새로운 $TiSi_2$ 형성방법과 STI를 이용한 초박막 게이트 산화막의 특성 개선 연구
(Study of Improvement of Gate Oxide Quality by Using an Advanced, $TiSi_2$ process & STI)
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- 대한전자공학회:학술대회논문집
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- 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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- pp.41-44
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- 2000