지 및 방수로 건설, 하상 준설 등을 생각할 수 있다. 천변저류지인 화순홍수조절지는 저류지와 수위조절을 위한 제수문이 설계되어 있다. 본 연구는 저류지 운영시간동안 일정 홍수량만을 배제해야 할 상황에 대해 설계의 적정성을 수리모형실험을 통해 검토하였다. 검토결과 저류지 유입부의 횡월류위어 월류량은 설계상의 월류량을 초과하였고, 제수문 1.1m 개방시 설계유량($326m^3/s$)을 방류할 수 있는 것으로 나타났다. 설계유량 방류시 제수문 직하류에 7.19m/s의 고유속은 baffle block을 설치할 경우 3.3m/s까지 저감시킬 수 있는 것으로 검토되었다.

Trapezoidal Gate 구조를 이용한 AlGaN/GaN HEMT의 DC 및 고내압 특성 연구

  • 김재무;김동호;김수진;정강민
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.151-151
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    • 2008
  • 갈륨-질화물(GaN) 기반의 고속전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT)는 마이크로파 또는 밀리미터파 등과 같은 고주파 대역의 통신시스템에 널리 사용되는 전자소자로 각광받고 있다. GaN HEMT는 AlGaN/GaN 또는 AlGaN/InGaN/GaN 등과 같은 이종접합구조(heterostructure)로부터 발생하는 이차원 전자가스(two-dimensional electron gas, 2DEG) 채널을 이용하여 캐리어 구속효과(carrier confinement) 및 이동도의 향상이 가능하다. 또한 높은 2DEG 채널의 면밀도(sheet concentration) 와 전자의 포화 속도(saturation velocity)를 바탕으로 고출력 동작이 가능하여 차세대 이동통신용 전력 증폭기로 주목받고 있다. 그러나 이론적으로 우수한 특성과 달리, 실제 소자에서는 epi 성장시의 결함이나 전위, 표면 상태에 따른 2DEG 감소 등의 영향으로 이론보다 높은 누설 전류와 낮은 항복 전압 특성을 가진다. 특히, 기존의 GaN HEMT 구조에서는 Drain-Side Gate Edge에서의 전계 집중이 항복 전압 특성에 미치는 영향이 크다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 Trapezoidal Gate구조를 이용하여 Drain 방향의 Gate Edge가 완만히 변하는 구조를 제안하였다. 이를 위해 $ATLAS^{TM}$ 전산모사 프로그램을 이용하여 Trapezoidal Gate 구조를 구현하여 형태에 따른 전류-전압 특성 및 소자의 스위칭 특성 및 Gate 아래 채널층에 형성되는 Electric Field의 분산을 조사하고, 이를 바탕으로 고속 동작 및 높은 항복 전압을 갖는 AlGaN/GaN HEMT의 최적화된 구조를 제안하였다. 새로운 구조의 Gate를 적용한 AlGaN/GaN HEMT는 Gate edge에서의 전계를 분산시켜 피크 값이 감소되는 것을 확인하였다.

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조력발전과 해류발전을 겸하는 통합발전시스템 (Integrated Power System Combining Tidal Power and Ocean Current Power)

  • 장경수;이정은
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.270-273
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    • 2008
  • The integrated power system combining a tidal power plant and two ocean current power parks is suggested. It is characterized by the set up of an ocean current power park in the lake side by installing a number of ocean current turbines generating electricity by using sea water flow discharged into the lake side from the turbine generator of a tidal power plant and an ocean current power park in the sea side by installing a number of ocean current turbines generating electricity by using sea water flow exiting into the sea side through the sluice gate from the lake side. The vision of the integrated power system is demonstrated by the simple theory and simulation results of the SIWHA Tidal Power Plant. And it is shown that the newly proposed integrated power system combining tidal power and ocean current power can produce very high economical benefits.

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