• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.121-124
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• 2004

We have grown GaN layers with in-situ SiN mask by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) and study the physical properties of the GaN layer. We have also investigate the effect of the SiN mask on its optical property. By inserting a SiN mask, (102) the full width at half maximum(FWHM) decreased from 480 arcsec to 409 arcsec. The PL intensity of GaN with SiN mask improved 2 times to that without SiN mask. We have thus shown that the SiN mask improved significantly the physical and optical properties of the GgN layer.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.04b
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• pp.97-100
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• 2004

We have grown GaN layers with in-situ SiN mask by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and study the characteristic of the GaN layer. We have changed the deposition time of SiN mask from 45s to 5min and obtain th optimum condition in 45s. The PL intensity of GaN with SiN mask improved 2 times to that without SiN mask and the carrier concentraion increased from $3.5{\times}10^{16}cm^{-3}$ to $1.8{\times}10^{17}cm^{-3}$. We have thus shown that the SiN mask improved significantly the optical properties of the GaN layer.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.18 no.6
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• pp.582-586
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• 2005

We have grown GaN layers with in-situ SiN mask by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and study the physical properties of the GaN layer. We have also investigate the effect of the SiN mask on its optical property. By inserting a SiN mask, (102) the full width at half maximum (FWHM) decreased from 480 arcsec to 409 arcsec and threading dislocation (TD) density decreased from $3.21\times10^9\;cm^{-2}\;to\;9.7\times10^8\;cm^{-2}$. The PL intensity of GaN with SiN mask improved 2 times to that without SiN mask. We have thus shown that the SiN mask improved significantly the physical and optical properties of the GaN layer.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.18 no.10
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• pp.945-949
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• 2005

We have grown GaN layers with in-situ SiN mask by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and study the physical properties of the GaN layer. We have also fabricate PN junction light emitting diode (LED) to investigate the effect of the SiN mask on its optical property By inserting a SiN mask, (102) the full width at half maximum (FWHM) decreased from 480 arcsec to 409 arcsec and threading dislocation (TD) density decreased from $3.21{\times}10^9\;cm^{-2}$ to $9.7{\times}10^8\;cm^{-2}$. The output power of the LED with a SiN mask increased from 198 mcd to 392 mcd at 20 mA. We have thus shown that the SiN mask improved significantly the physical and optical properties of the GaN layer.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.10a
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• pp.102-102
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• 1997

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07c
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• pp.1760-1762
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• 2000

본 논문은 기존의 $Si_{3}N_4$, SiN 물질 대신 Pt를 사용해 HF 용액속에서 다공질 실리콘과 전극을 동시에 형성하는 기술을 개발하였다. Pt를 실리콘 웨이퍼 위에 직접 증착한 후 습식 에칭과 Lift-off 공정을 사용하여 Pt를 패터닝하였다. 습식 에칭은 에칭용액의 온도를 일정하게 유지하는 것이 중요하며, 증착한 Pt 박막이 BOE 에칭에 견디고, Lift-off 공정이 가능하기 위해서는 기판온도를 l100$^{\circ}C$ 이하로 해야한다. Pt를 사용하면 기존의 mask에서 발생하는 가장자리 부분에서의 전류 집중이 방지되기 때문에 다공질 실리콘이 일정한 깊이로 형성되고, Al대신 오믹 전극으로 사용할 수 있다. 현재 Pt를 mask와 전극으로 이용한 P-I-N UV detector, 광 바이오센서, 습도센서 제작등에 응용 연구가 진행되고 있다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.32A no.12
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• pp.115-121
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• 1995

A mask for x-ray lithography is fabricated with SiN membrane and WTi absorber. SiN membrane is deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition, and the stress of SiN membrane is controlled to be less than 100 MPa by rapid thermal annealing. WTi absorber is reactively deposited by DC-magnetron type sputter, and the working gases are argon and nitrogen. Added nitrogen is contributed to the stress of WTi absorber. The stress of WTi absorber is controlled to be less than $\pm$ 100 MPa by controlling the deposition pressure. 10$\mu$m WTi pattern is delineated on SiN membrane by dry etching technique.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.37.1-37.1
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• 2011

1990년 나카무라 연구팀에서 청색이 개발된 이래로 LED는 눈부시게 발전해 왔으며, 청색 LED로 인하여 조명용 백색 LED가 급격히 발전하고 있다. 현재까지 개발되고 있는 조명용 백색 LED는 통상적으로 c축 방향의 사파이어 기판위에 GaN film을 성장하여 제작하지만 원천적으로 생기는 자발분극과 압전분극 영향 때문에 양자우물에서의 밴드를 기울게 만들고 이것은 캐리어 재결합율을 감소시켜 그 결과 양자 효율을 낮춘다. 이러한 근본적인 문제를 해결하기 방안은 사파이어 기판에서 c-plane이외의 결정면에서 무분극(혹은 반극성) GaN LED를 성장하여 양자효율을 극대화하여 고효율 LED를 구현할 수 있음. 본 연구에서는 Carbonization mask를 이용하여 r-plane sapphire기판상에 a-plane GaN의 ELOG성장 방법에 대하여 연구하였다. Carbonization mask를 이용하면 기존에 사용되던 SiOx 나 SiNx 막을 사용하지 않고 mask를 만들 수 있다는 장점을 가지고 있으며, 이러한 mask를 이용하여 r-plane sapphire위에 ELOG법을 이용한 a-plane GaN을 성장할 수 있음을 실험을 통해 보이려 한다. ELOG 성장이 이루어 지는지 확인을 위하여 SEM을 통하여 ELOG가 되는 과정을 분석하였으며, 표면의 거칠기를 알아보기 위하여 AFM측정을 시행하였다. 실험 결과 약 20 um 두께로 성장되면서 merge가 되는 것을 확인 하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07g
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• pp.3276-3278
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• 1999

LIGA 기술을 제품의 대량생산에 적용하기 위해서는 한번에 넓은 면적을 노광할 수 있는 X-ray 마스크가 요구된다. 기존에 널리 사용되고 있는 SiN 멤브레인 마스크는 내구성이 좋지 않고 면적을 크게하기 어렵다. 따라서 본 연구에서는 이러한 단점을 보완하기 위해 상용 graphite sheet를 이용하여 X-ray 마스크를 제작하였다. 제작된 graphite 마스크와 SiN 마스크를 이용하여 동일한 조건에서 X-ray 노광 실험을 하였고 마스크의 외형변화를 관찰하였다. 그 결과 SiN 마스크는 에너지 2.3GeV, 평균 전류 110mA에서 약 18시간 만에 파괴되었으나 graphite mask는 60시간 경과 후에도 육안상의 변화는 관찰되지 않았다. 또한 graphite 마스크를 이용하여 제작된 미세구조물의 치수측정결과 오차가 $1{\mu}m$ 미만인 정밀한 구조물 제작이 가능함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.250-251
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• 2009

For the fabrication of a multilevel resist (MLR) based on a very thin amorphous carbon (a-C) layer an $Si_{3}N_{4}$ hard-mask layer, the selective etching of the $Si_{3}N_{4}$ layer using physical-vapor-deposited (PVD) a-C mask was investigated in a dual-frequency superimposed capacitively coupled plasma etcher by varying the following process parameters in $CH_{2}F_{2}/H_{2}/Ar$ plasmas : HF/LF powr ratio ($P_{HF}/P_{LF}$), and $CH_{2}F_{2}$ and $H_2$ flow rates. It was found that infinitely high etch selectivities of the $Si_{3}N_{4}$ layers to the PVD a-C on both the blanket and patterned wafers could be obtained for certain gas flow conditions. The $H_2$ and $CH_{2}F_{2}$ flow ratio was found to play a critical role in determining the process window for infinite $Si_{3}N_{4}$/PVDa-C etch selectivity, due to the change in the degree of polymerization. Etching of ArF PR/BARC/$SiO_x$/PVDa-C/$Si_{3}N_{4}$ MLR structure supported the possibility of using a very thin PVD a-C layer as an etch-mask layer for the $Si_{3}N_{4}$ layer.