This study was conducted to improve the flow uniformity inside the chip tester through changing the flow path formation according to the inlet and outlet position of chamber. The internal flow and velocity distributions of the modified chamber models (Cases 1-3) were compared with the reference chamber model through three-dimensional Reynolds-averaged Navier-Stokes equations with k-ε turbulence model. The modified chamber models showed the superior flow uniformity characteristics compared to the reference chamber model. To investigate the flow uniformity in the chip tester, the standard deviation of the velocity was defined and compared. Through the internal flow analysis and assesment of the standard deviation, Case 2 among the test cases including the reference model showed the best flow uniformity generally.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.7
no.2
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pp.60-65
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2008
The high-technology industries including a semi-conductor and an information communication need an ultra-precision technology from the technological points of view. Nano technology based on an ultra-precision technology is being studied to overcome the delicate technology that may occur in the semi-conductor fields. Then, the transferring equipment with high resolution and long displacement becomes an important technology. The goal of this study is to analyze the displacement magnification mechanism driven by piezoelectric actuator which has high resolution and fast response characteristics using flexure hinge with the merits of soft displacement, negligible back-lash and stick-slip, and no-lubrication. The analyses to reduce the magnification losses occurred during the magnification process are performed using ANSYS software based on FEM. The five design variables such as arm thickness, thickness of hinge, radius of hinge, length of input side at the 1st lever and magnification ratio of 1st lever are optimized to induce the maximum magnification ratio using Taguchi method.
316L stainless steel welding tube was electrolytically polished and the inner surface characteristics of the tube were tested. Electro-polishing variables such as current, voltage, concentration of electrolyte and electropolishing time were changed to seek for optimum condition. These makes a optimum conditions for the electro-polishing as 4000 A, 9 V, 1.7 specific gravity of electrolyte, and 30 minute of electro-polishing time. It makes the surface roughness as Ra < $0.25{\mu}m$. XPS test resulted as the ratio of CrO/FeO equals or more to 3/1. AES test resulted as the thickness of CrO film of $38{\AA}$. DTA test resulted as the tube did not react with $N_2,\;H_2\;and\;O_2$ gas below 1073K. As summarize above results, the electro- polished 316L stainless steel welding tube satisfied the conditions to apply as a pipeline for semi- conductor production facility and clean room.
Kim, Jong-Won;Lee, Ki-Soo;Paek, Heum-Soo;Choi, Bong-Nam;Park, Hee-Cheol
Proceedings of the KIEE Conference
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2000.07c
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pp.2020-2022
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2000
The cross-linked polyethylene(herein after XLPE) insulated power cable emit the methane($CH_4$)gas in the course of chemical cross-linking process. The general stranded conductor easily discharge this methane gas through the gap of each stranded wires. But the special stranded conductor that filled with semi-conducting rubber compound to prevent water penetration which is applied to water proof type of cable(22.9kV CN/CV-W), disturb the methane gas emission. The pre-mold type cable joint shall be expanded gradually by emit of gas left in XLPE insulation. For example, sometimes the corona problem outbreak on a new power distribution line, resulted from the gap between the sleeve and semi-conductive layer of cable joint. If above mentioned problem especially happened on the way of operating. We have to shut down the line and try to discharge the methane gas in cable joint. In this point, we would like to explain the mechanism of methane gas & cable joint and our test result briefly. At last, we are pleased to introduce the solution for preventing reoccurrence of this problem.
In this study, RF magnetron sputtering was used to investigate the relationship between oxygen vacancy and carrier concentration in a GZO film on an amorphous structure. RF power was fixed at 50W and Ar flow was changed on a glass plate to create a thin film at room temperature. The transmittance of Al-adopted amorphous GZO was measured at 85% or higher; therefore, the transmittance was shown to be outstanding in all films. The hall mobility was also shown to be higher at the film showing the high transmittance at a short-wavelength, whereas the optical energy gap was shown to be higher at the film with high oxygen vacancy. The oxygen vacancy at the amorphous oxide semi-conductor increased the optical energy gap while it was not directly involved in increasing the mobility. The oxygen vacancy increases the carrier concentration while lowering the quality of amorphous structure; such factor, therefore affected the mobility. The increase of amorphous property is a direct way to increase the mobility of amorphous oxide semi-conductor.
Most of X-ray generator had used rectifier type transformer with high tension generator which is supplied in a clinical diagnosis. Because the ripple rate of tube voltage is high, X-ray generating efficiency is very low. In these days, high tension generator for inverter type X-ray generator is being supplied from a broad which uses semi-conductor switching element for the electric power that have a high speed switching ability to solve these problem. But, semi-conductor element with large capacity is used with X-ray tube's large consumption power and diffusion is difficult in the small size hospital because production cost is going up by doing digital control through DSP. Therefore, this paper designed and manufactured CR type voltage divider for feedback control of tube voltage with high frequency resonance type inverter and for high tension transformer with high frequency. It was to make economical diffusion type X-ray generator which has wide output voltage and load extent. It was preyed that the X-ray generator had the stability of X-ray tube's output characteristics.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.36
no.6
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pp.603-608
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2023
Carbon black with high purity and excellent conductivity is used as a conductive filler in the semiconductive compound for EHV (Extra High Voltage) power cables of 345 kV or higher. When carbon black and CNT (carbon nanotube) are applied together as a conductive filler of a semiconductive compound, stable electrical properties of the semiconductive compound can be maintained even though the amount of conductive filler is significantly reduced. In EHV power cables, since the semi-conductive layer is close to the conductor, stable electrical characteristics are required even under high-temperature conditions caused by heat generated from the conductor. In this study, the theoretical principle that a semiconductive compound applied with carbon black and CNT can maintain excellent electrical properties even under high-temperature conditions was studied. Basically, the conductive fillers dispersed in the matrix form an electrical network. The base polymer and the matrix of the composite, expands by heat under high temperature conditions. Because of this, the electrical network connected by the conductive fillers is weakened. In particular, since the conductive filler has high thermal conductivity, the semiconductive compound causes more thermal expansion. Therefore, the effect of CNT as a conductive filler on the thermal conductivity, thermal expansion coefficient, and volume resistivity of the semiconductive compound was studied. From this result, thermal expansion and composition of the electrical network under high temperature conditions are explained.
The purpose of termination for high voltage tests of XLPE power cable is to prevent flashover during the breakdown test of specimen as well as to withstand the specified voltage between its conductor and screen without failure. For easier treatment and simpler construction of testing termination, resistivity grading method using semi-conductive material was employed. Based on the fundamental theory, its failure characteristics by changing the resistivity of semi-conductive material on the insulation surface was investigated. With two layers construction by difference resistivity on their surfaces, much improved result than that of one resistivity was obtained through the experiment for MV cable.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1994.05a
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pp.38-41
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1994
The method of passivation for protecting the $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te surface is important device fabrication process. Because the surface components are highly reactive leading to its chemical and electrical instability. Especially. the material of detecting for infrared radiation, of which composition is x=0.2 or 0.3, is narrow bandgap semi- conductor. The narrow bandgap semi conductors are largely governed by the properties of the semiconductor surface. The narrow bandgap semi-conductors are largely governed by the properties of the semiconductor surface. The electro-chemical processing of $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te allows rigorous control of the surface chemistry and provides an in-suit monitor of surface reaction. So electro-chemical reduction at specific potential can be selectively eliminated the undesirable species on the surface and mainpulated to reproducibly attain the desired stoichiometry. This method shows to assess the quality of chemically treated good $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te surface.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.127-128
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2005
UV-curable pressure sensitive adhesives were prepared by blending acrylic copolymer, copolymerized with butyl acrylate (BA), acrylic acid (AA) and vinyl acetate (VAc) by solution polymerization, triethyl amine (TEA) and trimethylolpropane triacrylate (TMPTA). The PSAs were evaluated by peel strength with varying contents of TMPTA and UV dose, and also glass transition temperature($T_g$) of PSAs were measured. When exposed on UV irradiation, the PSAs showed the decreased peel strength and increased $T_g$. And following UV irradiation, the PSAs did not leave any residue on wafer after peel off PSA.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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