• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.439-444
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• 2005

We investigated the structural and electrical properties of BLT films grown on Si covered with $ZrO_{2}$ buffer layer. The BLT thin film and $ZrO_{2}$ buffer layer were fabricated using a metalorganic decomposition method. The electrical properties of the MFIS structure were investigated by varying thickness of the $ZrO_{2}$ layer. AES and TEM show no interdiffusion and reaction that suppressed using the $ZrO_{2}$ film as a buffer layer The width of the memory window in the C-V curves for the MFIS structure decreased with increasing thickness of the $ZrO_{2}$ layer. It is considered that the memory window width of MFIS is not affected by remanent polarization. Leakage current density decreased by about four orders of magnitude after using $ZrO_{2}$ buffer layer. The results show that the $ZrO_{2}$ buffer layers are prospective candidates for applications in MFIS-FET memory devices.

• 한국진공학회지
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• 제12권4호
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• pp.214-217
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• 2003

본 연구에서는 박막 증착시 발생되는 $\gamma$-전자와 같은 고에너지 입자들의 막 충돌에 의한 손상이 적은 대향타겟식 스퍼터링 장치를 이용하여 $SiO_2$/Si 기판강에 ZnO 박막을 제작하였으며, 막의 결정성에 악 영향을 미치는 초기 성장층을 제어 할 수 있는 ZnO buffer-layer를 도입하여 박막의 결정학적 특성을 알아보았다. 제작된 박막의 결정성 및 c-축 우선배향성은 XRD를 사용하여 측정하였다. 측정 결과 ZnO buffer layer의 두께 10, 20 nm와 가스압력 1 mTorr일 때 ZnO 박막의 결정성이 가장 우수함을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제20권1호
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• pp.50-56
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• 2011

본 논문에서는 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 기반 이종접합 다이오드 전류 특성에 대한 연구가 진행되었고, b-ZnO (ZnO buffer layer) 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 p-Si(111) 기판 위에 증착시킨 ZnO 박막의 구조적, 전기적 특성 또한 연구되었다. X-ray diffraction (XRD) 방법을 이용하여 ZnO 박막의 구조적 특성을 측정하였고, semiconductor parameter analyzer를 이용하여 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 I-V 특성을 평가하였다. XRD 분석 결과 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$, 버퍼막 두께 70 nm에서 ZnO 박막은 우세한 (002) 방향의 c-축 배향성을 갖는 육방정계(hexagonal wurtize) 결정 구조를 나타내었다. 전기적 특성인 운반자 농도, 비저항 값의 경우에는 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$, 버퍼막 두께 50 nm에서 우수한 전기적 특성(비저항: $2.58{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$, 운반자 농도: $1.16{\times}10^{20}[cm^{-3}]$)을 보였다. 또한 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 전류 특성은 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$에서 버퍼막 두께가 증가할수록 전류 특성이 향상되는 경향을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제21권1호
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• pp.34-38
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• 2011

In this study, the effects of an annealed buffer layer with different thickness on heterojunction diodes based on the ZnO/ZnO/p-Si(111) systems were reported. The effects of an annealed buffer layer with different thickness on the structural, optical, and electrical properties of zinc oxide (ZnO) films on p-Si(111) were also studied. Before zinc oxide (ZnO) deposition, different thicknesses of ZnO buffer layer, 10 nm, 30 nm, 50 nm and 70 nm, were grown on p-Si(111) substrates using a radio-frequency sputtering system; samples were subsequently annealed at $700^{\circ}C$ for 10 minutes in $N_2$ in a horizontal thermal furnace. Zinc oxide (ZnO) films with a width of 280nm were also deposited using a radio-frequency sputtering system on the annealed ZnO/p-Si (111) substrates at room temperature; samples were subsequently annealed at $700^{\circ}C$ for 30 minutes in $N_2$. In this experiment, the structural and optical properties of ZnO thin films were studied by XRD (X-ray diffraction), and room temperature PL (photoluminescence) measurements, respectively. Current-voltage (I-V) characteristics were measured with a semiconductor parameter analyzer. The thermal tensile stress was found to decrease with increasing buffer layer thickness. Among the ZnO/ZnO/p-Si(111) diodes fabricated in this study, the sample that was formed with the condition of a 50 nm thick ZnO buffer layer showed a strong c-axis preferred orientation and I-V characteristics suitable for a heterojunction diode.

• 한국세라믹학회지
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• 제52권1호
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• pp.72-76
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• 2015

150-nm-thick In-Zn-Tin-Oxide (IZTO) films were deposited by RF magnetron sputtering after a 10 to 50-nm-thick $SiO_2$ buffer layer was deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on polyethylene terephthalate (PET) substrates. The electrical, structural, and optical properties of the IZTO/$SiO_2$/PET films were analyzed with respect to the thickness of the $SiO_2$ buffer layer. The mechanical properties were outstanding at a $SiO_2$ thickness of 50 nm, with a resistivity of $1.45{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$, carrier concentration of $8.84{\times}10^{20}/cm^3$, hall mobility of $4.88cm^2/Vs$, and average IZTO surface roughness of 12.64 nm. Also, the transmittances were higher than 80%, and the structure of the IZTO films were amorphous, regardless of the $SiO_2$ thickness. These results indicate that these films are suitable for use as a transparent conductive oxide for transparency display devices.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.24-28
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• 2010

We have proposed an Buffer layer to improve the transmittance of ITO. Here, $SiO_2$ and $TiO_2$ were selected as the Buffer layer coating material. The structures of Buffer layer were designed in ITO/$SiO_2/TiO_2$/Glass and ITO/Glass/$TiO_2/SiO_2$. Then, these materials were deposited by ion-assisted deposition system. Transmittances of deposited ITO were 86.14 and 85.07%, respectively. These results show that the proposed structure has higher transmittance than the conventional ITO device.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권2호
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• pp.104-109
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• 2005

PbO 완충층의 역할을 확인하기 위해, r.f. magnetron sputtering법을 이용하여 p-type (100) Si 기판 위에 $Pt/Pb_{1.1}Zr_{0.53}Ti_{0.47}O_{3}$와 PbO target으로 Pt/PZT/PbO/Si의 MFIS 구조를 제조하였다. MFIS 구조에 완충층으로 PbO를 삽입함으로써 PZT 박막의 결정성이 크게 향상되었고, 박막의 공정온도도 상당히 낮출 수 있었다. 그리고 XPS depth profile 분석 결과, PbO 증착시 기판온도가 PbO와 Si의 계면에서 Pb의 확산에 미치는 영향을 확인하였다. PbO 완충층을 삽입한 MFIS는 높은 메모리 윈도우와 낮은 누설전류 밀도를 가지는 추수한 전기적 특성을 나타내었다. 특히, 기판온도 $300^{\circ}C$에서 증착된 PbO를 삽입한 Pt/PZT(200nm, $400^{\circ}C)PbO(80nm)/Si$는 9V의 인가전압에서 2.OV의 가장 높은 메모리 윈도우 값을 나타내었다.

• 한국자기학회지
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• 제9권6호
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• pp.306-311
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• 1999

Water-based sol-gel 법으로 La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)/YSZ/SiO2/Si(100) 다결정체 박막을 제조하여 YSZ 중간층 도입에 따른 상온, 120 Oe의 저 자장영역에서 측정한 tunnel-type 자기저항 변화에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. 페롭스카이트 단일상을 갖는 미세한 LSMO 박막을 얻을 수 있었으며, YSZ 중간층을 도입하지 않은 박막의 자기저항 변화비는 최대 약 0.20%이었으나, YSZ 중간층을 도입한 경우 자기저항비가 0.42%로 증가하였다. 이러한 tunnel-type 자기저항의 증가 현상은 YSZ 중간층이 SiO2/Si(100) 기판과 La2/3Sr1/3MnO. 자성박막 사이에서 확산 장벽층으로서의 역할을 수행하여 LSMO 박막의 미세구조 특성 향상 및 확산반응에 의하여 생성된 dead layer를 감소시켜 나타난 결과이다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권2호
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• pp.206-211
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• 2003

Sol-gel 공정으로 제조된 YMnO$_3$박막의 결정상과 강유전특성에 미치는 기판종류와 버퍼층의 영향에 대하여 고찰하였다. Si(1OO) 기판위에는 hexagonal YMnO$_3$이 형성되었으나 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판위에는 hexagonal과 orthorhombic YMnO$_3$이 함께 형성되었다. 기판위에 미리 $Y_2$O$_3$버퍼층을 형성시킨 경우에는 Si(100)와 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 두가지 기판 모두 단일 hexagonal YMnO$_3$이 성장하였으며, 특히 c-축 배향성이 향상되었다. 박막내에 hexagonal과 orthorhombic YMnO$_3$이 혼재된 시편보다는 hexagonal 단일상이 형성된 시편이, 또한 단일상 시편중에서도 c-축 우선배향성이 좋은 시편이 그렇지 않은 시편에 비해 누설전류밀도 특성이 우수하였다. YMnO$_3$박막의 잔류분극값은 Si(100)기판을 사용했을 경우, 버퍼층 없이 제조된 시편은 0.14, 버퍼층이 삽입된 시편은 0.24$\mu$C/$ extrm{cm}^2$의 값을 나타내었다 한편 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판의 경우, 버퍼층 없이 형성된 YMnO$_3$시편은 이력곡선을 보여주지 못하였고, 버퍼층이 삽입된 시편은 1.14$\mu$C/$\textrm{cm}^2$의 잔류분극값을 나타내었다. 이상의 연구를 통하여 기판의 종류와 $Y_2$O$_3$버퍼층 삽입으로 YMnO$_3$박막의 결정상과 배향성을 제어함으로서 박막시편의 누설전류밀도 특성 및 강유전특성을 제어할 수 있음을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1277-1279
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• 1994

In the structure of ZnO/nip-SiC: H/metal substrate amorphous silicon (a-Si:H) solar cells, the effects of inserting a rear textured ZnO in the p-SiC:H/metal interface and a graded bandgap buffer layer in the i/p-SiC:H have been analysed by computer simulation. The incident light was taken to have an intensity of $100mW/cm^2$(AM-1). The thickness of the a-Si:H n, ${\delta}$-doped a-SiC:H p, and buffer layers was assumed to be $200{\AA},\;66{\AA}$, and $80{\AA}$, respectively. The scattering coefficients of the front and back ZnO were taken to be 0.2 and 0.7, respectively. Inserting the rear buffer layer significantly increases the open circuit voltage($V_{oc}$) due to reduction of the i/p interface recombination rate. The use of textured ZnO markedly improves collection efficiency in the long wavelengths( above ${\sim}550nm$ ) by back scattering and light confinement effects, resulting in dramatic enhancement of the short circuit current density($J_{sc}$). By using the rear buffer and textured ZnO, the i-layer thickness of the ceil for obtaining the maximum efficiency becomes thinner(${\sim}2500{\AA}$). From these results, it is concluded that the use of textured ZnO and buffer layer at the backside of the ceil is very effective for enhancing the conversion efficiency and reducing the degradation of a-Si:H pin-type solar cells.