• 제목/요약/키워드: Short Pin

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WLAN System을 위한 U-slot 및 Short-pin 결합한 바람개비 모양의 이중대역(5.2/5.8GHz) 마이크로스트립 패치 안테나 설계 및 제작 (Design and Fabrication of a Weathercock-Shaped Double Bandwidth Microstrip Patch Antenna that Combines U-slot and Short-pin for WLAN Systems Systems)

  • 김순섭;최영준;주영달;정용주
    • 한국통신학회논문지
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    • 제38B권5호
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    • pp.337-343
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    • 2013
  • 본 논문에서는 IEEE 802.11 기반의 WLAN(5.2/5.8GHz)대역에서 동작하는 바람개비 모양의 마이크로스트립 패치 안테나를 설계 및 제작하였다. 안테나의 크기는 $17.4{\times}17.4mm^2$이며 FR-4 기판을 사용하였다. 이동성을 위해 소형화하였고, 바람개비 패치 모양에 U-slot 및 Short-pin을 삽입하여 이중대역 공진특성 및 적절한 대역폭을 만족하도록 하였다. 또한 단일 양면기판을 사용하였고, 시뮬레이션설계는 바람개비 모양과 U-slot 및 Short-pin의 위치 변화, 패치길이를 최적화하여 제작 및 측정하였다. 제작한 안테나의 대역폭(Return loss<-10dB)은 5.2~5.8GHz대역에서 695MHz의 대역폭을 얻었다. H면과 E면 방사패턴의 3-dB 빔폭이 각각 $81.13^{\circ}$, $85.43^{\circ}$로 넓은 빔폭을 얻었다. 또한 3.17~4.85dBi의 이득을 얻었다.

Radar Detector의 국부 발진단에 적용 가늘한 X, K, Ka 대역 L 모양의 소형 Shorted Pin Patch (Compact L Shape Shorted Pin Patch for Local Oscillator Port of X-, K-, Ka-Band Radar Detector)

  • 고승태;김한용;이현택;박재규;이정해
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제18권8호
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    • pp.854-861
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    • 2007
  • 본 논문에서는 radar detector에 사용 가능한 국부 발진단용 소형화된 L 모양 shorted pin patch를 제안하였다. Shorted pin patch는 일반적인 구형 patch가 가지는 open-open 공진 형태가 아닌 short-open 공진 형태를 가지고 작동한다. L모양의 shorted pin 배열은 기본 모드(X-band), $2^{nd}\;and\;3^{rd}$ 모드에서 ${\lambda}/4$$3{\lambda}/4$의 공진 구조를 가지게 되어 일반적인 구정 patch보다 소형화가 가능하다 최적화된 L 모양 소정 shorted pin patch는 국부 발진단의 발진 주파수 대역(X, K and Ka band)에서 공진이 일어나 향상된 반사 손실을 가지게 되고, 이에 따라 기존 대비 향상된 radar detector의 감도는 얻을 수 있을 것으로 예상된다.

비정질실리콘 pin태양전지에서 입사광 세기에 따른 전류 저압특성 (Incident Light Intensity Dependences of Current Voltage Characteristics for Amorphous Silicon pin Solar Cells)

  • 장진;박민
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.236-242
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    • 1986
  • The dependence of the current-voltage characteristics of hydrogenated amorphous silicon pin solar cells on the illumimination light intensity has been investigated. The open circuit voltage increases linearly with increasing the logarithm of light intensity up to AM 1, and nearly saturates above AM 1, indicating the open circuit voltage approaching the built-in potential of the pin solar cell above AM 1. The short circuit current density increase with light intensity in proportion to I**0.85 before and I**0.97 after light exposure. Since the series resistance devreses and shunt resistance increases with light intensily, the fill factor increases with light illumination. To increase the fill factor at high illumination in large area solar cells, t6he grid pattern on the ITO substrates should be made. Long light exposure on the solar cells gives rise to the increase of bulk resistance and defect states, resulting in the decrease of the fil factor and short circuit current density. The potential drop in the bulk of the a-Si:H pin solar cells at short circuit condition increases with decreasing temperature, and increases after long light exposure.

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VLSI 소자의 핀간 DC 파라메터 테스트 모델링 연구 (A Study of Pin-to-pin DC Parametric Test Modeling of VLSI Devices)

  • 박용수;송한정;황금주;김철호;유흥균
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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    • pp.891-894
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    • 1999
  • According to increasing the integration of the device, there are important consideration about the improvement of the reliability in the product. To improve the reliability of the device, the test parameters and test time are increased. There are no pin-to-pin short test and pin-to-pin leakage test in the present test items to analysis the characteristics and reliability of the device. The purpose of the paper is to model the pin-to-pin phenomenon and propose to modify the test method present and to test the new pin-to-pin DC parameters. These modified and additive test items are applied to product test and confirmed to improve the reliability of product test.

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짧은 못형핀의 형상 변화에 따른 열전달 및 마찰손실 특성 (Heat transfer and friction loss characteristics of shaped short pin-fin arrays)

  • 조형희
    • 설비공학논문집
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    • 제9권3호
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    • pp.259-267
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    • 1997
  • Average heat transfer coefficients and friction coefficients have been measured from staggered short pin-fin arrays to investigate the effect of fin shapes. Flow entering into the test section is a fully developed duct flow and the Reynolds number ranges from 5,000 to 25,000 based on fin diameter and average approaching velocity. The fin has three different shapes; uniform-diameter circular fin, two stepped-diameter circular fins. Average heat transfer rates change slightly with the fin shapes. However, friction loss(pressure loss) for the stepped-diameter fins is significantly less than that for the uniform-diameter fin. This results indicate that the stepped-diameter fin arrays in duct flow enhance heat transfer rates largely based on unit pumping power.

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WLAN System을 위한 Short-Pin을 갖는 Snowflake 모양의 Dual-band(5.2/5.8 GBz) 마이크로스트립 패치 안테나 설계 및 제작 (Design of a Dual-band Snowflake-Shaped Microstrip patch Antenna With Short-pin For 5.2/5.8 GHz WLAN System)

  • 송준성;최선호;이화춘;곽경섭
    • 한국통신학회논문지
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    • 제34권4A호
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    • pp.324-329
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    • 2009
  • 본 논문에서는 IEEE802.11 기반의 WLAN(5.2/5.8GHz)대역에서 동작하는 새로운 모양의 마이크로스트립 패치 안테나를 설계 및 제작하였다. 안테나의 크기는 $21.2{\times}16mm^2$이며 Taconic-RF30 기판을 사용하였다. 이동성을 위해 소형화 하였고, Snowflake패치 모양에 Short-pin을 삽입하여 dual-band 공진특성 및 적절한 대역곡을 얻고자 하였다. 또한 주변 회로 집적화를 위해 단일 양면기판을 사용하였고, 시뮬레이션 설계는 Snowflake모양과 Short-pin의 위치변화, 패치길이를 최적화하여 제작 및 측정하였다. 제작한 안테나의 대역폭(Return loss < -10dB) 은 5.2GHz 대역에서 220MHz, 5.8GHz 대역에서는 135MHz의 대역폭을 얻었다. 또한 $4.7{\sim}6.9dBi$의 이득을 얻었으며, 3-dB 빔폭(HPBW)은 E-Plane과 H-Plane이 5.1500Hz에서 각각 $73.2^{\circ}/82.75^{\circ}$, 5.3500Hz에서 $74.56^{\circ}/83.63^{\circ}$, 그리고 5.7850Hz에서 $86.24^{\circ}/85.15^{\circ}$로 측정되었다.

사이즈 감소를 위한 이중대역 PIFA 안테나 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Dualband PIFA for size reduction)

  • 임동철;박효달
    • 한국통신학회논문지
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    • 제31권9A호
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    • pp.900-905
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    • 2006
  • 본 논문에서는 $2.40{\sim}2.482GHz$$5.75{\sim}5.85GHz$ 대역의 무선 LAN용 PIFA(Planar Inverted F Antenna) 안테나를 설계 제작하였다. 패치의 사이즈 감소를 위해 hair-pin 구조와 short-pin 구조를 갖도록 하였으며, 접지면과 기판사이에 공기층을 삽입하여 VSWR<2.0에서 적절한 대역을 얻고자 하였다. 설계시 주요 파라미터는 hair-pin 길이, 폭, 위치와 공기층의 두께 및 급전위치였으며 최적화된 파라미터를 가지고 실제 제작 및 측정하였다. 제작된 안테나의 측정결과는 다음과 같다. 공진 주파수는 2.37GHz 와 5.86GHz이고, VSWR<2.0에서 각각 약 90MHz 와 350MHz의 대역폭을 얻었으며 $1.91{\sim}4.37dBi$의 이득을 얻었다. 2.4GHz에서 H-평면과 E-평면은 각각 $52.83^{\circ}$$85.90^{\circ}$로 나타났으며 5.8GHz에서 H-평면과 E-평면은 각각 $65.68^{\circ}$$52.143^{\circ}$로 나타났다.

내연기관용 무연 핀부싱의 마찰특성에 관한 실험적 연구 (Experimental Study on Friction Characteristics of Pb-free Pin Bushing for an Internal Combustion Engine)

  • 김청균;오경석
    • Tribology and Lubricants
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    • 제23권6호
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    • pp.306-311
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    • 2007
  • This paper presents the friction characteristics of pb-fres pin bushing bearings for an automotive gasoline engine. The external load is 100 N to 600 N and the speed of the pin bushing bearing is 1000 rpm to 3000 rpm against the rubbing surfaces. And the contact modes of rubbing surfaces between a piston pin and a pb-free pin bushing specimen are a dry friction, an oil lubricated friction and a mixed friction that is starved by a lack of engine oil. Two influential factors of a contact rubbing modes and a material property are very important parameters on the tribological performance of a friction characteristic between a piston pin and a pb-free pin bushing. The experimental result shows that the pin bushing speed of 2000 rpm shows a typical oil film lubricated sliding contact mode in which means that as the applied load is increased, the friction loss is increasing. But other contact mode depending on the speed and the load may affect to the fiction coefficient without a regular and uniform trend. In summary, the oil lubricated rubbing surface definitely decreases a running-in period in short and increase oil film stiffness, and this may leads the reduction of a friction loss.

고체형 검출기를 위한 핀 포토다이오드 제작 (Fabrication of PIN Photodiode for Solid-state Detector)

  • Kwak, Sung-Woo;Gyuseong Cho;Hyungjoo Shin;Park, Seung-Nam
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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    • pp.98-99
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    • 2003
  • PIN photodiode has been used in solid-state detector for x-ray detection as a photosensor of visible light from scintillator. Since the light from CWO is short wavelength having peak at 490nm, the light is absorbed within a very shallow layer near the surface of the photodiode before arriving at the depletion layer and does not contribute to the signal. In designing the PIN photodiode, it is important to make the p-layer as shallow as possible. (omitted)

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