Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2009.05a
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- Pages.250-251
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- 2009
Effects of $CH_{2}F_{2}$ and $H_2$ flow rates on process window for infinite etch selectivity of silicon nitride to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled plasmas
- Kim, Jin-Seong ;
- Gwon, Bong-Su ;
- Park, Yeong-Rok ;
- An, Jeong-Ho ;
- Mun, Hak-Gi ;
- Jeong, Chang-Ryong ;
- Heo, Uk ;
- Park, Ji-Su ;
- Lee, Nae-Eung
- 김진성 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 권봉수 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 박영록 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 안정호 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 문학기 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 정창룡 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 허욱 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 박지수 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 이내응 (성균관대학교 신소재공학부)
- Published : 2009.05.27
Abstract
For the fabrication of a multilevel resist (MLR) based on a very thin amorphous carbon (a-C) layer an
Keywords