• 제목/요약/키워드: Semiconductor test equipment

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TLC NAND-형 플래시 메모리 내장 자체테스트 (TLC NAND-type Flash Memory Built-in Self Test)

  • 김진완;장훈
    • 전자공학회논문지
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    • 제51권12호
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    • pp.72-82
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    • 2014
  • 최근 스마트폰, 태블릿 PC, SSD(Solid State Drive)의 보급률 증가로 메모리 반도체 산업시장의 규모는 지속적으로 증가하고 있다. 또한 최근 SSD시장에 TLC NAND-형 플래시 메모리 제품의 출시로 인해 TLC NAND-형 플래시 메모리의 수요가 점차 증가할 것으로 예상된다. SLC NAND 플래시 메모리는 많은 연구가 진행되었지만 TLC NAND 플래시 메모리는 연구가 진행되지 않고 있다. 또한 NAND-형 플래시 메모리는 고가의 외부장비에 의존하여 테스트를 하고 있다. 따라서 본 논문은 기존에 제안된 SLC NAND 플래시 메모리와 MLC NAND 플래시 메모리 테스트 알고리즘을 TLC NAND 플래시 메모리에 맞게 알고리즘과 패턴을 수정하여 적용하고 고가의 외부 테스트 장비 없이 자체 테스트 수행이 가능한 구조를 제안한다.

VOC Analyzer를 이용한 파티클보드로부터 방산되는 휘발성유기화합물의 간이 측정방법 개발 (Development of Simple Test Method using VOC Analyzer to Measure Volatile Organic Compounds Emission for Particleboards)

  • 안재윤;김수민;김진아;김현중;문석중
    • Journal of the Korean Wood Science and Technology
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    • 제34권4호
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    • pp.22-30
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    • 2006
  • VOC Analyzer는 톨루엔, 에틸벤젠, 자일렌, 스틸렌 등 4가지 방향족 탄화수소 가스를 측정하기 위한 휴대용 장비이다. VOC Analyzer는 반도체 가스 센서가 존재하는데 이 센서는 가스크로마토그래프에 필요했던 캐리어 가스를 필요 없게 하였다. 게다가 반도체 가스 센서는 가스 성분에 대해 초고감도이기 때문에 전형적인 가스 포집기나 복잡한 장비가 필요 없다. 다른 측정방법과 비교하면 VOC Analyzer는 실험의 반복과 결과의 도출이 용이하기 때문에 건축자재에서 톨루엔, 에틸벤젠, 자이렌, 스티렌을 측정하는데 유용하다. VOC Analyzer는 기본적 공기 중의 4가지 VOC를 측정하는 것인데, 본 연구에서 재료, 파티클보드에서 방산되는 VOC를 분석하는 방법을 고안하였다. 시편을 밀봉하여 96시간 후에 측정할 때 최대 VOC 값, 즉 안정화 된 VOC 방산량을 측정할 수 있다. 건축자재의 TVOC 방산을 측정 시 다른 방법에 비해 쉽고, 빠르며 경제적인 시험 방법이라 VOC Analyzer를 이용한 시험 방법을 개발하였다. VOC Analyzer는 건축 자재로부터 방산되는 VOC에 대해 빠른 측정과 쉬운 시험방법이 요구되는 곳에 널이 사용 될 것이라 기대한다. 더욱이 VOC Analyzer는 현재에 사용되고 있는 표준 방법 보다 더 쉽고, 빠르고, 경제적인 기술로의 적용이 가능하였다.

Formation of Nickel Silicide from Atomic Layer Deposited Ni film with Ti Capping layer

  • 윤상원;이우영;양충모;나경일;조현익;하종봉;서화일;이정희
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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    • pp.193-198
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    • 2007
  • The NiSi is very promising candidate for the metallization in 60nm CMOS process such as FUSI(fully silicided) gate and source/drain contact because it exhibits non-size dependent resistance, low silicon consumption and mid-gap workfunction. Ni film was first deposited by using ALD (atomic layer deposition) technique with Bis-Ni precursor and $H_2$ reactant gas at $220^{\circ}C$ with deposition rate of $1.25{\AA}/cycle$. The as-deposited Ni film exhibited a sheet resistance of $5{\Omega}/{\square}$. RTP (repaid thermal process) was then performed by varying temperature from $400^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$ in $N_2$ ambient for the formation of NiSi. The process window temperature for the formation of low-resistance NiSi was estimated from $600^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$ and from $700^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$ with and without Ti capping layer. The respective sheet resistance of the films was changed to $2.5{\Omega}/{\square}$ and $3{\Omega}/{\square}$ after silicidation. This is because Ti capping layer increases reaction between Ni and Si and suppresses the oxidation and impurity incorporation into Ni film during silicidation process. The NiSi films were treated by additional thermal stress in a resistively heated furnace for test of thermal stability, showing that the film heat-treated at $800^{\circ}C$ was more stable than that at $700^{\circ}C$ due to better crystallinity.

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Ni-Pd 합금 전해도금의 특성에 관한 연구 (A Study on Characteristics of the Ni-Pd Alloy Electroplating)

  • 조은상;정대곤;조진기
    • 한국표면공학회지
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    • 제48권6호
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    • pp.253-259
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    • 2015
  • The test equipment becomes more important with the development of semiconductor industry. MEMS probe is an important testing component to detect the defects from the generated electric signal when it contacts the metal pad of semiconductor devices. Ni-Pd alloy has been paid attention to as a candidate of MEMS probe material because of its high surface hardness and relatively low resistivity. In this study, electroplated Ni-Pd alloy has been prepared by using ethylene diamine as a complexing agent. Solid solution alloy coating could be formed when concentration of palladium chloride and current density were in the ranges of 1~5 mM and $0.2{\sim}1.5A/dm^2$, respectively. The increase of current density brought about an decrease in palladium content, which made both of lattice parameter and grain size smaller. As a result of grain refinement, high hardness could be obtained. However, surface cracking was observed due to residual stress when the current density was above $1.3A/dm^2$. When effects of heat treatment temperature on hardness and sheet resistance were investigated, the accompanied grain growth decreased both of them. The decrease of hardness remained stable at a temperature of $200^{\circ}C$. The sheet resistance was drastically reduced at $100^{\circ}C$. After that, it was found to become constant.

웨이브렛 변환을 이용한 초음파 펄스 에코 신호의 디컨볼루션 (Wavelet Transform Based Doconvolution of Ultrasonic Pulse-Echo Signal)

  • 장경영;장효성;박병일;하욥
    • 비파괴검사학회지
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    • 제20권6호
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    • pp.511-520
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    • 2000
  • 초음파 펄스-에코법을 매우 얇은 층을 갖는 다층구조물에 적용할 때 그 얇은 층의 상하면에서의 반사파가 중첩되게 되면 검사가 곤란하게 된다. 이런 문제는 반도체 내부에서의 심한 감쇠를 피하기 위해 20MHz 이하의 비교적 저주파수를 사용하는 초음파 현미경으로 반도체의 얇은 실리콘 칩을 검사하는 경우에 쉽게 볼 수 있다. 기존에 이런 초음파 신호의 중첩을 분리하기 위해 디컨볼루션 기법이 사용되어 왔으나, 송신파의 파형이 전파하면서 왜곡되어 수신되는 경우에는 적절치 못하다. 본 논문에서는 기존의 디컨볼루션 기법에 비하여 우수한 성능으로 중첩 신호를 분리해 낼 수 있는 새로운 신호처리 기법으로서 웨이브렛 변환 기반 디컨볼루션 (WTBD) 기법을 제안하였다. 여기서 웨이브렛 변환은 송신파와 왜곡된 수신 신호의 공통 파형을 추출하기 위해 사용되고 추출된 공통 파형에 대해 디컨볼루션 처리한다. 제안하는 방법의 성능은 모형신호에 대한 컴퓨터 시뮬레이션과 인위적으로 실리콘 칩 상면에 들뜸 결함을 만든 반도체 시편에 대한 실험을 통해 검증되었다.

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통신해양기상위성 통신 중계기용 MMIC의 우주인증 (Space Qualification of MMICs for COMS Communications Transponder)

  • 장동필;염인복;오승엽
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제1권2호
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    • pp.56-62
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    • 2006
  • 본 논문에서는 통신해양기상위성 Ka대역 위성통신중계기에 사용하기 위해 개발한 MMIC의 인증 시험에 대해 다루었다. 통신해양기상위성의 통신중계기에 사용될 Ka대역 능동부품은 총 12종의 MMIC를 이용하여 개발되었다. 12종의 MMIC중에는 저잡음 증폭기, 중전력 증폭기, 주파수 혼합기, 주파수 체배기, RF 스위치, 그리고 감쇄기 기능을 갖는 MMIC들이 포함되어 있다. MMIC의 제조 공정은 우주 인증된 시설인 미국 NGST사의 0.15um GaAs pHEMT공정을 이용하였으며, 지난 수십년간 많은 우주 산업 관련 부품 생산 경험을 가지고 있다. 제작된 모든 MMIC에 대하여 Visual Inspection을 수행하였으며, Wafer Lot Acceptance 판정을 위하여 SEM(Scanning Electron Microscope) Inspection을 수행하였다. MMIC의 동작 수명을 보증하기 위해 Test Fixture를 제작하여 $125^{\circ}C$의 온도에서240시간 동안의 Burn-in 시험과 1000시간 동안의 가속 수명 시험이 수행되었다. MMIC 부품의 성능 저하 또는 수명 단축의 가장 큰 요인인 pHEMT의 채널온도 상승을 확인하기 위하여 적외선 온도 측정 시험과 유한요소법을 이용한 pHEMT의 채널 온도 해석을 수행하였다.

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An impulse radio (IR) radar SoC for through-the-wall human-detection applications

  • Park, Piljae;Kim, Sungdo;Koo, Bontae
    • ETRI Journal
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    • 제42권4호
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    • pp.480-490
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    • 2020
  • More than 42 000 fires occur nationwide and cause over 2500 casualties every year. There is a lack of specialized equipment, and rescue operations are conducted with a minimal number of apparatuses. Through-the-wall radars (TTWRs) can improve the rescue efficiency, particularly under limited visibility due to smoke, walls, and collapsed debris. To overcome detection challenges and maintain a small-form factor, a TTWR system-on-chip (SoC) and its architecture have been proposed. Additive reception based on coherent clocks and reconfigurability can fulfill the TTWR demands. A clock-based single-chip infrared radar transceiver with embedded control logic is implemented using a 130-nm complementary metal oxide semiconductor. Clock signals drive the radar operation. Signal-to-noise ratio enhancements are achieved using the repetitive coherent clock schemes. The hand-held prototype radar that uses the TTWR SoC operates in real time, allowing seamless data capture, processing, and display of the target information. The prototype is tested under various pseudo-disaster conditions. The test standards and methods, developed along with the system, are also presented.

VoDSL 서비스에 최적화된 ATM SAR 프로세서 (The ATM SAR Processor Optimized for VoDSL Service)

  • 손윤식;정정화
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권10호
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    • pp.9-16
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    • 2003
  • 본 논문은 VoDSL(Voice over DSL) 가입자용 단말기에 적합한 ATM(Asynchronous Transfer Mode) 프로세서를 제안한다. 제안된 ATM 프로세서는 ATM 단, ATM 적응단의 프로토콜을 처리하는 블록. ATS 스케줄러 등으로 구성되며, ATM 네트워크상에 음성과 데이터 서비스를 위한 4개의 VCC (Virtual Channel Connection)을 지원한다. ATS(Adaptive Time Slot) 스케줄러는 음성 트래픽의 QoS (Quality of Service)를 보장하며 다중 AAL2 패킷을 지원하도록 설계하였다. 제안된 ATM 프로세서는 하이닉스 반도체의 0.35마이크론 공정에서 제작되었으며, 최대 52Mbps의 속도를 지원한다. 본 ATM 프로세서가 탑재된 VoDSL 가입자 장비인 LAD(Integrate Access Device)를 실제 제작하여 테스트용 네트워크 상에서 실험한 통하여 제안된 ATM 프로세서의 하드웨어 구조가 VoDSL 서비스의 대부분의 응용 분야에 성공적으로 적용 될 수 있음을 확인한다.

Cost-Efficient and Automatic Large Volume Data Acquisition Method for On-Chip Random Process Variation Measurement

  • Lee, Sooeun;Han, Seungho;Lee, Ikho;Sim, Jae-Yoon;Park, Hong-June;Kim, Byungsub
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제15권2호
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    • pp.184-193
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    • 2015
  • This paper proposes a cost-efficient and automatic method for large data acquisition from a test chip without expensive equipment to characterize random process variation in an integrated circuit. Our method requires only a test chip, a personal computer, a cheap digital-to-analog converter, a controller and multimeters, and thus large volume measurement can be performed on an office desk at low cost. To demonstrate the proposed method, we designed a test chip with a current model logic driver and an array of 128 current mirrors that mimic the random process variation of the driver's tail current mirror. Using our method, we characterized the random process variation of the driver's voltage due to the random process variation on the driver's tail current mirror from large volume measurement data. The statistical characteristics of the driver's output voltage calculated from the measured data are compared with Monte Carlo simulation. The difference between the measured and the simulated averages and standard deviations are less than 20% showing that we can easily characterize the random process variation at low cost by using our cost-efficient automatic large data acquisition method.

금 증착 적외선 반사판의 반사율 및 수명에 미치는 제조공정 변수의 영향 (Influence of Manufacturing Conditions on the Reflectance and Life Time of the Gold Protected IR Mirror)

  • 최용선;이영기;이유기
    • 한국재료학회지
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    • 제28권4호
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    • pp.201-207
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    • 2018
  • Infrared(IR) heating has many advantages, such as energy efficiency, reduced heating time, cleanliness, equipment compactness, high drying rate and easy automation. These features of IR heating provide widely industrial applications, such as surface heat treatment in semiconductor fabrication, thermoforming of polymers, drying and disinfection of food products, heating to metal forging, and drying of wet materials. In this study, the characteristics of a protected gold mirror were examined by spectrophotometer and the lifetime of the coating layers were evaluated by a cross-cutting method and salt spray test. The effects of manufacturing conditions on the protected gold mirror were seen and remedies for these effects were noted in order to improve the properties of the protected gold mirror in the drying process. The reflectance and lifetime of the protected gold mirror was influenced by manufacturing conditions, such as surface roughness and forming conditions of the anti-oxide layer, the adhesion layer, the reflecting layer and the protection layer. The results of this study showed that the protected gold mirror manufactured using a buffing method for pre-treatment resulted in the most effective reflectance. In addition, $Al_2O_3$ coating on an Al substrate as an anti-oxide layer was more effective than the anodizing process in the test of reflectance. Furthermore, the protected gold mirror manufactured by layers forming of various materials resulted in the most effective reflectance and lifetime when coated with $Al_2O_3$ as the anti-oxide layer, coated Cr as the adhesion layer, and coated $MgF_2$ as the protection layer.