• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권5호
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• pp.11-16
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• 2006

본 연구는 SiOC 박막의 비정질 정도와 유전상수와의 상관성에 관하여 정리하고 있다. 고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의해 증착된 SiOC 박막은 bistrimethyl- silylmethane와 산소가 혼합된 개스 소스의 유량비를 다르게 하였다. 증착된 박막과 $400^{\circ}C$ 열처리된 박막은 XRD분석방법을 적용하여 비정질도를 유추하였다. 적량분석을 위해서 각 시료들의 회절패턴을 푸리에 해석에 의해 동경분포함수로 변환하고 비교하였다. 열처리한 박막의 비정질도는 증착한 박막에 비하여 결정도가 높았다. 유량비에 따라서 유전상수가 변하였으며, 유전상수는 열처리 후 비정질도가 가장 큰 박막에서 가장 낮게 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.169.2-169.2
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• 2013

본 연구에서는 gas를 이용한 PECVD 공법중 이온화 에너지가 높고 대면적 코팅이 용이한 Hybrid 코팅 장비에서 Linear Ion-Gun 이용하여 탄화수소 계열의 gas인 $C_2H_2$ 와 Si을 함유한 TMS (tetramethylsilane, $Si(CH_3)_4)$ gas를 이용하여 저마찰, 고경도 특성을 갖는 Si-DLC 코팅에 대한 연구를 수행하였다. Si-DLC 코팅에 앞서 전처리 공정으로 Linear Ion-Gun에 Ar gas를 주입하고 고전압의 DC 전원을 인가하여 제품 표면의 건식세정 및 표면 활성화를 진행 후, $C_2H_2$ 와 TMS gas를 Linear Ion-Gun에 주입하여 Si-DLC 코팅 공정을 진행하였다. Si-DLC 코팅시 $C_2H_2$ gas 주입량을 고정하고 TMS 가스 유량을 5~20sccm으로 조절하여 Si 함유량에 따른 Si-DLC 코팅막의 특성을 분석하였다. 이렇게 코팅된 Si-DLC의 박막 특성 분석으로 마찰계수 측정을 위해 ball-on-disk 타입의 tribometer를 사용하였으며, 박막 경도 측정은 Nano-indenter를 이용하여 분석을 진행하였다. 그 결과 Si을 포함하지 않는 DLC의 경우 마찰계수가 ~0.2를 가지는 반면, Si-DLC의 경우 Si 함유량이 약 1.5at%일 때, 마찰계수 ~0.04 저마찰의 우수한 특성을 지니며, 박막의 경도는 22[Gpa]로 고경도의 Si-DLC 코팅을 확인할 수 있었다.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제26권6_1호
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• pp.967-976
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• 2023

Currently, with the thriving development in the field of solar energy, the widespread adoption of solar grid-connected power conversion systems is rapidly expanding. As the market continues to grow, the efficiency of solar power conversion systems is steadily increasing, while prices are rapidly decreasing. Photovoltaic panels often produce low output voltages, and Boost converters are commonly employed to elevate and stabilize these voltages. They are also utilized for implementing Maximum Power Point Tracking (MPPT), ensuring the full utilization of solar power generation. Recently, synchronous control techniques have been introduced, using controllable switching devices like Si IGBT or SiC MOSFET to replace the diodes in the original circuits. However, this has raised concerns related to costs. This paper offers a compromise solution, considering both the performance and economic factors of the converter. It proposes a hybrid high-efficiency synchronous converter structure that combines Si IGBT and SiC MOSFET. Additionally, the proposed topology has been practically implemented and tested, with results confirming its feasibility and cost-effectiveness.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권8호
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• pp.1-4
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• 2011

SiOC 박막과 같은 유무기 하이브리드 저유전 물질에서의 열처리효과에 의한 전기적인 특성의 변화와 유전상수에 관하여 연구하였다. SiOC 박막은 분극에 따른 특성을 분석하기 위해서 TMS과 산소의 혼합가스를 이용한 CVD방법에 의하여 증착되었으며, 300~500도까지 변화하면서 열처리를 하였다. SiOC 박막은 열처리에 의하여 유전상수는 더욱 낮아지며, 400도에서 열처리 한 경우 전기적인 특성이 우수한 것을 확인하였다. XRD 패턴에 의하면 300도이하에서 열처리한 박막과 400도 이상에서 열처리 한 경우 결합구조가 달라지는 것을 알 수 있고 400도 근처에서 급격한 변화가 일어나고 있는 것을 확인하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 추계학술대회 초록집
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• pp.161-162
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• 2009

하이브리드 코팅장비를 이용해 WC-CO기판위에 Ti-Si-N박막을 증착 시켰다. 이 연구는 Ti-Si-N박막의 기계적 성질에 온도와 바이어스가 미치는 영향에 대해 실험을 하였다. 증착온도가 $300^{\circ}C$까진 Ti-Si-N박막의 미세경도와 탄성률은 증가했지만 증착온도가 $300{\sim}350^{\circ}C$에서는 탄성률은 감소하고 결정 성장으로 인해 미세경도는 감소하였다. 기판 바이어스는 박막과 미세구조에 압축 잔류 응력을 야기 시킨다. 그러나 기판바이어스가 -400V 이상에서는 re-sputtering에 의해 Si함량이 감소한다. Ti-Si-N 박막의 가장 우수한 기계적 성질은 $300^{\circ}C$, -100V에서 얻을 수 있었다.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.20-23
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• 2014

We have grown $MgB_2$ on SiC buffer layer by using metallic Hastelloy tape as the substrate. Hastelloy tape was chosen for its potential practical applications, mainly in the power cable industry. SiC buffer layers were deposited on Hastelloy tapes at 400, 500, and $600^{\circ}C$ by using a pulsed laser deposition method, and then by using a hybrid physical-chemical vapor deposition technique, $MgB_2$ films were grown on the three different SiC buffer layers. An enhancement of critical current density values were noticed in the $MgB_2$ films on SiC/Hastelloy deposited at 500 and $600^{\circ}C$. From the surface analysis, smaller and denser grains of $MgB_2$ tapes are likely to cause this enhancement. This result infers that the addition of SiC buffer layers may contribute to the improvement of superconducting properties of $MgB_2$ tapes.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.1-4
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• 2015

Production of $MgB_2$ film on metallic Hastelloy with SiC as the buffer layer was achieved by means of hybrid physical-chemical vapor deposition technique, whereas SiC buffer layers with varied thickness of 170 and 250 nm were fabricated inside a pulsed laser deposition chamber. Superconducting transition temperature and critical current density were verified by transport and magnetic measurement, respectively. With SiC buffer layer, the reduced delaminated area at the interface of $MgB_2$-Hastelloy and the slightly increased $T_c$ of $MgB_2$ tapes were clearly noticed. It was found that the upper critical field, the irreversibility field and the critical current density were reduced when $MgB_2$ tapes were buffered with SiC buffer layer. Clarifying the mechanism of SiC buffer layer in $MgB_2$ tape in affecting the superconducting properties is considerably important for practical applications.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권2호
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• pp.13-17
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• 2006

Pentacene channel PTFT(organic thin film transistor)을 SiOC 절연박막 위에서 thermal evaporation 방법을 이용하여 성장시켰다. CVD 방법으로 증착시킨 SiOC 절연막은 조성비에 따라 특성이 달라지므로 절연막 위에서의 펜타센의 화학적 반응을 조사하기 위해서 inorganic-type인 $O_2/(BTMSM+O_2)=0.5$의 비율을 갖는 SiOC 박막을 사용하였다. 펜타센 분자의 말단에서 SiOC 표면에서 Diels-Alder 반응에 의한 이중결합이 깨어지면서 안정된 성장을 하지만 온도가 높아감에 따라 표면에서의 $SN_2(bimolecular nucleophilic substitution)$ 반응과 연쇄적인 화학반응에 의해 .펜타센의 성장을 방해하는 것으로 나타났다.

• Progress in Superconductivity
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• 제14권1호
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• pp.30-33
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• 2012

We have grown $MgB_2$ superconducting thin films on the SiC buffer layers by means of hybrid physical-chemical vapor deposition (HPCVD) technique. Prior to that, SiC was first deposited on $Al_2O_3$ substrates at various temperatures from room temperature to $600^{\circ}C$ by using the pulsed laser deposition (PLD) method in a vacuum atmosphere of ${\sim}10^{-6}$ Torr pressure. All samples showed a high transition temperature of ~40 K. The grain boundaries of $MgB_2$ samples with SiC layer are greater in amount, compare to that of the pure $MgB_2$ samples. $MgB_2$ with SiC buffer layer samples show interesting change in the critical current density ($J_c$) values. Generally, at both 5 K and 20 K measurements, at lower magnetic field, all $MgB_2$ films deposited on SiC buffer layers have low $J_c$ values, but when they reach higher magnetic fields of nearly 3.5 Tesla, $J_c$ values are enhanced. $MgB_2$ film with SiC grown at $600^{\circ}C$ has the highest $J_c$ enhancement at higher magnetic fields, while all SiC buffer layer samples exhibit higher $J_c$ values than that of the pure $MgB_2$ films. A change in the grain boundary morphologies of $MgB_2$ films due to SiC buffer layer seems to be responsible for $J_c$ enhancements at high magnetic fields.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.964-967
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• 2009

A new hybrid-type touch screen panel (TSP) has been developed based on a-Si:H TFT which can detect the change of both $C_{LC}$ and photo-current. This TSP can detect the difference of $C_{LC}$ between touch and no-touch states in unfavorable conditions such as dark ambient light and shadows. The hybrid TSP sensor consists of a detection area which includes one TFT for photo sensing and two TFTs for amplification. Compared to a single internal capacitive TSP or an optical sensing TSP, this new proposed hybrid-type TSP enables larger sensing margin due to embedding of both optical and capacitive sensors.