• Journal of Animal Science and Technology
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• 제53권3호
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• pp.269-274
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• 2011

DNA methyltransferases (DNMTs) are closely associated with the epigenetic change and the gene silencing through the regulation of methylation status in animal genome. But, the role of DNMTs in transgene silencing has remained unclear. So, we examined whether the knockdown of DNMT influences the reactivation of transgene expression in the transgenic quails. In this study, we investigated the expression of DNMT3a, and DNMT3b in blastoderm, quail embryonic fibroblasts (QEFs) and limited embryonic tissues such as gonad, kidney, heart and liver of E6 transgenic quails (TQ2) by RT-PCR. We further analyzed the expression of DNMT3a at different stages of whole embryos during early embryonic development by qRT-PCR. DNMT3a expression was detected in all test samples; however, it showed the highest expression in E6 whole embryo. Embryonic fibroblasts collected from TQ2 quails were treated with two DNMT3a-targeted siRNAs (siDNMT3a-51 and siDNMT3a-88) for RNA interference assay, and changes in expression were then analyzed by qRT-PCR. The siDNMT3a-51 and siDNMT3a-88 reduced 53.34% and 64.64% of DNMT3a expression in TQ2 QEFs, respectively. Subsequently the treatment of each siRNA reactivated enhanced green fluorescent protein (EGFP) expression in TQ2 (224% and 114%). Our results might provide a clue for understanding the DNA methylation mechanism responsible for transgenic animal production and stable transgene expression.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.305-308
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• 2004

We present a novel process for the ultra low temperature (<150$^{\circ}C$) polycrystalline silicon (ULTPS) TFT for the flexible display applications on the plastic substrate. The sequential lateral solidification (SLS) was used for the crystallization of the amorphous silicon film deposited by rf magnetron sputtering, resulting in high mobility polycrystalline silicon (poly-Si) film. The gate dielectric was composed of thin $SiO_2$ formed by plasma oxidation and $Al_2O_3$ deposited by plasma enhanced atomic layer deposition. The breakdown field of gate dielectric on poly-Si film showed above 6.3 MV/cm. Laser activation reduced the source/drain resistance below 200 ${\Omega}$/ㅁ for n layer and 400 ${\Omega}$/ㅁ for p layer. The fabricated ULTPS TFT shows excellent performance with mobilities of 114 $cm^2$/Vs (nMOS) and 42 $cm^2$/Vs (pMOS), on/off current ratios of 4.20${\times}10^6$ (nMOS) and 5.7${\times}10^5$ (PMOS).

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권2호
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• pp.114-121
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• 1996

Thin film Ba$^{0.7}Sr^{0.3}TiO^{3}$ (BST) capacitors were fabricated on SiO$_{2}$/Si substrates by RF magnetron sputtering method and characterized at microwave frequencies ranging from 40 MHz to 1GHz to examine the dielectric dispersion of the capacitors. The BST thin films were electrode material of BST thin films capacitor which is known as one of the best electrode materials for BST films. 50$\AA$-thick titanium (Ti) layers were introduced to increase adhesion between bottom Pt and SiO$_{2}$. The leakage current density of the capacitors was about 1.7${\times}10^{7}A/cm^{2}$ at 1.5V and the dielectric constant was about 140 at 1MHz. Microwave measurement patterns having a coplanar waveguide type were fabricated and their S parameters were measured using network analyzer. After de-embedding parasitic components in microwave measurement patterns nearly frequency-invariant dielectric constant of about 120 was extracted in the measurement range of 40 MHz to 1 GHz.

• 한국정밀공학회지
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• 제34권2호
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• pp.107-114
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• 2017

In this investigation, we describe a metrological technique for surface and thickness profiles of a silicon (Si) wafer by using a 6 degree of freedom (DOF) stitching method. Low coherence scanning interferometry employing near infrared light, partially transparent to a Si wafer, is adopted to simultaneously measure the surface and thickness profiles of the wafer. For the large field of view, a stitching method of the sub-aperture measurement is added to the measurement system; also, 6 DOF parameters, including the lateral positioning errors and the rotational error, are considered. In the experiment, surface profiles of a double-sided polished wafer with a 100 mm diameter were measured with the sub-aperture of an 18 mm diameter at $10\times10$ locations and the surface profiles of both sides were stitched with the sub-aperture maps. As a result, the nominal thickness of the wafer was $483.2{\mu}m$ and the calculated PV values of both surfaces were $16.57{\mu}m$ and $17.12{\mu}m$, respectively.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.109-114
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• 2002

본 논문에서는 나노규모의 채널길이를 가지는 Si-기반 MOSFET의 문턱전압은 시뮬레이션하여 그 결과를 나타내었다. 180nm의 게이트 길이를 가지는 소자를 기본소자로 하여 정전압 스켈링과 평면 스켈링을 적용하여 소자를 축소하고 시뮬레이션 하였다. 이러한 MOSFET은 LDD(lightly doped drain)구조를 가지고 있으며, 이 구조는 드레인 영역에서의 전계의 크기와 단채널 효과를 줄여준다. 이 영역에서의 고전계현상은 축소에 기인한다. 이러한 소자들의 문턱전압을 조사하고 분석하였다. 이러한 분석은 IC의 응용한계 및 VLSI의 기본자료로 사용될 수 있을 것이다.

• 한방안이비인후피부과학회지
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• 제18권3호
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• pp.114-120
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• 2005

Objective: This study was performed to evaluate the effect of Dong-Si acupuncture therapy, on the stroke patients with dysphagia. Method: We studied three selected stroke patients with dysphagia who could follow instructions. The patients were treated with Dong-Si acupuncture (Jokch'eonkeum, Jokokeum) with Dong-Qi therapy for two weeks. We evaluated the effects by AHSA scale, VAS and MBI. Results & conclusion: Dysphagia was improved in all of three cases after treatment. But more clinical & scientific trials are expected to follow this study.

• 한국자기학회지
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• 제20권3호
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• pp.114-119
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• 2010

울릉도의 해안지역에서 채취한 화산암 시료에 대하여 X-선 회절분석 실험, X-선 형광 분광 분석 및 M$\ddot{o}$ssbauer 분광 분석으로 물리적 특성을 조사하여 화산암의 화학적 조성과 시료 내에 존재하는 Fe의 원자가 상태와 자기적 성질을 연구하였다. X-선 형광분광 분석의 결과로부터 울릉도 해안지역의 화산암은 지역에 따라 적철석인 hematite($\alpha-Fe_2O_3$)를 포함한 총 철 화합물의 양이 10.6 w%에서 14.5 w%인 전형적인 염기성암인 것을 알 수 있었다. M$\ddot{o}$ssbauer 분광 분석 결과로부터 울릉도 해안지역의 모든 시료에서 hematite에 의한 6중선의 공명 흡수선과 다양한 clay mineral에 포함된 $Fe^{3+}$에 의한 2중선의 공명흡수선이 나타나고 있으며, pyroxene($(Ca,Fe,Mg)_2(SiO_4)_2$)과 ilmenite($FeTiO_3$) 그리고 olivine($(Mg,Fe)_2SiO_4$) 들에 포함되어 있는 $Fe^{2+}$에 의한 2중선의 공명흡수선들도 나타나고 있음을 알 수 있었다. 또한 모든 시료들에서 철 화합물들이 주로 $Fe^{3+}$의 산화철 형태로 존재하므로 울릉도 해안지역의 염기성 화산암들은 육상형성 화산암임을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.114-114
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• 1999

Boron nitride (BN)는 매우 뛰어난 물리적, 화학적 성질을 가지고 있는 재료로 많은 연구가 진행되고 있다. hexagonal 형태의 hBN의 경우 큰 전기 저항과 열 전도도를 가지고 있고 열적 안정성을 가지고 있어 반도체 소자에서 절연층으로 쓰일 수 있다. 또한 X-ray와 가시광선을 투과시키기 때문에 X-ray와 가시광선을 투과시키기 때문에 X-ray lithography이 mask 기판으로 사용될 수 있다. Boron-carbon-nitrogen (BCN) 역시 뛰어난 기계적 성질과 투명성을 가지고 있어 보호 코팅이나 X-ray lithography에 이용될 수 있다. 또한 원자 조성이나 구성을 변화시켜 band gap을 조절할 수 있는 가능성을 가지고 있기 때문에 전기, 광소자의 재료로 이용될 수 있다. 본 연구에서는 여러 합성 조건 변화에 따른 hBN 막의 합성 거동을 관찰하고, 카본 농도변화에 따른 BCN 막의 기계적 성질과 구조의 변화, 그리고 실리콘 첨가에 의한 물성 변화를 관찰하였다. BN박막은 실리콘 (100) 기판 위에 r.f. plasma assisted CVD를 이용하여 합성하였다. 합성 압력 0.015 torr, 원료 가스로 BCl3 1.5 sccm, NH3 6sccm을 Ar 15 sccm을 사용하여 기판 bias (-300~-700V)와 합성온도 (상온~50$0^{\circ}C$)를 변화시켜 BN막을 합성하였다. BCN 박막은 상온에서 기판 bias를 -700V로 고정시킨 후 CH4 공급량과 Ar 가스의 첨가 유무를 변화시켜 합성하였다. 또한 SiH4 가스를 이용하여 실리콘을 함유하는 Si-BCN 막을 합성하였다. 합성된 BN 막의 경우, 기판 bias와 합성 온도가 증가할수록 증착속도는 감소하는 경향을 보여 주었다. 기판 bias와 합성온도에 따른 구조 변화를 SEM과 Xray로 분석하였다. 상온에서 합성한 경우는 표면형상이 비정질 형태를 나타내었고, X-ray peak이 거의 관찰되지 않았다. 합성온도가 증가하게 되면 hBN (100) peak이 나타나게 되고 이것은 합성된 막이 turbostratic BN (tBN) 형태를 가지고 있다는 것을 나타낸다. 50$0^{\circ}C$의 합성 온도에서 기판 bias가 -300V에서 hBN (002) peak이 관찰되었고, -500, -700 V에서는 hBN (100) peak만이 관찰되었다. 따라서 고온에서의 큰 ion bombardment는 합성되는 막의 결정성을 저해하는 요소로 작용한다는 것을 확인 할 수 있었다. 합성된 BN 막은 ball on disk type의 tribometer를 이용하여 마모 거동을 관찰한 결과 대부분 1이상의 매우 큰 friction coefficient를 나타내었고, nano-indenter로 측정한 BN막의 hardness는 매우 soft한 막에서부터 10 GPa 정도 까지의 값을 나타내었고, nano-indenter로 측정한 BN 막의 hardness는 매우 soft한 막에서부터 10GPa 정도 까지의 값을 가지며 변하였다. 합성된 BCN, Si-BCN 막은 FT-IR, Raman, S-ray, TEM 분석을 통하여 그 구조와 합성된 상에 관하여 분석하였다. FT-IR 분석을 통해 B-N 결합과 C-N 결합을 확인할 수 있었고, Raman 분석을 통하여 DLC의 특성을 분석하였다. 마모 거동에서는 BCN 막의 경우 0.6~0.8 정도의 friction coefficient를 나타내었고 Si-BCN 막은 0.3이하의 낮은 friction coefficient를 나타내었다. Hardness는 carbon의 함유량과 Ar 가스의 첨가 유무에 따라 각각을 측정하였고 이것은 BN 막 보다 향상된 값을 나타내었다.

• 한국자동차공학회논문집
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• 제19권4호
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• pp.114-120
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• 2011

Fuel reforming technology for the fuel cell vehicles has been frequently applied to internal combustion engine for the reduction of engine out emissions. Since syngas which is reformed from fossil fuel has hydrogen as a major component, it has abilities to enhance the combustion characteristics with wide flammability and high speed flame propagation. In this paper, syngas was feed to a 2.0 liter SI engine with MPI to improve exhaust emissions under cold start and early state of idle condition. Syngas fraction is varied to 0%, 10%, 25%, with various ignition timings. Exhaust emission characteristics and the exhaust system temperature were measured to investigate the effects of syngas addition on cold start. Result showed that HC emission could be dramatically reduced due to the fact that syngas has $H_2$ and no HC as components. The amount of $NO_x$ emission was decreased with the increase of syngas fraction. Because the dilution effect of $N_2$ and the retard of ignition timing reduces the peak combustion temperature inside the cylinder. Exhaust gas temperature was lower than that of gasoline feeding condition. Retarded ignition timing, however, resulted in increased exhaust gas temperature approximated to gasoline condition. It is supposed that the usage of syngas in an SI engine is an effective solution to meet the future strict emission regulations.

• 전기학회논문지P
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• 제65권2호
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• pp.114-121
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• 2016

This paper is Instant space vector PWM(Pulse Width Modulation)power conversion devices in switching power semiconductors from my generation to losses and switching when the voltage surge and current surge of electronic noise(EMI: Electro Magnetic Interference / RFI: Radio Frequency Interference)to effectively minimize the power soft-switching power conversion circuit topologies of auxiliary resonant DC tank for the purpose of high performance realization of the electric power conversion system by the high-speed switching of a semiconductor device(AQRDCT simultaneously : an active auxiliary resonance using auxiliary Quasi-resonant DC tank)DC link snubber switch has adopted a three-phase voltage inverter. AQRDCL proposed in this paper can reduce the effective and current peak stress of the power semiconductors of the auxiliary resonant snubber circuit compared to the conventional active-resonant DC link snubber, it is not necessary to install the clamp switch of the auxiliary resonant DC link, DC the peak current and power loss of the bus line can be reduced.