• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.1137-1139
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• 1999

저가의 우수한 성능을 갖는 적외선 영상표시 소자 구현에 적합한 마이크로 볼로미터를 MEMS 기술을 사용하여 제작하였다. 작은 열질량을 갖는 마이크로미터 단위의 열적고립 구조(thermal isolation structure) 제작은 폴리이미드(PI2611)를 희생층으로 사용하여 최종적으로 ashing공정 단계에서 폴리이미드를 제거하여 마이크로 볼로미터 구조를 완성하였다. 이 때의 구조층으로는 PECVD 질화실리콘($SiN_x$) 박막, 감지층으로 산화바나듐($VO_x$) 박막을 사용하였다. 본 연구에서는 폴리이미드 패턴 형성시 건식식각 공정조건 변수에 따라서 패턴의 기울기를 조절하여 폴리이미드 측면에서 발생되는 불 균일한 박막 증착과 패터닝 문제를 개선하였다. 또한 저응력의 질화실리콘 박막을 사용하여 잔류응력에 의한 열적고립 구조의 뒤틀림 현상을 완화하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.302-302
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• 2011

The binary chalcogenide semiconductor Bi2Se3 is at the center of intensive research on a new state of matter known as topological insulators. It has Dirac point in their band structures with robust surface states that are protected against external perturbations by strong spin-orbit coupling with broken inversion symmetry. Such unique band configurations were confirmed by recent angle-resolved photoelectron emission spectroscopy experiments with an unwanted n-type doping effect, showing a Fermi level shift of about 0.3 eV caused by atomic defects such as Se vacancies. Since the number of defects can be reduced using the molecular beam epitaxy (MBE) method. We have prepared the Bi2Se3 film on noble metal Au(111) and semiconductor Si(111) substrates by MBE method. To characterize the film, we have introduced several surface sensitive techniques including x-ray photoemission electron spectroscopy (XPS) and micro Raman spectroscopy. Also, crystallinity of the film has been confirmed by x-ray diffraction (XRD). Using home-built scanning tunneling microscope, we observed the atomic structure of quintuple layered Bi2Se3 film on Au(111).

• 폴리머
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• 제36권3호
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• pp.302-308
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• 2012

본 연구의 목적은 대기압 플라즈마 처리된 평판형 폴리프로필렌(polypropylene, PP) 필름 표면 위에 폴리비닐피롤리돈(poly($N$-vinyl-2-pyrrolidone), PVP)을 그래프트 공중합시키기 위한 최적 조건을 찾는데 있다. 대기압 플라즈마 처리 조건은 RF power 200W, Ar 유속 6 LPM, 처리시간 30초, 처리 후 노출시간은 5분으로 고정하였다. 그래프트 공중합에서는 중합 시간, 중합 온도, 비닐피롤리돈($N$-vinyl-2-pyrrolidone, NVP) 농도의 조건을 각각 달리하여 표면 그래프트도의 변화를 조사하였다. 그 결과, 중합 시간 6시간, 중합 온도 $90^{\circ}C$, NVP 농도 40%에서 가장 높은 그래프트도를 나타내었다. ATR-FTIR, X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), SEM 분석을 통해서도 PVP의 도입을 확인할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권5호
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• pp.335-340
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• 2013

In this study, the plasma etching of the TaN thin film with $CH_4/BCl_3/Ar$ gas chemistries was investigated. The etch rate of the TaN thin film and the etch selectivity of TaN to $SiO_2$ was studied as a function of the process parameters, including the amount of $CH_4$. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM) was used to investigate the chemical states of the surface of the TaN thin film.

• 한국토양비료학회지
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• 제16권3호
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• pp.210-222
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• 1983

다요인조절개염하(多要因調節槪念下)에서 수도작(水稻作)에 대(對)한 요소시비시(尿素施肥時) N성분적량(成分適量)을 여측(予測)하는 모형식(模型式)에 관여(關與)하는 이앙재배전(移秧栽培前) 경토화학성분요인(耕土化學成分要因)은 유효규산함량(有效珪酸含量) ppm(X)과 유기물함량(有機物含量)% (Z)비(比)인 X/Z비(比)와 상대가리(相對加里) 활성도비(活性度比)인 Kas/kai이였다. 여측모형식(予測模型式) $NRe=(58.5+0.647x/z){\cdot}F$에서 F는 품종(品種), 기상(氣象) 및 토양조건(土壤條件)에 따라 변동(變動)되는 생산성(生産性) 요인(要因)이라고 정의(定義)하였으며 이 값은 경토중(耕土中) X/Z값보다는 상대가리활성도비(相對加里活性度比)인 Kas/kai의 함수관계식(函數關係式) Fb=.65+1.086Kas/kai에서 여측(予測)함이 보다 합리적(合理的)임을 밝혔다. 이 식(式)의 Kas는 경토중(耕土中) 치환성염기함량(置換性鹽基含量)에서 산출(算出)되는 가리활성도비(加里活性度比)이며 Kai는 표준품종(標準品種)인 진흥(振興)에 대(對)한 리상가리활성도비(理想加里活性度比)로서 기보고(旣報告)(박(朴) 1975)에서와 같이 Kai=0.03+0.00083X/Z에서 산출(算出)한다. 상대가리활성도비(相對加里活性度比)는 Kas=Kai가 되게 조절(調節)하기 위(爲)해서 1.0이 되어야 하는 값이나 품종군별(品種群別)로 차이(差異)가 있어 우리나라에서 재배(栽培)되는 인도형(印度型)과 일본형교잡종(日本型交雜種)인 밀양(密陽) 23호(號)에서는 1.63, 비율빈(比律賓)에서 재배(栽培)되는 인도형품종군(印度型品種群)인 IR8, 20, 36 및 42등(等)에서는 공통적(共通的)으로 0.322가 됨을 밝혔고 가리시비적양여측(加里施肥適量予測)에 활용(活用)할 수 있는 각품종별(各品種別) 리상가리활성도비(理想加里活性度比) $Kai_1$ 및 $Kai_2$는 인도형${\times}$일본형(印度型${\times}$日本型) 교잡종(交雜種) 및 인도형품종군(印度型品種群)에 대(對)하여 각각(各各) 다음 함수관계식(函數關係式)에서 추정(推定)할 수 있음을 밝혔다. $\\Kai_1=0.0489+0.001353X/Z\\Kai_2=0.01+0.000267X/Z$.

• 근관절건강학회지
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• 제23권1호
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• pp.49-60
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• 2016

Purpose: The purpose of this study was to examine the effects of hypertension health school program performed in a public health center located in Y-si. Most interesting were the effects on hypertension-related knowledge, self-efficacy, self-care behavior and physiological parameters for hypertensive patients. Methods: Nonequivalent control group pretest-posttest design was employed. 45 patients with hypertension living in Y-si were assigned into an experimental group (n=23) or a control group (n=22). Experimental group was provided with the 8-weeks hypertension health school program from April 7 to May 20 in 2014. Data were analyzed with SPSS/WIN 21.0 using descriptive statistics, $x^2$-test, Fisher's exact test and t-test. Results: The result indicated a significant difference between the experimental group and control group in the scores of hypertension-related knowledge (t=-10.97, p<.001), self-efficacy (t=-4.56, p<.001), self-care behavior (t=-407, p<.001), physiological parameters including systolic blood pressure (t=2.18, p=.032) and diastolic blood pressure (t=2.74, p=.008) and cholesterol levels (t=5.04, p<.001). Conclusion: The conclusion of this study is that the hypertension self-help group program has a significant effect on the change of hypertension-related knowledge, self-efficacy and self-care behavior for hypertensive patients.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2005년도 제28회 학술발표회 초록집
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• pp.58-58
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• 2005

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.617-619
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• 2008

Inorganic-organic hybrid multilayers were formed on the plastic substrate to enhance the barrier properties of substrate to water vapor and oxygen transport. Plasma pretreatment of substrate with $Ar/O_2$ lead to adhesion improvement and the densification of inorganic layer on the substrates. Combination of $SiO_xN_y$ layer and silanenanoclay composite layer offered quite good barrier properties (WVTR and OTR) to PES substrate.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.456-456
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• 2010

CMOS 소자가 서브마이크론($0.1\;{\mu}m$) 이하로 스케일다운 되면서 단채널 효과(short channel effect), 게이트 산화막(gate oxide)의 누설전류(leakage current)의 증가와 높은 직렬저항(series resistance) 등의 문제가 발생한다. CMOS 소자의 구동전류(drive current)를 높이고, 단채널 효과를 줄이기 위한 가장 효율적인 방법은 소스 및 드레인의 얕은 접합(shallow junction) 형성과 직렬 저항을 줄이는 것이다. 플라즈마 도핑 방법은 플라즈마 밀도 컨트롤, 주입 바이어스 전압 조절 등을 통해 저 에너지 이온주입법보다 기판 손상 및 표면 결함의 생성을 억제하면서 고농도로 얕은 접합을 형성할 수 있다. 그리고 얕은 접합을 형성하기 위해 주입된 불순물의 활성화와 확산을 위해 후속 열처리 공정은 높은 온도에서 짧은 시간 열처리하여 불순물 물질의 활성화를 높여주면서 열처리로 인한 접합 깊이를 얕게 해야 한다. 그러나 접합의 깊이가 줄어듦에 따라서 소스 및 드레인의 표면 저항(sheet resistance)과 접촉저항(contact resistance)이 급격하게 증가하는 문제점이 있다. 이러한 표면저항과 접촉저항을 줄이기 위한 방안으로 실리사이드 박막(silicide thin film)을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 본 논문에서는 (100) p-type 웨이퍼 He(90 %) 가스로 희석된 $PH_3$(10 %) 가스를 사용하여 플라즈마 도핑을 실시하였다. 10 mTorr의 압력에서 200 W RF 파워를 인가하여 플라즈마를 생성하였고 도핑은 바이어스 전압 -1 kV에서 60 초 동안 실시하였다. 얕은 접합을 형성하기 위한 불순물의 활성화는 ArF(193 nm) excimer laser를 통해 $460\;mJ/cm^2$의 에니지로 열처리를 실시하였다. 그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 $800/400\;{\AA}$ 증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 $650{\sim}800^{\circ}C$까지 60 초 동안 열처리를 실시하여 $TiSi_2$ 박막을 형성하였다. 그리고 $TiSi_2$의 두께를 측정하기 위해 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 측정하였다. 화학적 결합상태를 분석하기 위해 XPS(X-ray photoelectronic)와 XRD(X-ray diffraction)를 측정하였다. 접촉비저항, 접촉저항과 표면저항을 분석하기 위해 TLM(Transfer Length Method) 패턴을 제작하여 I-V 특성을 측정하였다. TEM 측정결과 $TiSi_2$의 두께는 약 $580{\AA}$ 정도이고 morphology는 안정적이고 실리사이드 집괴 현상은 발견되지 않았다. XPS와 XRD 분석결과 실리사이드 형성 온도가 $700^{\circ}C$에서 C54 형태의 $TiSi_2$ 박막이 형성되었고 가장 낮은 접촉비저항과 접촉저항 값을 가진다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.315-315
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• 2010

결정질 실리콘을 포함하는 태양전지의 광전효율은 표면에 입사되는 태양광의 반사를 제외하면 흡수된 광자에 의해 생성되는 전자-정공쌍의 상대적인 비율인 내부양자효율에 의존하게 된다. 실제 생성된 전자-정공쌍은 기판재료의 결정상태와 전기광학적 물성 등에 의해 일부가 재결합되어 2차적인 광자의 생성이나 열로서 작용하고 최종적으로 전자와 정공이 완전히 분리되고 전극에 포집되어 실질적인 유효전류로 작용한다. 16% 이상의 고효율 결정질 실리콘 태양전지양산이 요구되고 있는 현실에서 광전효율 개선 위해 가장 우선적으로 고려되어야 할 변수는 입력 태양광스펙트럼에 대한 결정질 실리콘 표면반사율을 최소화하여 광흡수를 극대화하는 것이라 할 수 있다. 이의 해결을 위하여 대기와 실리콘표면 사이의 굴절률차이가 크면 클수록 태양광스펙트럼에 대한 결정질 실리콘의 광반사는 증가하기 때문에 상대적으로 낮은 굴절률의 $SiO_x$나 $SiN_x$와 같은 반사방지막을 광입력 실리콘표면에 증착하여 광반사율 저감공정을 적용하고 있다. 이와 더불어 결정질 실리콘표면을 화학적으로 혹은 플라즈마이온으로 50-100nm 직경의 바늘형 피라미드형상으로 texturing 함으로 광자들의 다중반사 등에 기인하는 광흡수율의 증가를 기대할 수 있기 때문에 태양전지효율 개선에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 이해된다. 본 실험에서도 고효율 다결정 실리콘 태양전지 양산공정에 적용 가능한 ICP-RIE기반 결정질 실리콘표면에 대한 texturing 공정기술을 연구하였다. Double Langmuir 플라즈마 진단시스템(DLP2000)을 적용하여 사용한 $SF_6$와 $O_2$ 개스유량과 챔버압력, 플라즈마 파워에 따른 이온밀도, 전자온도, 포화이온전류밀도, 플라즈마포텐셜의 공간분포를 모니터링하였고 texturing이 완료된 시료에 대하여 A1.5G 표준태양광스펙트럼의 300-1100nm 파장대역에서 반사율을 측정하여 그 변화를 관찰하였다. 본 연구에서 얻어진 결과를 간략히 정리하면 Si texturing에 가장 적합한 플라즈마파워는 100W, $SF_6/O_2$ 혼합비는 18:22, 챔버압력은 30mtorr 등이고 이에 상응하는 플라즈마의 이온밀도는 $2{\sim}3{\times}10^8\;ions/cm^3$, 전자온도는 14~15eV, 포화전류밀도는 $0.014{\sim}0.015mA/cm^2$, 플라즈마포텐셜은 38~39V 범위 등이었다. 현재까지 얻어진 최소 평균반사율은 14.2% 였으며 최적의 texturing패턴 플라즈마공정 조건은 이온에 의한 Si표면원자들의 스퍼터링과 화학반응에 의한 증착이 교차하는 플라즈마 에너지 및 밀도 상태인 것으로 해석된다.